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Thermo-Sensitive Ba0.64Sr0.36TiO3 Thin Film Capacitors for Dielectric Type Uncooled Infrared Sensors
Liang Dong Ruifeng Yue Litian Liu Xiaoning Wang Jianshe Liu Tianling Ren 《Journal of Infrared, Millimeter and Terahertz Waves》2003,24(8):1341-1349
Ba0.64Sr0.36TiO3 (BST) thin films are prepared on Pt/Ti/SiO2/Si3N4/SiO2/Si substrates by a sol-gel method. Thermo-sensitive BST thin film capacitors with a Metal-Ferroelectrics-Metal (M-F(BST)-M) structure are fabricated as the active elements of dielectric type uncooled infrared sensors. XRD are employed to analyze the crystallographic structures of the films. AFM observations reveal a smooth and dense surface of the films with an average grain size of about 35 nm. Rapid temperature annealing (RTA) process is a very efficient way to improve crystallization quality. The preferable annealing temperature is 800°C for 1 min. The butterfly shaped C-V curves of the capacitors indicate the films have a ferroelectric nature. The dielectric constant and dielectric loss of the films at 100 kHz are 450 and 0.038, respectively. At 25°C, where the thermo-sensitive capacitors work, the temperature coefficient of dielectric constant (TCD) is about 5.9 %/°C. These results indicate that the capacitors with sol-gel derived BST thin films are promising to develop dielectric type uncooled infrared sensors. 相似文献
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合成了一系列用于苯与直链烯烃烷基化反应的含有杂原子的磷铝分子筛固体酸催化剂 (MeZrAPO 5 ) ,同晶取代磷铝分子筛骨架中磷和铝的杂原子包括锆和至少一种选自硅、硼、镓、锗、铁、镁、锡等的元素。考察了晶化温度、晶化时间、杂原子种类、铝源等因素对催化剂合成的影响 ,探索了合成样品中模板剂脱除的最佳条件。结果表明 ,晶化温度高于 15 0℃、n(TEA) /n(Al2 O3 )≥ 1 5以及加入Zr原子都有利于直接生成MeZrAPO 5晶相 ;用小晶粒和高结晶度的铝源合成时 ,分子筛的结晶度高。 相似文献
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建筑工程中渗漏质量通病的原因及防治措施 总被引:1,自引:0,他引:1
对浴厕这一容易引发渗漏质量通病的环节作了原因分析,从严格精确预留管道洞口,严把材料关等方面,提出了相应的预防措施,并指出治理渗漏应采取全面分析综合治理的原则。 相似文献
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9.
就毛石砌体的拉接处理、现浇混凝土柱、墙拉结筋的留设、砖混结构中构造柱的质量预控等几个环节进行了分析,提出只有在施工中采取必要的措施,才能保证施工质量。 相似文献
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