取代苯并噻唑类化合物的制备工艺

本专利公开了工业化制备取代苯并噻唑类化合物(1)的新工艺,取代苯并噻唑类化合物可作为制备医药或农药的中间体.具体合成方法如下:     

噻吩系列化合物

中间体专利工艺栏目介绍的是最新中间体专利信息,其内容大多选自近期出版的美国化学文摘(CA)等文献,如需专利原文者,请与编辑部联系。 电话:010-64444032-835 E-mail:shengy@cheminfo.gov.cn     

第一再生器装卸催化剂口过滤器的设计及应用

针对 2 5万t a催化裂化装置第一再生器装卸催化剂口频繁堵塞问题 ,设计并安装特制的过滤器 ,解决了因堵塞影响装置生产的难题     

编码开关在测试仪表电路中的应用

介绍数字拔码盘开关的种类、特点和基本原理，分别介绍在数字电路以及在模拟电路中的应用。     

机动武器系统的含间隙动力学研究--下篇:系统仿真

本文把中篇建立的间隙铰模型引入多体系统动力学分析中,得到了一种处理含间隙多体系统动力学问题的一般方法.应用这种方法对机动武器的发射过程进行了原理性的仿真,验证了前面建立的碰撞模型和间隙模型,并分析了间隙对导弹运动状态的影响.导弹发射过程具有变拓扑的特点,本文方法提供了一种处理这类问题的思路.     

退火对GaAs窗口晶体断裂模数的影响

LEC GaAs晶片经高温退火后，残余应力得以部分释放；从而减小残余应力诱生断裂的可能性，提高了GaAs晶体的断裂模数。原生GaAs晶片加工的样品的断裂模数平均值约为135MPa，经退火的GaAs晶片加工样品的断裂模数平均值更高，约为150MPa，断裂模数最高值达163MPa。     

注氢硅中微结构缺陷的TEM观察

通过透射电子显微镜观察到注氢硅片中存在损伤带，损伤带的位置和注人氢的分布几乎一致，推断损伤带是由于氢的注入引起的。损伤带内主要以平行于正表面的{111}面状缺陷为主，另外还有斜交于正表面的{111}面状缺陷以及{100}面状缺陷，这是由于氢朝能量低的位置的迁移聚集而形成的。在损伤带的中间还可见到晶格紊乱团块和空洞，这是由于损伤带中间存在高浓度的氢和高密度的面状缺陷面导致形成的。