利用MOS—C的C—t瞬态特性快速计算少数载流子寿命

本文从分析 MOS—C 瞬态过程中电荷分配关系和 Zerbst 基本方程出发,利用精确的体产生宽度公式,导出了一个简便的直接计算少数载流子寿命τ_(?)的方法。所得结果在硅平面工艺中用来监控寿命值的变化是有效和方便的。     

高迁移率GaAs外延片制备的研究

提出了在ＧａＡｓ液相外延过程中，采用生长高纯度缓冲层、高温烘烤生长系统以及回熔衬底片等工艺，获得具有电参数ｎ＝１０１６～１０１７ｃｍ－３，μ＝４～５×１０３ｃｍ２／ｖ·ｓ（３００Ｋ）的ＧａＡｓ液相外延片．总结出生长高迁移率ＧａＡｓ外延片的制备方法．     

ZQ正向饱和压降的研究

通过理论分析和实验研究,找出了影响 ZQ 正向饱和压降的主要因素,提出了改进 ZQ 正向饱和压降的可行性措施:减薄高阻区厚度,提高合金温度等.取得了较显著的效果.     

用Te,Sn双掺杂改善GaAs液相外延层载流子浓度纵向分布均匀性

探索用Ｔｅ，Ｓｎ双掺杂实现掺杂剂分布正负梯度互补改善杂质纵向分布均匀性的外延工艺，讨论了有关问题，报道了主要结果。     

高迁移率GaAs外延片制备的研究

提出了在GaAs液相外延过程中，采用生长高纯度缓冲层，高温烘烤生长系统以及回熔衬底片等工艺，获得具有电参数n-10^16-10^17cm^-3，u=4-5*1-^3cm2/v.s(300K)的GaAs液相外延片，总结出生长高迁移率GaAs外延片的制备方法。     

化学方法实现GaAs表面Cu的沉积

用一种简单的化学方法在ＬＥＣ ＧａＡｓ晶体表面实现了Ｃｕ的沉积，沉积的Ｃｕ层均匀性、牢固性良好，厚度达到无限源扩散的要求。本文介绍了化学镀铜液的配制及镀铜工艺，并对化学镀铜的机理进行了讨论。     

砷化镓液相外和廷片均匀性的研究

介绍了在ＧａＡｓ液相外廷过程中，通过改变源溶液的配比及处理方法、外廷生长温度、降温速率、石墨舟的结构等工艺条件，制做出厚度均匀、掺杂浓度分布均匀的ＧａＡｓ外廷片，并确定了比较好的生长工艺条件。这对生长高质量的ＧａＡｓ外廷片制做参数一致性好，可靠性高的化合物半导体器件有一定实际意义。     

砷化镓液相外延片均匀性的研究

介绍了在ＧａＡｓ液相外延过程中，通过改变源溶液的配比及处理方法、外延生长温度、降温速率、石墨舟的结构等工艺条件，制做出厚度均匀、掺杂浓度分布均匀的ＧａＡｓ外延片，并确定了比较好的生长工艺条件．这对生长高质量的ＧａＡｓ外延片及制做参数一致性好、可靠性高的化合物半导体器件有一定实际意义．     

清洁验证风险分析---应用典型风险管理流程图进行清洁验证风险分析工作

近年来，制药行业中很多规范和指南都对清洁验证提出了最新的验证标准，比如中国GMP2010年版提出清洁验证前应进行风险评估，同时也明确对清洁验证提出了很多最新的要求；2010年9月国际制药工程协会（ISPE）基准指南第七卷中第七章提出对清洁工艺进行风险评估；2010年美国注射剂协会（PDA）出版第49号技术报告第十章也提出清洁验证要进行风险管理。一个良好的清洁验证风险分析绝不仅仅用于清洁验证，还可以指导工艺设备的操作使用、清洁、维护保养和清洁程序的日常监控。