Λ—插值样条的基样条及其应用

与四阶微分算子∧=D~4+α_3(x)D~3+α_2(x)D~2+α_1(x)D+α_0(x)相联系的样条称之为四阶A——样条。本文主要讨论插值的∧——样条中基样条的一些性质。继而作为其应用,考虑了二维的乘积型∧——插值样条及其对二元函数的逼近度。     

关于七次缺插值样条

本文用[4]的方法,讨论了七次缺插值样条,它是[1]、[2]的一种推广我们得到了有关渐近式,逼近阶及饱和度的结果。[1]—[3]讨论了五次缺插值问题,而[4]对它提出了一种分析方法,用这种方法来进一步讨论高次的缺插值问题是成功的,本文就是用这种方法讨论七次的问题,可以得到它的一些渐近式、逼近阶及饱和度的若干结果我们所讨论的七次样条 S_n(x)它满足下列条件:     

一个等距的三次样条

设△:a=x_0相似文献   

关于S_3~1插值(Ⅰ)

设D是矩形[a,b](?)[c,d],Δ_(mn)~(2)是它的Ⅱ-型三角剖分,本文是继续作者[1]的工作,讨论S_3~1(Δ(mn)~(2))的插值及逼近性质。     

Cu2ZnSnS4/Bi2FeCrO6半导体异质结的脉冲激光沉积法制备及其光电性能

为充分发挥无机铁电氧化物双钙钛矿Bi2FeCrO6(BFCO)的光电特性,选择P型半导体化合物Cu2ZnSnS4(CZTS)作为空穴传输层与BFCO结合,构建半导体异质结.采用脉冲激光沉积法(PLD)制备得到上述两种多元化合物薄膜,SEM,AFM,EDS及XRD测试结果可证明所得产物形貌均匀致密、且符合化学计量比;原位逐层沉积技术可以抑制异质结界面缺陷和杂质的产生.着重研究了沉积温度及不同基底对薄膜性能的影响.采用基于可见光吸收谱的测试和Tauc方法分别估算BFCO和CZTS薄膜的禁带宽度,结果分别为2.23 eV和1.49 eV.研究结果表明:该异质结具有良好的整流特性;当电场强度在0.5 kV/cm到2.0 kV/cm之间时,结构漏电机制符合Schottky发射模型.     

某些求和过程中的吉卜斯现象

本文主要讨论一类对数求和过程中的吉卜斯现象,其次还讨论了另一类求和过程的性质。     

用插值算子解FIF反问题

１．引言 记区间Ｉ＝［０,１］,Ｎ是某给定的正整数,ｘｊ＝ｊ／Ｎ,ｊ＝０,１,…,Ｎ,又给定实函数Ｙ．令 ｛ Ｌｎ（ｘ）＝ Ｎ ＋ Ｎ, Ｆｎ（ｘ,ｙ）＝ｄｎ－１ｙ＋ｈＹ（Ｌｎ（ｘ））－ｄｎ－１Ｙ（ｘ）ｂｎ＝１,２…．Ｎ．（１,１） 其中 （１）ｈＹ（ｘ）∈Ｃ（Ｉ）,满足插值条件：ｈＹ（ｘｊ）＝Ｙ（ｘｊ）,ｊ＝０,１;…,Ｎ （２）ｂｙ（ｘ）∈Ｃ（Ｉ）,满足条件：ｂＹ（ｘ０）－Ｙ（ｘ０）,ｂＹ（ｘＮ）＝Ｙ（ｘＮ）; （３）实数列｛ｄｉ｝Ｎ－１ｉ＝０满足｜ｄｉ｜＜１,Ｖｉ． 定义 Ｗｕ （ｘ,ｙ）＝（Ｌｎ（ｘ）…     

关于张力样条的插值问题

本文首先讨论了二类张力样条的基底性质。然后利用格林函数的方法,研究其逼近性质。     

永磁直流电机的磁场分布公式和特性公式(一)

永磁电机在目前已得到了广泛地使用和发展。在小于10瓦的直流微特电机中永磁电机占99%,在小于500瓦的直流微特电机中占92%。本文主要介绍经实际测量获得永磁直流电机气隙磁场分布离散型有限点的数据或连续型曲线之后,由此建立起永磁直流电机的气隙磁场分布公式。再从这些公式出发得出下列内容:(1)建立永磁直流电机的瞬时感应电势公式,求出感应电势的平均值和有效值。     

ECT系的一个特征

假{u_i)_0~(n 1)(n≥2)是[a,b]上的ECT系,我们考虑用{u_i}_0~n线性组合来逼近u_(n 1),记它的最佳逼近为u_* 即有本文证明了定理|(u_(n 1)-u_*(a)|=|(u_(n 1)-u_*)(b)|=‖u_(n 1)-u_*‖设{u_i}_0~n是有限区间[a,b]上的ECT系(定义见[1]),若u_0,u_1,…,u_n都属于C~n_[a,b]且满足初始条件: u_k~(p)(a)=0,p=0,1,…,k-1,k=1,2…,n,那末有(见[1]第379页定理1.2) u_0(t)=w_0(t)其中W_i(t)(i=0,1,…,n)是在[a,b]上严格正,且属于C_([a,b])~(n-i),本文讨论上述形式的ECT系。设f∈_([a,b]),用{u_i}_0~n的线性组合来逼近f,大家知道这样的最佳逼近总是存在,唯一的。我们记这个最佳逼近多项式为u_*(t)。则