触发器型压力传感器的研究

本文报道了一种触发器型压力传感器，对这类传感器的电路结构和工作原理进行了理论分析。详细讨论了影响传感器特性的四种因素。定量地分析了调控三角波电压对传感器测量灵敏度和线性范围的影响。对实验结果进行了讨论，理论分析与实验结果基本一致。     

氮化硅抗反射膜MIS/IL硅太阳电池光辐照不稳定性的实验研究

对氮化硅抗反射膜MIS/IL硅太阳电池在光照下对不稳定现象的实验研究结果表明:电池蜕变过程和辐照光源、光强、抗反射膜中的正电荷密度等密切相关,而和电池的工作状态(如开路,短路或负载等)无关。光照-退火循环实验和蜕变电池的静置恢复实验说明光照下的电池蜕变是一种由短波长光子(如紫外光)诱导产生的可恢复的物理过程。用MNOS电容器和NOS源漏器件模拟氮化硅抗反射膜MIS/IL太阳电池的活性区域,对光照前后Si_3N_4-SiO_x-Si系统的界面电荷特性研究的结果表明:紫外光照射后,Si_3N_4-SiO_x-Si界面正电荷密度减少,照度为4×10~4勒克斯、辐照时间15分钟可使正电荷密度减少4.8×10~(12)cm~(-2)。抗反射膜内正电荷密度的减少,是由于短波长光子激发热电子向氮化硅膜中注入所致。     

集成三漏CMOS磁敏传感器

本文介绍了一种新颖的集成三漏CMOS磁敏传感器。报道了该传感器的电路原理、版图设计及其研制结果。它具有结构简单、磁灵敏度高和使用方便等特点,且制造工艺与标准铝栅CMOS工艺完全兼容,成本低、易于批量生产,具有高的性能/价格比。     

高性能高温压力传感器

研究了决定多晶硅压力传感器性能的两项关键技术：各向异性腐蚀硅杯和温度自补偿。通过研 究四甲基氢氧化铵（ＴＭＡＨ）腐蚀液特性，及在不同腐蚀条件下硅杯表面状况，确定了制作高质量硅杯的工艺 条件。通过优化掺杂浓度，改善了传感器的温度特性，基本上实现自补偿。测试结果表明，多晶硅压力传感器 综合精度达０．ｌ％～０．２％ＦＳ，灵敏度温度系数绝对值小于３ × １０－４／℃，有广阔的应用前景。     

TMAH在压力传感器制作中的应用

介绍了四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液的腐蚀特性,论述了在单晶硅和多晶硅高温压力传感器的制作过程中,TMAH腐蚀液在浓硼终止腐蚀和各向异性硅杯腐蚀两个制作工艺中的应用。通过大量的实验得到了较为理想的腐蚀条件,取得了较好的腐蚀结果。     

等离子体增强CVD氮化硅作硅太阳电池的减反射膜

本文报道了用等离子体增强化学气相淀积(简称PECVD)氮化硅作硅太阳电池减反射膜的实验结果。利用红外吸收光谱、俄歇电子能谱、椭圆偏振仪及C—V测试等分析方法研究了氮化硅膜的成份和性能。利用氮化硅膜的折射率随淀积工艺可变这一特点,淀积了具有不同折射率的多层氮化硅膜。实验表明,采用PECVD氮化硅膜作硅太阳电池的减反射膜,电池转换效率提高了38％,四层氮化硅减反射膜的平均反射率低于5％(波长范围400—1100nm)。     

新型集成压力传感器的研究

本文介绍一种新型集成压力传感器．它是利用集成电路技术和微机械加工技术相结合，将半导体力敏电阻和双稳态触发器电路结合在一起，制作触发器型集成压力传感器．文章对该类传感器的工作原理，电路结构进行了理论分析，并对实验结果进行了讨论．重点分析了噪声对传感器特性的影响，在测试电路中加入调控三角波电压，可以改善传感器的特性．     

MOS触发器型集成压力传感器

触发器型压力传感器具有灵敏度高，压力测量线性范围可调和能输出数字量等特点，论述了这类新型传感器的工作原理和特性，并重点分析了噪声对传感器特性的影响。为了改善传感器的特性，实验采用三角波调控电压，可以有效地调节传感器的测量灵敏度度和线性范围。     

半导体高温压力传感器的研究

介绍多晶硅压力传感器，由于采用二氧化硅介质膜作应变电阻之间的隔离，因而提高了传感器的工作温度。实验表明，该类传感器具有灵敏度高，精度高、温度特性好、工作温限高等特点。     

MIS多晶硅太阳电池

本文对影响MIS多晶硅太阳电池效率的有关因素进行了分析,实验电池的转换效率达10.1％(100mW/cm~2,有效面积)。