光声耦合与光子Cooper对

文中研究了光声耦合所导致的光子Cooper对的形成机制，计算了光子Cooper对的能隙（0.01eV）和尺度（10^-5m)以及内禀角动量（奇数），并简要讨论了几十开低温下介质中光的超流效应的可能性。由于在低温下， 光子Cooper对不容易受到热运动的激发，因此有可能存在光的超流现象。     

氮气氛中高温热处理硅片表面的直接氮化

研究了直拉硅单晶片在氮气氛下热处理时的表面氮化,利用了XPS(X射线光电子谱)、SEM(扫描电子显微镜)、金相显微镜、XRD(X射线衍射仪)等手段研究了在高纯氮和非高纯氮保护条件下不同温度热处理后的样品表面,结果发现只有用高纯氮保护和温度高于1100℃的条件下,氮气才能与硅表面发生反应,生成氮化硅(Si3N4)薄膜,否则氮保护中微量的氧气会和硅表面发生反应,生成二氧化硅(SiO2)薄膜.     

LaPO_4:Ce~(3+),Tb~(3+)/YBO_3纳米核/壳复合结构的制备与发光性能

采用水热法+溶胶凝胶法两步合成工艺制备LaPO4:Ce3+,Tb3+(LAP)/YBO3纳米核/壳复合结构,并利用X射线衍射、透射电子显微镜对样品的结构、形貌进行了表征。荧光光谱分析表明,该纳米复合结构大幅度提高了发光效率,可能是由于YBO3壳层材料降低了LAP纳米荧光粉的表面缺陷和表面复合,使得非辐射跃迁几率增加;同时核壳摩尔比对发光效率具有重要的影响,当核/壳摩尔比为6∶1时,发光效率比LAP纳米荧光粉提高近58%。     

空心和多孔Y2O3:Eu3+微球的超声喷雾热解法可控合成及其光致发光性能

以蔗糖或柠檬酸为辅助剂,通过改变超声喷雾热解期间雾滴中溶剂的蒸发方式和溶质聚集状态,进行空心和多孔Y₂O₃:Eu³⁺微球的可控合成。探究了辅助剂的种类和比例对微球形貌的影响,提出了空心和多孔Y₂O₃:Eu³⁺微球形成机制,并分析了空心和多孔Y₂O₃:Eu³⁺微球的晶体结构及光致发光性能。结果表明：Y₂O₃:Eu³⁺微球组分均匀,仍保留立方Y₂O₃结构;添加蔗糖后可获得中空结构,添加柠檬酸则为多孔结构,这归因于添加的蔗糖在雾滴干燥时络合成膜,水分透过膜蒸发,溶质沉积在膜内壁形成空心球壳,而添加的柠檬酸则与溶质形成均匀的螯合物,在高热解温时产生大量原位介孔;空心和多孔Y₂O₃:Eu³⁺微球均在611 nm处表现出典型的红光...     

蒲公英状ZnO纳米结构的水热自组装及表征

以柠檬酸为络合剂，在250℃成功地制备出新颖的蒲公英状氧化锌纳米结构。采用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）和紫外可见光谱（UV-vis）等手段对产物晶体结构、形貌、光学和电学性能进行了表征，结果表明产物是由无数的氧化锌纳米薄片围绕某中心自组装而成的蒲公英状纳米结构，禁带宽度（E6）约为3．61eV，并对该纳米结构的自组装机理做了初步探讨。     

流态床CVD法纳米氮化硅粉体的制备

采用硅烷和氨气在立式双温区流态床中化学气相沉积, 制备了形状规则的球状无定形氮化硅纳米粉体, 并利用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和傅立叶红外(FTIR)研究了该纳米粉体的 形貌、成分和物相. 讨论了该流态床法制备纳米氮化硅的关键因素, 并得到流态床中制备氮化硅纳米粉体的优化工艺参数.     

LaPO4：Ce^3＋，Tb^3＋／YBO3纳米核／壳复合结构的制备与发光性能

采用水热法＋溶胶凝胶法两步合成工艺制备LaPO4：Ce^3＋,Tb^3＋／YBO3纳米核／壳复合结构,并利用X射线衍射、透射电子显微镜对样品的结构、形貌进行了表征。荧光光谱分析表明,该纳米复合结构大幅度提高了发光效率,可能是由于YBQ壳层材料降低了LAP纳米荧光粉的表面缺陷和表面复合,使得非辐射跃迁几率增加;同时核壳摩尔比对发光效率具有重要的影响,当核／壳摩尔比为6：1时,发光效率比LAP纳米荧光粉提高近58％。     

氮气氛中高温热处理硅片表面的直接氮化

研究了直拉硅单晶片在氮气氛下热处理时的表面氮化,利用了XPS(X射线光电子谱)、SEM(扫描电子显微镜)、金相显微镜、XRD(X射线衍射仪)等手段研究了在高纯氮和非高纯氮保护条件下不同温度热处理后的样品表面,结果发现只有用高纯氮保护和温度高于110 0℃的条件下,氮气才能与硅表面发生反应,生成氮化硅(Si3 N4 )薄膜,否则氮保护中微量的氧气会和硅表面发生反应,生成二氧化硅(SiO2 )薄膜.     

锡酸镧(La2Sn2O7)花状纳米结构的水热合成及表征

采用简单、中性的水热法成功地制备了锡酸镧（La2Sn2O7）花状纳米结构,并采用X射线衍射（XRD）、透射电镜（TEM）和漫反射光谱（DRS）等手段对产物的晶体结构、形貌和光学性能进行了分析。结果表明：所得产物为单相烧绿石结构的锡酸镧,并呈现由纳米杆组成的花状纳米结构,纳米杆的直径和长度分别约为20 nm和150nm。由分析DRS光谱可得,锡酸镧花状纳米结构的禁带宽度约为3.85 eV,并对该花状纳米结构的形成机理进行了初步探讨。     

氮化硅薄膜制备和生长动力学研究进展

综述了氮化硅在微电子中的应用、制备，阐述了用氮气直接氮化的影响因素、膜生长的机理和动力学，以及未来的研究方向。