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利用磁控溅射法在不同基底偏压条件下制备了CrN/Si3N4纳米多层膜,分别用X射线衍射仪、原子力显微镜及纳米压痕仪表征多层膜的微观结构及力学性能,结果表明,衬底偏压对CrN/Si3N4纳米多层膜微观结构、界面结构、硬度和磨损性能有重要影响。漂浮电位时多层膜界面粗糙,CrN呈(200)、(111)共同生长,硬度和弹性模量低,有偏压且变化时界面宽度和粗糙度变化不大,硬度和模量变化的主要原因是不同衬底偏压下的晶格畸变导致两层材料弹性模量变化和晶粒尺寸变化。基底偏压的优化有助于改善涂层的屈服应力和断裂韧性。 相似文献
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在已有PbWO4晶体势参数的基础上，根据势参数的可转移性，用GULP软件拟合出PbMoO4（PMO）晶体的势参数．利用这些参数计算了PMO的晶格生成能、本征缺陷生成能和缺陷簇的结合能．计算结果表明，Vo^2＋-VPb^2-空位对和F心是PMO晶体中的本征缺陷，并以[Vo^2＋-VPb^2-]空位对和[Vo^2＋ ＋2e]的形式实现电荷补偿． 相似文献
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