低截流值真空触头材料的研究

一、引言CuCr触头具有优良的开断能力、较好的耐压水平、良好的抗侵蚀和抗熔爆性能，已被广泛地应用于真空断路器中。然而，与Ag－WC、CuWC以及近年来国外开发的CoAgSe相比，其截流值相对较高。随着真空开关向高耐压、大容量、小型化和低过电压的不断发展，以及CuCr触头在真空接触器、真空负荷开关上应用的逐步推广，要求进一步降低CuCr触头的截流值。国外近些年来在降低CuCr触头材料的截流值方面进行了大量的研究，其主要的途径有三条：（1）在CuCr中添加金属碳化物。如日本明电舍公司研究了CuCrMo（CrC2）等，其主要电开断性能…     

电弧作用后CuCrTe(W)触头熔化层组织及耐压性能的研究

本文研究了CuCrTe和CuCrWTe真空触头经长时间电弧作用后的表面熔化层显微组织及成分的变化。金相和扫描电镜分析表明：CuCrTe触头表面局部存在溅射坑点，熔化层厚度为0～70μm左右，Cr沉淀析出相的粒度为1～5μm左右；CuCrWTe触头表面平整，熔化层厚度约为10μm左右，CrW沉淀析出相粒度小于1μm。能谱成分分析表明：触头熔化层中Cu成分含量显著低于其原始成分含量。耐压试验表明：电弧作用和在CuCrTe材料中添加一定量的W，均可显著提高其耐压性能。     

铜铬触头材料再结晶过程的研究

一引言铜铬触头材料具有开断能力大，耐压高，抗电蚀和抗熔焊性好等优点，已被广泛应用于真空灭弧室中，铜铬触头作为真空灭弧室的关键部件，除了其它理化性能指标之外，还要求它具有高的电导率和适当的硬度；此外，在真空灭弧室的长期运行中，铜铬触头的显微组织结构及电导率和硬度会有一些变化，这与它在不同的温度条件下的再结晶有关。因此．有必要研究铜铬触头材料的再结晶过程，以便在生产中控制其电导率和硬度，以及更深刻地认识其在真空灭弧室里的运行机制。研究金属和合金的再结晶过程有多种方法，直接的方法有金相和电子显微术，X…