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绝缘体上硅锗是近年来受到人们广泛关注和研究的新型微电子材料,它以其独特的全介质隔离结构,可为研发新型的超高速、低功耗、抗辐射、高集成度硅基器件和芯片提供一种新的解决方案,有希望成为突破体硅器件的物理极限、在深亚微米超大规模集成电路芯片主流技术中获得广泛地应用。介绍了我们制备绝缘体上硅锗薄膜的方法和结果。 相似文献
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本文研究了负P表示光场的非经典特性,研究发现,在任何情况下负P表示非经典光场不具有压缩的性质,但当场参数m和平均光子数^-n满足一定的关系时存在亚泊松分布和反聚束效应。 相似文献
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近年来,国家助学金工作越来越受到社会的普遍关注,在整个助学金工作过程中各种问题日益突出。本文以我校为例对各年级助学金申请率进行了数据分析,发现大四学生助学金申请率大幅提高,并对该现象产生的原因进行了分析和讨论,提出了相应的解决方案与建议。 相似文献
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根据Pegg—Bamett的量子相位理论,研究了负P表示的非经典光场的相位特性和相位的涨落。研究结果表明,负P表示的非经典光场是相位完全随机态,相位算符的涨落为π^2/3. 相似文献
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