正电子湮没率增强因子的一个讨论

关于增强因子的讨论方法各异。其中实用性较强的是Brandt和Reinheimer提出的含有增强因子的计算湮没率的经验公式     

变形铝正电子湮没实验结果的一个简单理论解释

Arponen等曾计算了铝中刃位错的正电子湮没效应,在理论上解释了Hautojarvi的变形铝正电子湮没实验,我们采用他们的理论方法,但简化了他们的位错模型,用空心柱孔模型计算了变形铝的正电子湮没效应,得到了与Arponen等结果一致、与Hautojarvi实验符合的结果,角关联曲线亦有所改善。计算结果表明:1)在凝胶模型的意义下,若晶体中存在半径为0.93A的空心柱孔,就将给出与Hautojarvi实验符合的结果;2)Arponen等的模型中的位错弹性理论部分对角关联曲线的计算意义不大。我们看到,一方面位错中心对正电子的捕获可能是较强的,因而对总的湮没效应贡献很大;另一方面也存在着变形铝正电子湮没效应是由一系列微空位所贡献的可能性。     

Electronic structure of C60 adsorbed on Ag(111) surface and its STM images

The electronic structure of C₆₀ adsorbed on Ag(111) surface have been calculated by using Discrete Variational-Local Density Functional method(DV-LDF).The STM images have been obtained by calculating the charge density distributions of the system,which based on the Tersoff-Hamann theory.The results show that there is 2.32e transfer from Ag cluster surface to C₆₀.The STM images are sensitive to the polarity of external electric field.In the positive bias voltage case,there is three five-membered rings around the topmost in the calculated charge distribution of LUMO and it reflects the symmetry of adsorbed molecular.This means that the tunneling current come mainly from the single bond.However,in the negative bias case,the STM image show that the topmost six-membered ring is highlighted with a center hole just like a doughnut.We find a good agreement between the STM images observed and the calculated charge distributions of HOMO and LUMO.     

空位型缺陷对正电子的局域及其与缺陷宽度的依赖特性

晶体中空位型缺陷提供了一个正电子捕获势阱,我们以铝为例,计算和讨论了几种不同形式的二维柱对称势阱对基态正电子的局域、湮没及其与缺陷宽度的依赖特性,得到的结论是:1)对取值有界的缺陷势阱,随缺陷宽度变化总存在使得正电子波函数局域在缺陷中心最强的尺寸R_l;2)正电子湮没寿命随缺陷宽度变化的曲线在大于R_l以后才开始明显出现饱和效应;3)中空类型缺陷当其宽度大于一定尺寸R_s以后出现表面效应,R_s远大于R_l;4)存在着下列不等式:R_(s晶界)相似文献   

能带真空中若干问题的讨论

§1.能带真空的背景场强 Bitar和Chang在讨论纯杨-米尔斯场的真空隧道效应时,论证了过渡的主要贡献来自最可几逃逸路径(简称MPEP),可把SU(2)规范场的拉氏量及哈氏量通过单一参量λ表示为     

关于半子物理意义的一点注记

半子解是规范场理论中拓扑量子数为半整数的一类经典解。V.de Alfaro、S.Fubini和G.Furlan等人在欧氏空间和闵氏空间得到了单半子解、半子——半子解和半子——反半子解。我们希望探讨一下半子解具有什么样的物理含义。看SU(2)的杨一米尔斯规范理论,先     

C60在Ag(111)表面的STM图像理论模拟

本文利用离散变分和局域密度泛函（ＤＶ－ＬＤＦ）方法,通过计算Ｃ６０／Ａｇ（１１１）的电荷密度分布图,即模拟出该体系的ＳＴＭ图像,并详细地研究了体系的电子结构,结果表明,该体系中有２．３２ｅ自金属表面Ａｇ原子向Ｃ６０转移。外电场的极性对图像影响委 正偏压情形,ＬＵＭＯ电荷密度分布图为三个五边形围成则呈三叶状,反映的是体系中吸附分子的对称性,且隧道电流主要来自单键。而ＨＯＭＯ电荷密度分布图具有三重对称     

介子束缚态方程及介子的电磁形状因子

在层子模型中,介子是层子—反层子束缚态。相对论性地研究束缚态的方法主要是利用Bethe-Salpeter方程(简称B-S方程)。在唯象理论中需假定一个唯象势,不同的作者曾探讨过多种唯象势,例如:汤川势,但它的零点奇异性使得到的介子太“瘦”。为克服零点奇异性,引入规则化项或切割,即把汤川势换成两个汤川势之差,但这样给出的介子半径仍然太小,把汤川势对u~2作v次微商而得的v势,仍给不出大的介子半径。另外还有四维谐振子势等。从物理要求出发,我们尝试提出了一个近平底     

正民子湮没的温度特性

我们试图改进通常捕获模型在常温下所得到的结果.在低温下研究正电子捕获特性有一定的意义.我们由近似关系式     

磁单极与旋量场束缚系統

一自′Hooft得到SU(2)磁单极解,就一直有人尝试找磁单极与旋量场的束缚态解。这问题的意义在于探索旋量场(例如夸克)被磁单极禁闭的可能;另方面通常认为磁单极很重,如果它与旋量场的束缚态能有较轻的质量,也许会对磁单极的探测有所俾益。 Swank等在不考虑Higgs场与旋量场有直接耦合时证明了不存在磁单极与旋量场的束缚态。但是,如果引入Higgs场与旋量场的直接耦合,情况会怎么样呢