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液相对Si3N4晶须生长与组成的影响   总被引:3,自引:0,他引:3  
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本文论述了气氛压力烧结技术产生的技术前景,GPS烧结的原理和优越性,介绍了GPS烧结工艺的技术关键以及在材料制备中的实际应用。  相似文献   
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本文采用静态腐蚀法,用煤灰及K_2SO_4作腐蚀介质,对三种Si_3N_4基材料在高温下的腐蚀过程进行了研究。结果表明:材料在不同温度下的腐蚀动力学过程不同;在1350℃时,符合中心收缩模型:1-(1-α)~(1/3)=kt;在1400℃时,则为α=kt~2。且材料不同。其腐蚀的表观速度常数亦不相同。  相似文献   
5.
本文针对Si3N4基陶瓷材料作为高温结构材料使用的不同环境,首先讨论了Si3N4陶瓷在高温下氧化,继而讨论了Si3N4陶瓷在熔融盐(钠盐或钾盐)中的腐蚀研究现状。本文最后指出了腐蚀研究中存在的问题,提出了今后应进行了研究方向。  相似文献   
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