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数字信号光耦合器应用电路设计 总被引:1,自引:0,他引:1
较强的输入信号可直接驱动光耦的发光二极管,较弱的则需放大后才能驱动光耦。在光耦光敏三极管的集电极或发射极直接接负载电阻即可满足较小的负载要求;在光耦光敏三极管的发射极加三极管放大驱动,通过两只光电耦合器构成的推挽式电路以及通过增加光敏三极管基极正反馈,既达到较强的负载能力,提高了功率接口的抗干扰能力,克服了光耦的输出功率不足的缺点,又提高光耦的开关速度,克服了由于光耦自身存在的分布电容,对传输速度造成影响。最后给出了光耦合器在数字电路中应用示例。 相似文献
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分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。 相似文献
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Si基氨化ZnO/Ga2O3薄膜制备GaN纳米线 总被引:1,自引:0,他引:1
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上溅射ZnO中间层和Ga2O3薄膜,然后在管式炉中常压下通氨气对ZnO/Ga2O3薄膜进行氨化,高温下ZnO层在氨气气氛中挥发,而Ga2O3薄膜和氨气反应合成出GaN纳米线.X射线衍射测量结果表明利用该方法制备的GaN纳米线具有沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿结构.利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、傅里叶红外透射谱、能量弥散谱及选区电子衍射观测并分析了样品的形貌、成分和晶格结构.研究发现ZnO层的挥发有利于Ga2O3和NH3反应合成GaN纳米线. 相似文献
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1 INTRODUCTIONGallium nitride (GaN) is one of the most po tential semiconductors. GaN has a direct energyband gap of 3.4 eV at room temperature and highexternal photoluminescence quantum efficiency, aswell as a high excitonic binding energy of20 meV[1]. It is an ideal material for fabrication ofultraviolet(UV)/blue/green light emitting diodes(LEDs), laser diodes(LDs), UV detectors and de vices operating in high temperature, high frequen cy and high power co… 相似文献
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为了进一步减小儿童被锁车内窒息而亡事件的发生几率,本文设计了一种车内智能防窒息监测与报警系统。此系统涵盖了监测、执行、报警等几大模块,在传感监测装置完成对车辆行驶状态、车内是否存在滞留人员等指标判断的基础上,当二氧化碳浓度与温度传感器监测到异常时,通过GSM模块向监护人下发预警短信、单片机控制步进电机自动开启车窗等手段,实现准确判断、实时监控、及时报警功能,从而确保儿童在危险情况下能够获救。 相似文献
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笔者最近从中国农业科学院特产研究所了解到,中国目前已成为世界上最大的珍贵毛皮动物饲养国,饲养总量达六千余万只,其中水貂三千余万只,狐狸二千余万只,貉一千余万只。 相似文献
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用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)平面上生长ZnO薄膜.X射线衍射(XRD)在2θ=34°处出现了唯一的衍射峰,半高宽为0.75°;傅里叶红外吸收(FTIR)在414.92cm-1附近出现了对应Zn-O键的红外光谱的特征吸收峰;光致发光(PL)测量发现了位于370和460nm处的室温光致发光峰;扫描电子显微镜(SEM)和选区电子衍射(SAED)显示了薄膜的表面形貌以及晶格结构.利用PLD法制备了具有c轴取向高度一致的六方纤锌矿结构ZnO薄膜. 相似文献
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采用电泳沉积法在Si(111)衬底上制备GaN薄膜,并研究退火温度对GaN薄膜晶体质量、表面形貌和发光特性的影响。傅立叶红外吸收谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)的测试结果表明所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜,随退火温度的升高,晶粒尺寸增大,结晶化程度提高。室温下光致发光谱的测试发现了位于367 nm处的强发光峰和437 nm处的弱发光峰,其发光强度随退火温度的升高而增强,但发光峰的位置并不发生移动。 相似文献