排序方式: 共有46条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
2.
3.
4.
5.
6.
双离子束溅射沉积二氧化硅薄膜 总被引:1,自引:1,他引:0
利用双离子束溅射沉积技术,在锗、硅、K9玻璃、不锈钢基底上沉积了二氧化硅薄膜。考察了不同束辐照条件下二氧化硅薄膜的电阻率、折的率、红外吸收谱和显微组织结构。 相似文献
7.
一维光子晶体缺陷模的光谱特性与缺陷模的结构紧密相关.当缺陷模中包含有多个缺陷时,将导致光子禁带中出现多个分立的缺陷能级,形成多个透射光通道.利用一维光子晶体缺陷模这一光谱特性设计了红外谱段的三通道光子晶体器件. 相似文献
8.
离子束辅助沉积和真空退火对硫化锌薄膜应力的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
在硅基底上用电子束蒸发方法制备了硫化锌薄膜.通过XRD和薄膜应力测试仪研究了离子束辅助沉积和真空退火对硫化锌薄膜应力的影响规律.结果表明,未采用离子辅助技术制备的硫化锌薄膜为压应力,平均应力值为110.6 MPa,当采用离子束辅助工艺时硫化锌薄膜的压应力增加了62.3MPa.真空退火使硫化锌薄膜的平均应力大约降低了二分之一.硫化锌薄膜的微观结构变化是影响薄膜应力的主要因素. 相似文献
9.
激光武器的迅速发展使得激光防护技术研究成为必要,目前,破坏卫星上的遥感仪器是激光反卫星的一个主要可能途径。为了有效防护星载遥感仪器,利用光学薄膜方法,可以对氧碘激光进行防护的薄膜,在不影响遥感仪器正常工作的条件下,可将遥感仪器的激光损伤或致盲阈值提高80倍,大幅度提高了遥感仪器的生存能力。 相似文献
10.
离子束轰击对电子束蒸发制备二氧化钛薄膜应力的影响 总被引:1,自引:2,他引:1
在硅基底上用电子束蒸发方法制备了二氧化钛薄膜.通过XRD、AFM和薄膜应力测试仪研究了离子束轰击对薄膜应力的影响规律.结果表明沉积温度为323K、沉积速率为0.2nm·s-1时,二氧化钛薄膜具有较小的应力值,平均应力为48.2MPa.用能量为113eV的离子束轰击300s时,平均应力由72.9MPa的张应力变为16.7MPa的压应力.二氧化钛薄膜的微观结构变化是影响薄膜应力的主要因素. 相似文献