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1.
目的研究热风辅助射频(hot air-assisted radio frequency,HA-RF)干燥过程中维生素C随温度变化的降解动力学模型。方法在6.5 cm极板间距和60℃热风系统条件下进行HA-RF干燥,重点研究胡萝卜丁中维生素C在干燥过程中的降解动力学,包括脱氢抗坏血酸(dehydroascorbic acid,DHAA)和抗坏血酸(ascorbic acid,AA)。总维生素C含量采用2,4-硝基苯肼分光光度法测定,AA采用2,6-二氯吲哚酚滴定法测定。结果HA-RF干燥过程中维生素C的降解规律符合一级可逆模型,其降解活化能为40.54 kJ/mol。DHAA活化能为35.83 kJ/mol,表明DHAA的稳定性低于AA。结论本研究使用的干燥温度为62.5~77.5℃,较高的干燥温度下维生素C降解速率较高,较低处理温度下的降解过程具有更好的模型适应度(R2>0.98)。  相似文献   
2.
全息术是一种三维成像技术,它已经被应用于多种实际场景。随着计算机科学与技术的迅猛发展,计算全息由于其方便和灵活的特性,已经成为一种广泛应用的全息成像方法。本文回顾了我们近期基于超表面的太赫兹计算全息研究进展。其中,作为全息板的超表面展示出了超越传统光学器件的独特性能。首先,利用超表面实现了对于全息板每个像素的相位振幅同时且独立的调控,进而实现了高质量全息成像。这种新的电磁波操控能力也带来了新的全息成像效果,如利用介质超表面实现了全息像沿传播方向上的连续变化。其次,对超表面在不同偏振态下的响应进行设计,分别实现了线偏振态与频率复用、圆偏振态复用、以及基于表面波的偏振复用超表面全息术。此外,本文提出了依赖于温度变化而主动可控的超表面全息术,为今后计算全息术的设计与实现提供了新的方案,也推动了超表面在实际应用方面的发展。  相似文献   
3.
低渗低温低压水敏性储气层压裂改造技术研究与应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
低渗低温低压水敏性储气层因压裂液快速破胶困难、黏土膨胀水敏伤害严重和压后压裂液返排动力不足等因素,使得压裂增产面临诸多难题。针对上述难题进行了技术攻关,形成了弱交联、低温活化剂与超量破胶剂的低温储层快速破胶技术、有机盐与无机盐双元体系复合防膨技术以及高比例液氮全程助排的排液技术。该压裂增产改造技术使牛101井头屯河组首次获得工业油气流,扩展了三塘湖盆地勘探空间。  相似文献   
4.
提高深井硬地层钻井速度技术难点及对策   总被引:3,自引:2,他引:1  
乌龙1井地层为南方海相沉积,地层古老、岩石硬度大、研磨性强、可钻性差、地层倾角大(最大为80°)井斜难以控制、蹩跳钻严重,制约了该地区深井钻井速度。文章介绍了解决提高钻井速度这一瓶颈问题,从深井优快钻井及其配套技术、硬地层钻进的钻头优选、优化钻井参数、引用新技术、新工艺、新工具等方面进行了探索,钻井速度有了大幅度地提高,对类似井具有一定的借鉴作用。  相似文献   
5.
基于形态学top-hat算子的多传感器图像融合   总被引:3,自引:1,他引:2       下载免费PDF全文
钟伟才  刘静  刘芳  焦李成 《电子学报》2003,31(9):1415-1417
本文根据形态学top-hat算子能够提取图像中极大值与极小值区域的特点,将其应用于多传感器图像融合的两个重要领域——多聚焦图像融合和高分辨、多光谱图像融合.实验中将本文方法与Laplacian塔型变换、子波变换、主分量分析等方法进行了比较,结果表明本文所提的基于top-hat算子的融合方法具有优越的性能,拓广了top-hat算子的应用范围.  相似文献   
6.
ZnGa2O4纳米晶的制备和结构表征   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用喷射共沉淀法制备了ZnGa2O4 纳米晶,XRD、SEM和TEM结构分析结果表明,喷射共沉淀法制备的ZnGa2O4的纳米晶颗粒细小均匀,形状完整,与化学共沉淀法相比,粒子尺寸明显减小,小于10nm,同时ZnO杂相峰消失,分析了喷射共沉淀法的机理,并对实验结果进行了解释。  相似文献   
7.
雷的作战效果取决于雷体起爆时距离目标的远近程度,为了改善现存部分库存雷没有确定最佳起爆点这一现状,在此设计了确定最佳起爆点的磁探测仪.本探测仪采用磁阻传感器探测目标,目标信号经过后续的放大电路,微分电路处理,确定最佳起爆点,并在最佳起爆点时输出触发信号,引爆雷体.本设计还为以后智能雷的发展提供了一些研究思路.  相似文献   
8.
混凝土结构的质量通病——裂缝   总被引:3,自引:1,他引:2  
焦培德 《山西建筑》2003,29(10):14-14
从材料、结构构造、施工工艺、地基变形、温湿度变形等方面论述了混凝土裂缝产生的原因 ,提出只有真正了解裂缝产生的原因 ,才能有针对性地采取有效措施 ,确保工程质量  相似文献   
9.
10.
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