不同粒径磨料对蓝宝石晶片及其抛光过程的影响

采用不同粒径的W28和W7碳化硼(B_4C)磨料对蓝宝石晶片进行研磨和化学机械抛光。研究了不同粒径的B_4C磨料对蓝宝石晶片研磨和化学机械抛光后的移除率、粗糙度、平坦度、弯曲度、翘曲度等参数的影响。结果表明:W28和W7的磨料有不同的研磨和抛光性能,在相同的加工条件下,使用W28的B_4C磨料,移除速率较快,但研磨所得蓝宝石晶片的损伤层较深,单面抛光20μm不足以去除其损伤层,抛光后表面划痕较多,粗糙度较大(R_a=1.319 nm,R_t=2.584 nm),表面有明显起伏;而W7磨料的移除速率慢,研磨时间长,在单面抛光移除20μm后其损伤层全部移除,抛光所得蓝宝石晶片平坦度略佳,抛光表面平整,粗糙度较小(R_a=0.194 nm,R_t=0.361 nm),无明显起伏,表面质量相对较高,适于精修平坦度。     

共沉淀法制备Tb_3Sc_2Al_3O_(12)纳米粉体的研究

采用共沉淀法制备TSAG纳米粉体,确定粉体制备的最佳工艺条件。以NH_4HCO_3为沉淀剂,通过反滴定法获得了TSAG前驱体,通过TG-DSC,XRD,FTIR和SEM测试手段对不同温度和不同保温时间下煅烧的粉体进行了表征。结果表明:前驱体在800℃时为非晶态,在800℃~900℃之间形成中间晶相TbScO_3和TbAlO_3,1200℃下煅烧6h得到TSAG粉体,所得到的TSAG纳米粉体纯度高、粒径分布均匀,晶粒尺寸约50nm。     

掺钕钇铝石榴石纳米粉体的合成与表征

采用碳酸盐共沉淀法制备掺钕钇铝石榴石纳米粉体,利用XRD、SEM和荧光光谱等测试手段分析了钕钇铝石榴石纳米粉体的物相结构和光谱特性。结果表明:在1100℃和pH=7时,合成质量较好的YAG纳米粉体,颗径尺寸大约为80nm。在508cm~(-1)、566cm~(-1)、690cm~(-1)、720cm~(-1)、785cm~(-1)附近的一系列吸收峰均为YAG中晶格振动与光子相互作用所引起的,在808nm激发下获得了最佳掺杂浓度。     

冷媒技术在防爆变频器上的应用

介绍了空冷防爆变频器产生的原因,比较了防爆变频器的两种散热形式,并对防爆变频器的用途作了详细介绍。     

不同粒径磨料对蓝宝石晶片及其抛光过程的影响EI北大核心CSCD

采用不同粒径的W28和W7碳化硼（B4C）磨料对蓝宝石晶片进行研磨和化学机械抛光。研究了不同粒径的B4C磨料对蓝宝石晶片研磨和化学机械抛光后的移除率、粗糙度、平坦度、弯曲度、翘曲度等参数的影响。结果表明：W28和W7的磨料有不同的研磨和抛光性能,在相同的加工条件下,使用W28的B4C磨料,移除速率较快,但研磨所得蓝宝石晶片的损伤层较深,单面抛光20μm不足以去除其损伤层,抛光后表面划痕较多,粗糙度较大（Ra=1.319 nm,Rt=2.584 nm）,表面有明显起伏;而W7磨料的移除速率慢,研磨时间长,在单面抛光移除20μm后其损伤层全部移除,抛光所得蓝宝石晶片平坦度略佳,抛光表面平整,粗糙度较小（Ra=0.194 nm,Rt=0.361 nm）,无明显起伏,表面质量相对较高,适于精修平坦度。     

溶胶凝胶法制备TGG纳米粉体与结构研究

采用溶胶凝胶法制备TGG纳米粉体,利用XRD、TG-DSC、IR和SEM等测试手段分析了TGG纳米粉体的物相结构。结果表明:TGG纳米粉体属于立方晶系,在1000℃和1100℃下烧结的样品,颗径尺分别为80nm和100nm。1000℃附近出现的失重是因为发生了相变过程,生成了TGG晶相,通过红外光谱和拉曼光谱对TGG粉体的振动模式进行了归属。