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张金胜 《电子制作.电脑维护与应用》2015,(12)
随着信息的进步,社会的发展,人们对人才的要求也越来越高,而优秀的人才不仅要有充足的知识和熟练的技能,而且需要有健康的身体和完善的人格。体育教育对处在人格形成和发展时期的中职学校的学生有着广泛的影响。本文从中职中学生人格塑造和体育教育的特征出发,进而分析两者之间的关系和体育教育对中学生的影响。研究结果以期对中职体育教育的理论研究有一定的支持作用。 相似文献
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AT供电方式在电化区段应用较普遍,许多隧道采用正馈线电缆供电.现缺乏有效的检测手段,一旦电缆发生故障,恢复时间长,对运输影响大.对正馈线电缆结构、铠装层屏蔽层接地方式、电缆试验方法等进行论述,通过现场实际测试数据进行验证.结合实际,指导性给出接地电流与电缆绝缘状态定量关系,提出现场测试电缆接地电流方法. 相似文献
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为了提高半导体激光器腔面膜的激光损伤阈值,进而提高激光器输出功率,对激光器的灾变性光学镜面损伤产生的原因进行了探讨。根据损伤原理,将高反膜中场强最大处移出界面,采用光学传输矩阵,对厚度连续变化的界面场强和反射率进行了计算,得到优化高反膜系,优化膜系减小了界面处的光场对薄膜的损伤。采用改进后束流密度更大的LaB6作为阴极原位等离子源,对离子源清洗的参数进行了优化。薄膜制备前期使用离子清洗的方法在真空环境下对腔面进行去氧化,在制备过程中使用电子束蒸发离子源辅助沉积,并测试了薄膜在高温高湿环境下的稳定性。使用该优化的膜系和清洗方法制备的半导体激光器,在准连续输出时,功率由4.6 W提升到了7.02W,工作电流由5A提升到了8A。 相似文献
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近年来,企业对数据安全的关注程度大大增强,Oracle Data Guard提供高可靠性的数据保护,并可以实现数据的灾难恢复,Oracle Data Guard能将生产数据切换到灾备数据库中,从而减少了由于数据存储而造成的当机时间.Data Guard也能配合备份和恢复技术、集群技术提供高层次的数据可靠性,本文主要阐述如何利用Oracle DataGuard的原理及构建灾备的方法. 相似文献
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内蒙古草原传统民居——蒙古包浅析 总被引:2,自引:0,他引:2
内蒙古最具民族特色的建筑当属“蒙古包”了。在中国56个民族中,一说起蒙古族的民居,几乎老幼皆知会异口同声地说出“蒙古包”这一移动的住房。1、蒙古包的历史起源和称谓具有民族特色的“蒙古包”是满族对蒙古族牧民的称呼,始于清代。“包”满语是“家”、“屋”的意思。在此之前的古代称蒙古包为“穹庐”、“毡帐”或“毡包”等。考察一个地区的民居,一定要和当地的历史文化和生产、生活条件相联系。内蒙古地区自远古时期到元朝以前的生产、寻找草场,逐水草而迁居,为适应这样的生产、生活习俗,北方游牧民族创造出一种易于搬迁、便于组装、… 相似文献
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按照中国铁路总公司修程修制改革的要求,牵引变电专业修程修制改革突出“强检修、优运行、远程控”的管理模式。通过完善变电专业管理制度,融合现有成熟技术,将牵引变电所辅助监控系统应用于现场,在既有开闭所、AT所、分区所无人化的基础上,探索牵引变电所管理模式改进,由值班模式向值守模式过渡,最终实现牵引变电所无人化管理目标。 相似文献
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加强和改进大学生思想政治教育是一项重大而紧迫的战略任务。高校辅导员在开展大学生思想政治教育工作时要结合出现的新情况、新问题,以四种意识为指导,采用新方法开展工作。 相似文献
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体育对于国民身体素质的提高有着非常重要的作用,在素质教育的指导之下,虽然对于体育的重视程度不断提高,但是由于其中存在的一些原因,导致城市的小胖墩乃至少儿肥胖症患者不断增多,城市学生的身体素质不断下降,对我们国家的未来、国民的整体素质等都产生了很大的负面影响。我们试图通过对城市学校体育教育现状进行研究,从而找出一条在城市学校中推行体育教育之道。 相似文献
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808nm InGaAlAs垂直腔面发射激光器的结构设计 总被引:1,自引:1,他引:1
为实现垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)在808 nm波长的激射,对VCSEL芯片的整体结构进行了设计。基于应变量子阱的能带理论、固体模型理论、克龙尼克-潘纳模型和光学传输矩阵方法,计算了压应变InGaAlAs量子阱的带隙、带阶、量子化子能级以及分布布拉格反射镜(DBR)的反射谱,从而确定了量子阱的组分、厚度以及反射镜的对数。数值模拟的结果表明,阱宽为6 nm的In0.14Ga0.74Al0.12As/Al0.3Ga0.7As量子阱,在室温下激射波长在800 nm左右,其峰值材料增益在工作温度下达到4000 cm-1;渐变层为20 nm的Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As DBR,出光p面为23对时反射率为99.57%,全反射n面为39.5对时反射率为99.94%。设计的顶发射VCSEL结构通过光电集成专业软件(PICS3D)验证,得到室温下的光谱中心波长在800 nm处,证实了结构设计的正确性。 相似文献