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近年来,GaN基发光二极管(LED)的发展异常迅速,以玻璃为衬底的LED具有成本低、可大面积化生产等优点而引起了国内外许多科研机构的广泛研究兴趣.但由于普通玻璃较低的软化温度(500~ 600℃)以及与GaN之间存在较大的晶格失配问题,一直阻碍其发展.重点综述了玻璃衬底上生长GaN薄膜的方法以及改善外延层晶体质量的技术.分别介绍了两种在普通玻璃上生长GaN的方法,即低温生长和局部加热生长,同时详述了采用缓冲层和横向外延过生长(ELO)技术对外延GaN晶体质量的影响.对局部加热、ELO等技术在玻璃衬底LED方面的应用进行了分析和预测,认为以玻璃为衬底的LED终会取得快速地发展. 相似文献
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水泥混凝土路面具有承载力高,使用年限长的优点,近几年得到很快的发展,同时水泥路面的许多病害也逐渐显示出来,主要现象为裂缝、板底积水、脱空、路基沉陷、混凝土振捣不密实、板厚度不够等,尤其对养护工作要求较高,一旦失养造成路面破损,修复时,破碎工程量大,养护期长.本文通过近些年来的工作经验,总结了水泥路面破损的成因,并提出了相应的措施,与同行共同研究. 相似文献
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滚筒是汽车后桥检测平台的路面模拟部件,利用ANSYS对某检测平台的滚筒设计方案进行了有限元分析,并给出了改进方案,为该部件的设计提供参考.分析结果既可以避免由于结构设计不合理而造成的危险情况的发生,又避免了原材料的浪费. 相似文献
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利用选择性横向外延技术生长{11-22}半极性面GaN模板,并利用半极性面模板生长InGaN/GaN多量子阱结构。结果表明,生长出的GaN模板由半极性面{11-22}面和c面组成,多量子阱具有390nm和420 nm的双峰发光特性,局域阴极发光(CL)测试表明390 nm附近的发光峰来源于半极性面上的量子阱发光,而420 nm左右的发光峰源于c面量子阱发光。c面量子阱发光相对于斜面量子阱发光发生显著红移是因为在选择性横向外延生长过程中,In组分相比Ga较易从掩模区域向窗口中心区域迁移,形成了中心高In组分的c面量子阱,而半极性面上InGaN/GaN多量子阱量子限制斯塔克效应相比于极性面会减弱,此外,相同生长条件下半极性面的生长速率低于极性c面的生长速率。 相似文献