耦合表象下求解电子自旋体系问题的再讨论

讨论了两个自旋为h/2的电子的能级,本征波函数的求解及粒子处于z轴上的概率问题.通过两种不同的的方法得到了粒子处于z轴负方向上的概率,加深了对耦合表象下两个电子自旋性质的掌握,拓宽了量子力学的理论计算的思路.     

Al金属多晶硅纳米膜欧姆接触的制作

利用低压化学气相淀积法（LPCVD）在表面有热氧化二氧化硅的（100）硅衬底上生长80nm厚多晶硅纳米膜,并对其界面进行表征.制作出单层Al金属的欧姆接触样品,在不同退火温度条件下对样片的电阻进行测量.结果表明,退火使欧姆接触的电阻率降低,接触电阻率可达到2.41×10-3Ω.cm2.     

钙和碳变质对AZ91D显微组织与性能的影响

镁合金的晶粒细化对于材质的金相组织和力学性能起着决定性作用．本课题通过在AZ91D中加入Ca和C2Cl6晶粒细化剂,分别研究了Ca,C对AZ91D组织以及力学性能的影响．利用熔剂保护法,制备了AZ91D标准拉伸试样,经过T4,T6处理后,采用金相显微镜（Olympus）、扫面电镜（SEM）和能谱分析仪（EDAX）对制备的试样进行了显微组织、断口形貌及成分进行了观察与分析,并测试了抗拉强度和布氏硬度．试验结果表明：经过显微组织和断口形貌观察,加入细化剂后形成Al4C3,有效的抑制了晶粒的长大,使晶粒得到细化,当Ca和C2Cl6复合应用时,使得AZ91D的晶粒细化更加明显,力学性能得到提高,抗拉强度最高达到216N／mm^2,布氏硬度值达到60HB．     

平板抗电磁辐射材料反射性能的研究及设计

给出了抗电磁辐射平板吸收材料的反射系数公式,并利用MATLAB软件进行了优化设计.设计结果表明,只要选取μ和ε较小值的电磁损耗平板材料就可以使频率在2-18GHz的电磁波的后向反射率达到5dB的工程要求.同时本文的研究和设计方法也为工程上材料的选择与设计具有很好的指导性.     

基于考虑磁倾角的SGRs和AXPs的高能辐射研究

基于伽玛射线辐射外间隙模型,计算SGRs和AXPs的高能γ射线辐射。在新模型中,考虑磁几何效应。用该模型计算SGRs和AXPs的γ射线光谱和光度并分析结果。最后用该模型对部分SGRs和AXPs可能的高能辐射进行计算。     

网格法在抗电磁辐射材料电磁参数匹配研究中的应用

利用matlab数学软件中的网格法对抗电磁辐射平板吸收材料的电磁参数匹配进行优化设计.通过设计和讨论,解决抗电磁辐射材料总后向反射率研究过程中,电磁参数、厚度、频率等参数过多导致的理论计算中的困难,较直观地给出多个参数之间的匹配规律.符合全貌分析方法的观点,从全局上考虑问题,减小单独讨论或者强调某一参量所带来的片面性影...     

基于嵌入式系统多媒体教学终端的设计

在分析现有的多媒体数字终端设备和嵌入式技术的基础上,提出多媒体数字终端的硬、软件体系结构。采用实时嵌入式技术能够使得多媒体教室系统实现低成本、高性能、可扩展,有着广泛的应用前景。     

金属基碳纳米管复合材料的研究及展望

将碳纳米管引入到金属中形成金属基碳纳米管复合材料,其硬度、强度、磨损性能、热稳定性能等都得到了提高,使得金属基复合材料在性能上又有了质的飞跃。综述了铜、铝、铁、镁金属及其合金的国内外发展应用现状,介绍了将碳纳米管引入到金属中制备金属基碳纳米管复合材料的方法,并对金属基碳纳米管复合材料的发展进行了展望。     

碳纳米管阵列的研究现状与发展

碳纳米管因为具有独特的性质成为各领域的研究热点,本文从碳纳米管阵列的应用、碳纳米管阵列的发展出发,介绍了碳纳米管阵列的主要制备方法化学气相沉积方法。     

多晶硅纳米膜欧姆接触特性的研究

采用LPCVD和PECVD方法制作单层金属铝的多晶硅纳米膜欧姆接触,并用X射线对其表征,说明铝膜具有多晶结构.在温度为450℃的条件下,分别对5 min、20 min和40 min的不同退火时间进行测试,得到在20 min时Ⅰ-Ⅴ特性曲线表现出好的欧姆接触,构成线性关系,方块电阻达1 kΩ,与接触电阻率相吻合,传输长度变到15 μm,接触电阻为30 Ω,说明电流的传导能力变强.