靶面化合物覆盖度的计算方法研究

由溅射速率方程和反应粒子输运方程得出了靶面化合物的覆盖度。所有方程都用反应室结构参数和宏观参数表示，文中还给出了溅射沉积TiN薄膜的计算结果，结果表明与实验数相吻合，所建立的方法便于工艺优化的实施，属新的工程方法。     

可编程控制器梯形图的快速设计方法

提供了可编程控制器控制梯形图的一种快速设计方法,它的关键是如何将三大设计依据转换为程序图,或者说如何用一个图形来描绘电气主令元件、检测元件、执行元件、中间记忆元件在一个工作循环中的动作三要素,然后根据这个图形利用逻辑代数来列写开关函数式,再由此绘制梯形图。这种方法具有快速、简单、一次成功的特点。     

从粒子输运研究靶的溅射与中毒

从粒子的产生、输运及表面反应出发,建立总的输运模型并得到靶的溅射速率和化合物的复盖度。模型中都是以宏观工艺参数及反应室结构参数表达的,对薄膜材料的溅射淀积技术具有重要的应用价值。     

提高粉粒沉降过程中等离子体纯化能力的研究

限于工艺条件,我们过去曾得出粉粒在等离子体中沉降时,提纯效果可忽略不计,本文经过详细的分析、计算和论证表明,沉降时间及提纯速率可经工艺改进而提高到使提纯效果达到决定性的地步。文中提供了计算结果、改进措施及粉粒可收集的判据。这对于提高等离子体总的冶金效应和将其推向应用都具有很大的意义。     

粉粒在等离子体中沉降的运动学分析

对粉粒受力情况进行了分析,建立了速度方程,并对硅-锗合金粉料进行了计算,为了提高沉降过程中的提纯效果,着重对增加沉降时间进行研究,提出了一些措施。     

Si-Ge粉粒在冷等离子体中沉降的提纯效应分析

本文论述了粉粒在等离子体中的影响 ,并利用所提供的受力和加速度模型 ,进行了具体计算。最后分析了沉降时间的各种影响因素和提纯效果。     

反应溅射中的溅射产额研究

分析了溅射阔产频的影响因素，并建立了产额模型。该模型能反映各种宏观工艺参数，便于工程应用。对钛靶的计算结果表明与实验结果相符。     

圆筒形反应器粉体纯化动力学分析

对圆筒形纯化反应器的等离子体鞘层进行了动力学分析，得出了鞘区内离子速度的分布函数和不同位置上的离子平均动能。理论计算结果与实验数据吻合较好，对理论和实验工作方面都具有一定的指导意义。     

电动摩托车的一种控制系统

本文为誉称“绿色”交通工具的电动摩托车提供系统,其电路由四大部分组成,具有简单、实用、可靠的特点。     

冷等离子体对硅-锗纯化的实验研究

本文通过实验证实了冷离子体对硅－锗粉末的纯化作用,并探索了放电电流、放电时间、加热温度、反应器内总压力等参数对纯化效果的影响。从而为工业应用打下一定基础。