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为制备用于X射线闪烁屏的高开口面积比硅微通道阵列,研究了四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液温度和质量分数对硅(100)晶面和(110)晶面腐蚀速率的影响.通过金相显微镜观测硅微通道端面尺寸并计算腐蚀速率,分析了硅(100)晶面和(110)晶面腐蚀速率比对硅微通道阵列孔形的影响,探讨了TMAH溶液温度和质量分数与硅微通道阵列开口面积比的关系.研究表明,硅(100)晶面和(110)晶面的腐蚀速率比是影响硅微通道阵列开口面积比的主要因素.当硅(100)晶面与(110)晶面腐蚀速率比大于√2时,得到具有高开口面积比的正方形硅微通道阵列.使用质量分数为1%的TMAH溶液在40℃的溶液温度下,制备出开口面积比大于81%的正方形硅微通道阵列.通过高温填充CsI (TI)制备出基于硅微通道的X射线闪烁屏,X射线成像结果表明通道整形技术有助于提高闪烁屏的性能. 相似文献
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宏孔硅阵列(MSA)在光子晶体、硅微通道板、MEMS 器件等领域应用前景广阔,引起人们广泛关注。为制备理想的MSA结构,本文开展了MSA光电化学方法腐蚀实验,重点研究了腐蚀电流密度对宏孔形貌的影响。给出了n型硅抛光片背面光照情况下在氢氟酸溶液中的电流-电压扫描曲线,讨论了临界电流密度JPS的意义和MSA稳定生长的基本电流密度条件。提出了一种间接地测量JPS与腐蚀时间关系的方法,并根据JPS的测量结果调整腐蚀电流,实现了理想的MSA等径生长,制备出孔深度为295m,长径比为98的MSA结构。 相似文献
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Simulation Investigation on Particle Transmission Characteristics of Two Different Ion Barrier Films
The simulation calculation and analysis of electron transmittance and ion stopping power for ion barrier films (IBFs) of Al2O3 and SiO2 are performed by Monte Carlo methods. The interaction model between particles and solids are described. It is found that at the same conditions, the electron transmittance for SiO2 IBF is relatively higher than that of Al2O3 IBF, and the ion stopping power of SlOE IBF is relatively lower than that of Al2O3 by Monte Carlo simulations. It is also indicated that SiO2 is one of the ideal materials for fabricating IBFs. 相似文献
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近年来,基于新的有机半导体材料的合成、器件结构的优化以及对太阳电池活性层形貌的有效调控,有机光伏电池(OPV)得到了迅速的发展。目前基于聚合物/小分子共混体系的单结OPV的光电转换效率已经超过18%。首先,概述了聚合物/小分子OPV的研究进展;接着,介绍了OPV的工作原理和相分离机理,并分析了OPV的光电性能、活性层形貌特征参数以及相分离过程这三者之间的关系;其次,探讨了不同物理调控手段对活性层形貌的影响,主要介绍了调节溶液的聚集、成膜过程中优化活性层形貌以及薄膜后处理等优化活性层的方法,重点介绍了聚合物/小分子OPV的活性层形貌调控的方法;最后,对OPV未来的发展方向进行了展望。 相似文献