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为解决单相光催化材料结构和性能上的缺陷,通过二次煅烧法获得二维石墨相氮化碳g-C3N4,通过光沉积法获得Ag/g-C3N4,选择SnS2与Ag/g-C3N4通过简单的超声和蒸发溶剂的方法制备了三相复合材料SnS2-Ag/g-C3N4,成功构建了n-n型异质结,并对材料的微观形貌、相结构、光响应能力和孔隙结构等进行了详尽表征。结果表明:材料依然保留了片层状结构并构建了浪花状形貌,各相结晶度较高且界面构建良好,形成了类似三明治结构的2D-0D-2D形貌,复合材料较单相材料具有更高的比表面积和更强的可见光响应性能。当SnS2的含量为10wt%时,所合成SnS2-Ag/g-C3N4复合材料对罗丹明B的光催化降解效率达到最高的95.6%,降解速率最快且为g-C3N 相似文献
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采用光学显微镜、扫描电镜和透射电镜观察700MPa级钒微合金化低合金高强钢热轧后在3~5,1.5~2和0.3~0.5℃/s三个不同冷却速度下获得的微观组织,对晶粒度、珠光体体积分数、珠光体片层间距进行了定量分析,测定了拉伸性能并观察了拉伸断口。结果显示,冷却速度为1.5~2℃/s时产品性能最佳。这是因为该冷却速度下铁素体基体上纳米碳化物数量增加且弥散细小,析出强化效果随析出物数量呈线性增加。 相似文献
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采用一步水热法,通过调节Co与Ce的摩尔比,制备出暴露高活性晶面的Co修饰CeO2复合材料。利用比表面和孔径分析仪、TG-DSC、TEM、SEM、XRD、紫外-可见分光光度计(UV-vis)、XPS、光热催化脱硝技术对Co修饰CeO2复合材料进行全面表征。结果表明,随着Co元素含量的增加,Co修饰CeO2复合材料的比表面积增大,CeO2呈纳米棒状结构,Co与表面氧生成Co3O4,二者的共结晶过程降低了复合材料的结晶表面能,使CeO2主要暴露(200)和(220)高活性晶面,且暴露比例增大。光热催化脱硝结果表明,当Co与Ce摩尔比为15%、煅烧温度为400℃时,Co修饰CeO2复合材料的光热催化效率达到最高,为98%。 相似文献
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采用具有丰富分级多孔结构的豆芽为模板,经水热法合成仿生形态的纳米CeO2/石墨烯催化剂。使用XRD、拉曼光谱(Raman)、TEM、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis/DRS)、N2吸附-脱附仪和光解水制氢系统等分析表征手段对CeO2/石墨烯催化剂的结构、形貌及光催化性能进行分析。结果表明,所制备的CeO2/石墨烯光催化剂不仅继承了豆芽模板高孔隙率和大比表面积的特点,而且保持了豆芽的形态和微观特征。该催化剂是由约5.6 nm CeO2纳米晶与具有生物形态的仿生石墨烯片层结构结合而成。制得的CeO2/石墨烯复合材料内部存在大量由CeO2/石墨烯催化剂纳米颗粒堆积而成的纳米孔,其孔径集中分布于15~45 nm左右,这种微观结构使CeO2/石墨烯催化剂具有超大的比表面积,提高了催化剂对光生电子空穴对的捕获能力。由紫外-可见漫反射吸收光谱可知,CeO2/石墨烯复合材料的可见光利用率显著增强,光解水制氢效率6 h后可达到671 μmol(h · g)-1,远高于标样CeO2的51.67 μmol(h · g)-1。 相似文献
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直接在介孔SiO_2中掺杂金属Zr不是十分容易,这主要是由于在强酸介质中,Zr往往不能与Si源一起共缩合而被沉积到介孔SiO_2骨架中。因此,本文采用原位一步合成法,在含有模板剂、盐酸、醋酸锌的弱酸性水溶液中添加Si源和Zr源,通过原位共沉积,直接制备出具有介孔结构的Zr-SiO_2材料。研究结果表明:当合成母液中Zr与Si的摩尔比r≤0.2∶1时,所得样品具有高度有序的介孔结构;继续增加Zr的添加量(r=0.3或0.5)会使有序孔的规整性下降。随着合成体系中r从0.01变化到0.2,样品晶胞参数由9.7nm增加到10.9nm,孔壁厚度由1.4nm增大到2.6nm,证明了Zr对介孔SiO_2骨架的有效掺杂。通过改变样品中的Zr掺杂量还可以调控所得Zr-SiO_2材料的形貌,获得具有蠕虫状、葡萄状和麦粒状等形状规整的粒子。介孔Zr-SiO_2材料在去除水体中有机染料亚甲基蓝中表现出良好的性能。 相似文献
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为了解决日益严重的环境污染和能源短缺等问题,基于半导体的光催化技术利用太阳能为环境修复和能源储存提供了一种“绿色”可持续的方案。首先介绍了g-C3N4的优点和局限性,以及S型半导体的优势与不足,接着介绍了g-C3N4基S型异质结的电子结构和光催化性质,综述了基于不同类型g-C3N4的S型异质结光催化材料构建和光催化性能的提升策略,并梳理了其部分应用。最后,综述了基于g-C3N4的S型异质结面临的挑战和未来发展趋势,有望为g-C3N4基S型异质结光催化材料的开发和实际应用提供重要的参考。 相似文献