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利用正电子湮没方法对CdSe单晶中的缺陷进行了研究,通过对不同温度下退火样品正电子湮没寿命的测试分析,表明:在CdSe晶体中存在的点缺陷主要是占优势的镉空位。由正电子湮没寿命和退火温度的关系,研究了硒化镉单晶退火时空位的迁移、合并及消失情况,确定出能减小生长中形成的空位性缺陷浓度并获得较为完整的晶格的最佳退火温度范围为650~800℃。 相似文献
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通过变温(20~300K)霍尔效应测量,研究了CdSe单晶体的电阻率ρ(T)、载流子浓度n(T)、霍尔系数RH(T)和霍尔迁移率μH(T)的温度依赖关系.实验结果表明CdSe单晶体的导电类型总为n型,且它的电阻率与载流子浓度的温度依赖关系与n-Si单晶类似.通过拟合禁带宽度约为1.7eV.本文还进一步研究了本征区、饱和区、弱电离区内电子浓度的变化和霍尔因子γ随温度变化关系,并由此计算出杂质电离能(24.7meV)与补偿度(23.7%).上述结果表明CdSe单晶体具有优良的电学特性,是制作室温核辐射探测器的理想材料. 相似文献
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以液相-液相分离理论为基础,分析了综晶化合物熔体的分离过程和固-液界面吸收第二相液滴的规律,提出了抑制第二相液滴凝并、促进固-液界面吸收第二相液滴的方法,阐明了控制晶体化学配比的原理,为用熔体法生长综晶化合物单晶体提供了理论指导。 相似文献
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以高纯单质为原料,按AgGa1-xInxSe2(x=0.4)化学计量配比配料(富1%Se),在双层石英安瓿中,用机械和温度振荡相结合的方法,合成出高纯单相多晶料.差热分析表明,其熔点和凝固点分别为804.3℃和775.6℃.采用带有籽晶袋、内壁镀碳的双层石英安瓿,用改进的垂直布里奇曼法生长出尺寸为Ф20 mm×60mm、结构完整.的AgGa0.6In0.4S2单晶体.经X射线衍射仪和红外分光光度计等分析表明,晶体为黄铜矿结构,晶格常数为a=0.602 32 nm,c=1.118 33 nm,其显露面和易解理面为(112)面;厚度约为2 mm的晶片在波长0.836-19.65μm 范围内透过率接近或超过60%,禁带宽度约为1.48 eV.结果表明,改进方法生长的AgGa1-xInxSe2晶体的结构完整,光学质量高,可用于中远红外非线性光学器件制备. 相似文献
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介绍了一种砷锗镉(CGA)晶体定向加工的新方法,即根据CGA晶体自身解理面,结合晶体标准极图和X射线衍射图谱,确定出晶体的c轴方向;并以c轴为基准快速寻找CGA晶体通光面且进行回摆精修的器件加工新方法。运用该方法,针对改进的垂直Bridgman法自发成核生长的CGA晶体,经定向切割、研磨和抛光,初步加工出CGA晶体SHG倍频器件粗坯,其相位匹配角θm=33.58°、方位角φ=0°,尺寸达5 mm×5 mm×8mm。 相似文献
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采用改进的布里奇曼法生长出尺寸为Φ15 mm×45 mm,外观完整无开裂的Cd Ge As2单晶体。为了提高器件的使用性能,需要对晶体进行表面处理,主要对Cd Ge As2晶片表面的抛光技术进行了研究。通过对解理面切割分析得到(101)晶面,机械抛光后进行了XPS分析。对该晶面采用溴甲醇溶液进行腐蚀抛光,采用XRD回摆及光学显微镜对不同抛光时间的试样进行观测。结果表明,CGA晶体的(101)晶面在常温下采用溴甲醇溶液腐蚀50 s后,晶片表面光滑无划痕,并且具有半峰宽较小的回摆曲线,同时计算得到Cd Ge As2晶体的表面损伤层厚度。 相似文献
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Lead iodide single crystal was grown by physical vapor transport method.Two radiation detectors with different configurations were fabricated from the as-grown crystal.The electrical and y-ray response properties at room temperature of the both detectors were investigated.It is found that the dark resistivity of the detectors are respectively 3×1010Ω·cm for bias electric field parallel to crystal c-axis(E//c) and 2×108Ω·cm for perpendicular to crystal c-axis(E⊥c).The energy spectrum response measurement shows that both detectors were sensitive to 241 Am 59.5 keVγ-rays,and achieved a good energy resolution of 16.8%for the E⊥c-axis configuration detector with a full width at half maximum of 9.996 keV. 相似文献
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