基于双平行互质阵列的二维非网格DOA估计

近年来,基于稀疏表示的DOA估计方法已经被广泛提出,这些方法都需预设离散的网格点,而实际信号来波方向在空间域内具有随机性,任何来波方向都是等概率出现,很有可能信号的来波方向不在网格上,因而会存在网格误差,使DOA估计结果产生较大偏差。为提高DOA估计精度,本文提出了非网格的DOA估计模型。同时,为提高测向自由度,本文应用由两个均匀线阵组成的互质阵列,并且将两个均匀线阵平行放置在同一平面。通过将两均匀线阵的互协方差矩阵向量化成互协方差矢量,可得到一维虚拟扩展的接收数据矢量,并且在稀疏表示框架下应用相应的稀疏恢复算法恢复出跟DOA参数相关的向量,从该向量中得到唯一的并且自动配对的二维DOA估计参数。仿真实验结果验证了本文算法较传统算法具有更好的DOA估计性能。     

大型弧形闸门静力特性有限元分析

以某水电站溢洪道弧形闸门为例,建立了大型弧形闸门的有限元分析模型,应用ANSYS软件对其在各种工况下的支铰反力、闸门应力、位移挠度以及屈曲失稳等静力特性进行了计算分析,为完善闸门结构的设计提供了依据,对同类闸门结构的设计计算有参考意义。     

硅胶固载光敏剂的合成及其在反式维生素D3光敏异构化为顺式维生素D3中的应用

采用丙二酸作为连接,针9－蒽甲醇连接到硅胶上生成硅胶固载的光敏剂。利用此因相光敏剂分别在乙醇和甲苯溶液中敏化反式维生素D3。实验结果表明，此固相光敏剂能够有效地敏化反式维生素D3为顺式维生素D3的反应，并且非常容易从反应体系中分离出来。     

基于SOI的双极场效应晶体管

在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后，介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出，又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)，同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流，可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET，分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较，由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应，使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。     

氨精制装置运行问题分析及改造措施

通过分析中国石油兰州石化分公司炼油厂氨精制装置存在的运行问题,提出了相应的改造措施,包括在分凝器脱液管线上新增隔离阀门、更换三级冷凝冷却器、更换氨压缩机及采用低温结晶脱硫工艺等。改造后装置运行结果表明:三级分凝器出口温度由70℃降至小于35℃,压缩机吸气量由5 m3/m in提高至74 m3/m in,原料酸性水中硫化氢质量分数下降45.5%,氨质量分数下降55.5%,净化水合格率达100%,氨精制塔塔顶温度下降5~20℃,液氨中氨质量分数由97.05%上升至99.60%,液氨产量达0.125 t/h,实现了装置的长周期运行。     

发电厂计算机系统安全问题及对策

论述了我国发电厂特别是广东地区的发电厂中，计算机系统存在的安全问题及其产生原因，提出了从制度、技术和培训诸方面进行完善的措施以防止事故及不安全情况的发生。     

二氧化锡溅射工艺研究

SnO2 是最早使用也是目前使用最广泛的一种气敏材料 ,使用该材料设计制作的气敏传感器具有许多优点。在简要介绍溅射镀膜的成膜过程和特点的基础上 ,着重介绍了SnO2 膜的制备流程 ,分析了功率和温度变化对成膜质量的影响     

先进、高效、团结、开拓——走访北京邮电大学-贝尔北方电讯 电信研究开发中心

微风拂吹、春意盎然,三月初的一天我们走访了北京邮电大学-贝尔北方电讯电信研究开发中心。它是邮电部下属的中国通讯领域第一家以合作形式建立的高新技术研究所,成立于去年7月。它的建立充分体现了北方电讯“向中国提供产品、服务和技术,以帮助实现电信发展目标”的承诺。