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ＣｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎｏｆＧａＳｂＦｉｌｍｓｂｙＭｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｕｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎＬｉＳｈｕｗｅｉ，ＺｈａｎｇＢａｏｌｉｎ，ＪｉｎＹｉｘｉｎ，ＺｈｏｕＴｉａｎｍｉｎｇ，（李树玮）（张宝林）（金亿鑫）（周... 相似文献
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HFCVD法制备SiC材料及室温光致发光 总被引：1，自引：0，他引：1
利用热丝化学气相沉积法(HFCVD)以CH4和SiH4作为反应气体在Si衬底上制备了SiC薄膜。用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收谱(FTIR)等手段对样品进行了结构和组分分析，分析结果表明已经在Si衬底上制备了SiC薄膜。对所制备的SiC薄膜进行了光致发光测试，在室温下观察到了薄膜峰值位于417nm和436nm的较强的可见光发射，认为这两个相近的蓝光发射起源可能是光激发载流子从SiC晶粒核心激发．然后转移到SiC晶粒表面发光中心上的辐射复合。 相似文献
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采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在InP衬底上外延生长In0.82Ga0.18As.研究生长温度对In0.82Ga0.18As表面形貌、结晶质量和Ⅲ族源铟镓比的影响.扫描电子显微镜观察样品的表面形貌.X射线衍射用于表征材料的组分和结晶质量.结果表明,生长温度强烈地影响In0.82Ga0.18As材料的表面形貌和结晶质量.样品的表面形貌随生长温度的增加由典型的2D生长模式过渡到3D生长模式.X射线衍射曲线半峰全宽为1224、1454、2221、2527 S,分别对应于生长温度为410、430、450、470℃四个样品.此外,Ⅲ族源铟镓比值也随生长温度的增加从0.42增大到4.62. 相似文献
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1 ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＩｎｒｅｃｅｎｔｙｅａｒｓ ,ｔｈｅｒｅｈａｓｂｅｅｎｃｏｎ ｓｉｄｅｒａｂｌｅｉｎｔｅｒｅｓｔｉｎｔｈｅｑｕａｔｅｒｎａｒｙＧａＩｎＡｓＳｂａｌｌｏｙｓｙｓｔｅｍｆｏｒｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒｓ ,ｗｈｉｃｈｈａｖｅａｖａｒｉｅｔｙｏｆｃｏｍｍｅｒｃｉａｌａｐｐｌｉｃａ ｔｉｏｎｓｉｎａｉｒｐｏｌｌｕｔｉｏｎ ,ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌｐｒｏｃｅｓｓｃｏｎｔｒｏｌ,ａｕｔｏｍｏｂｉｌｅｅｍｉｓｓｉｏｎｍｏｎｉｔｏｒｉｎｇ ,ａｎｄｆｕｔｕｒｅｌｉｇｈｔｗａｖｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔ… 相似文献
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用电泳法将碳纳米管分别淀积到图形的和平面的ITO(铟锡氧化物)电极上作为场发射阴极并比较性的研究了它们的场发射特性.实验结果显示,相对于平面的衬底电极,斑条的ITO电极能够有效的改善碳纳米管的场发射特性.通过电场的数值计算,场发射特性的改善起源于斑条的ITO电极自身的表面电场增强引起了碳纳米管表面电场的两级放大.采用图形化衬底电极去制备碳纳米管阴极是改善碳纳米管场发射特性的一个简单、有效途径. 相似文献
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Growth of Ga_xIn_（1－x）Sb Alloys by MOCVD—Solid Composition Surface Morphology and Electrical Propert
ＧｒｏｗｔｈＯｆＧａ＿ｘＩｎ＿（１－ｘ）ＳｂＡｌｌｏｙｓｂｙＭＯＣＶＤ—ＳｏｌｉｄＣｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎＳｕｒｆａｃｅＭｏｒｐｈｏｌｏｇｙａｎｄＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓＺｈａｎｇＢａｏｆｉｎ，ＺｈｏｕＴｉａｎｍｉｎｇ，ＪｉａｎｇＨｏｎ... 相似文献
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用扫描电镜继续对发光多孔硅的阴极射线发光进行了系统的研究,得到了其阴极荧光发射部位、强度分布显微照片,发现在样品的表面层脱落处（暴露着多孔层大量微孔）无阴极射线发光产生,只有表面层未脱落处才有阴极射线发光;对样品的截面实验研究同样清楚地表明多孔硅样品的阴极射线发光只来源于其表面层,多孔层、硅单晶衬底区域不发生阴极射线发光．实验还提供了阴极射线发光强度在截面上随深度变化情况显微照片．阴极射线发光光谱表明其光谱峰值位置在680nm处,相似于多孔硅的光致发光．实验结果再次表明多孔硅的可见光来源于其表面层中的荧光物质． 相似文献
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ＣｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎａｌＤｅｐｅｎｄｅｎｃｅｏｆＳｕｒｆａｃｅＭｏｒｐｈｏｌｏｇｙａｎｄＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＧａＩｎＡｓＳｂＡｌｏｙｓＧｒｏｗｎｂｙＭｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎＮｉｎ... 相似文献