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集成电路工艺目前已经发展到超深亚微米水平,静电放电危害变得更加突出。针对这一问题,首先介绍了基于CMOS工艺的静电放电保护电路结构及性能,并在此基础上讨论ESD电路的设计、仿真方法。这里以常用保护器件栅极接地NMOS(GGNMOS)为例,分析了尺寸参数对ESD保护性能的影响;同时给出了一个符合ESD保护性能要求的优化设计方案。器件采用TCAD软件Sentaurus进行工艺仿真和物理特性模拟,对设计给予了验证,结果显示在0.18μm工艺下本设计达到ESD防护指标。 相似文献
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利用ANSYS软件对真空灭弧室触头间的纵磁场进行分析,探讨了触头线圈截面尺寸对磁场强度的影响以及动触头与静触头之间的磁场分布情况.分析了磁通分布及电弧在磁场中的受力情况. 相似文献
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宁慧英 《仪表技术与传感器》2012,(1):108-110
在智能车自动寻迹系统中,自动寻线、避障及速度控制是智能车自动寻迹控制的基本功能。用于检测路径引导线的光电传感器阵列采用发光二极管和光敏电阻制作,检测车速和障碍物的功能则采用反射式红外光电传感器FS-359F实现,采用单片机STC12C5A60S2作为控制器,通过PWM控制方式对驱动电机进行调速,并根据路面和车速信息进行转向控制。试验表明,采用上述光电传感器的智能小车寻迹控制系统实现了智能小车沿路径引导线自动避障行驶。系统体积小、成本低、性能稳定可靠。 相似文献
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