国家正式批复设立区域电力监管机构

国家电力监管委员会遵照党中央、国务院对电力体制改革的总体要求,根据中央机构编制委员会办公室批复,设立华北、东北、西北、华东、华中、南方等6个区域监管局(简称电监局),并向有关城市派驻监管专员办公室。区域电监局的主要职责是:依据电监会授权,监管电力市场运行,规范电力市场行为,     

直埋供热管网泄漏原因分析及检测

本文从直埋供热管网的设计、施工、运行、材料设备及周边环境等方面,分析了造成直埋供热管网泄漏事故的原因,并提出了相应的应对措施。同时,简要介绍了目前常用的直埋供热管网泄漏检测方法及选择原则。     

一种改进的片内ESD保护电路仿真设计方法

对现有的片内ESD保护电路仿真设计方法进行了改进,使之适用于深亚微米工艺.文中设计了新的激励电路以简化仿真电路模型;增加了栅氧化层击穿这一失效判据;使用能量平衡方程描述深亚微米MOSFET的非本地输运,并对碰撞离化模型进行了修正;使用蒙特卡罗仿真得到新的电子能量驰豫时间随电子能量变化的经验模型.最后使用文中改进的仿真设计方法对一个ESD保护电路进行了设计和验证,测试结果符合设计要求.     

PVA-TEOS/PAN渗透汽化膜的制备及其乙酸乙酯脱水

以聚丙烯腈(PAN)中空纤维超滤膜为底膜,以聚乙烯醇(PVA)和正硅酸乙酯(TEOS)的混合液为涂膜液,采用溶胶-凝胶法制备了PVA-TEOS/PAN渗透汽化复合膜,并用于乙酸乙酯脱水. FT-IR和XRD谱图证实复合膜表层中由于PVA与TEOS的交联反应而形成了Si?O?C共价键,且PVA的结晶度下降. 另外,利用静态接触角测量对复合膜表层的亲水性进行了表征. 考察了复合膜在乙酸乙酯水溶液中的溶胀性能及涂膜液中TEOS含量和料液温度与浓度对PVA-TEOS/PAN复合膜分离性能的影响. 结果表明,TEOS的加入有效降低了复合膜在乙酸乙酯水溶液中的溶胀度,使其对水具有较好的分离选择性. 40℃下,涂膜液中TEOS质量含量分别为5%和30%的PVA-TEOS/PAN复合膜分离98%的乙酸乙酯水溶液时,其分离因子分别为2830和4448,渗透通量分别为49.4和41.4 g/(m2×h).     

深亚微米nMOSFET器件的总剂量电离辐射效应

选取了采用0.25μm工艺的两组器件进行研究.通过对这两种器件关态泄漏电流、跨导和栅电流等电学参数进行分析,得出当器件发展到深亚微米阶段时,影响其辐射效应的主要原因是场氧化层中的陷阱电荷.并对相关机理进行了分析和仿真验证.     

氮化镓器件非线性特性表征

对100um和1mm碳化硅衬底的氮化镓器件进行直流特性,小信号特性和大信号特性的表征。100um和1mm器件小信号特性测试结果发现,随栅长增大,由于电容寄生效应的减小,电流截止频率fT增大。从数据看出,器件可用在C波段和X波段。大信号测试包括C波段和X波段负载牵引测试和功率扫描测试。器件偏置在AB类工作点,并且选定源端阻抗,做负载牵引测试。在负载牵引园图上,最大功率阻抗点和最佳效率阻抗点可以确定。根据5.5GHz的不同栅长的器件的功率扫描结果分析器件尺寸变换效应与和大尺寸器件的自热效应密切相关。8GHz 不同漏极偏置的器件的功率扫描结果说明碳化硅衬底的氮化镓器件有好的热导率,高击穿电压和10.16W/mm 功率密度。从分析可证明碳化硅衬底的氮化镓器件是放大器设计的理想材料。     

60Co-γ射线辐射对AlGaN/GaN HEMT器件直流特性的影响

采用1.25Mev 60Co γ射线辐射源对钝化前后的AlGaN/GaN HEMT器件进行了1Mrad(Si)的总剂量辐射,实验发现：1Mrad总剂量辐射后未钝化器件的饱和漏电流和最大跨导分别下降了15%和9.1%,而且正向和反向栅电流明显增加,但是阈值电压几乎没有发生变化。相反的,同样的累积剂量下,钝化器件的饱和漏电流和最大跨导却基本没变。通过对钝化前后器件的不同辐射反应以及C-V测试的分析表明,栅-源和栅-漏间隔区辐射感生表面态负电荷的产生是低剂量下AlGaN/GaN HEMT器件电特性退化的主要原因,同时也说明钝化可以有效地抑制60Co γ辐射感生表面态电荷,它是一种有效的加固手段。     

低电场应力下闪速存储器的退化特性

基于负栅源边擦除的闪速存储器存储单元,研究了形成应力诱生漏电流的三种导电机制,同时采用新的实验方法对引起瞬态和稳态电流的电压漂移量进行了测量.并利用电容耦合效应模型对闪速存储器存储单元的可靠性进行了研究,结果表明,在低电场应力下,其可靠性问题主要由载流子在氧化层里充放电引起.     

X 波段氮化镓合成固态放大器

Based on a self-developed A1GaN/GaN HEMT with 2.5 mm gate width technology on a SiC substrate, an X-band GaN combined solid-state power amplifier module is fabricated. The module consists of an AIGaN/GaN HEMT, Wilkinson power couplers, DC-bias circuit and microstrip line. For each amplifier, we use a bipolar DC power source. Special RC networks at the input and output and a resistor between the DC power source and the gate of the transistor at the input are used for cancellation of self-oscillation and crosstalk of low-frequency of each amplifier. At the same time, branches of length 3λ/4 for Wilkinson power couplers are designed for the elimination of self-oscillation of the two amplifiers. Microstrip stub lines are used for input matching and output matching. Under Vds = 27 V, Vgs = -4.0 V, CW operating conditions at 8 GHz, the amplifier module exhibits a line gain of 5.6 dB with power added efficiency of 23.4%, and output power of 41.46 dBm （14 W）, and the power gain compression is 3 dB. Between 8 and 8.5 GHz, the variation of output power is less than 1.5 dB.