高质量ZnO薄膜的退火性质研究

在LP－MOCVD中，我们利用Zn(C2H5)2作Zn源，CO2作氧源，在（0002）蓝宝石衬底上成功制备出皮c轴取向高度一致的ZnO薄膜，并对其进行500℃-800℃四个不同温度的退火。利用XRD、吸收谱、光致发光谱和AFM等手段研究了退火对ZnO晶体质量和光学性质的影响。退火后，（0002）ZnO的XRD衍射峰强度显著增强，c轴晶格常数变小，同时（0002）ZnOX射红衍射峰半高宽不断减小表明晶粒逐渐增大，这与AFM观察结果较一致。由透射谱拟合得到的光学带隙退火后变小，PL谱的带边发射则加强，并出现红移，蓝带发光被有效抑制，表明ZnO薄膜的质量得到提高。     

溶胶-凝胶生物玻璃多孔材料显微结构和生物活性的扫描电镜及红外光谱分析

本文利用溶胶．凝胶法制备了CaO-P2O5-SiO，系统生物活性玻璃，并以其为原料制备了用于骨修复及骨组织工程支架的块状生物活性材料。利用体外实验方法(invitro)结合x射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和傅立叶变换红外光谱分析(FTIR)技术对不同烧结工艺制备的材料结构、晶相和生物活性的影响进行了分析研究。研究表明，经800℃和1100℃烧结5min的两种材料均有硅磷酸钙Ca5(PO4)2SjO4微晶相析出。烧结温度越高，析出微晶相的体积比例越大，材料的生物活性则越低。在模拟生理溶液中碳酸羟基磷灰石(HCA)只在烧结体中的玻璃颗粒表面形成，而在其硅磷酸钙Ca5(PO4)2SiO4微晶相表面未发现HCA形成。     

怀沙河流域水文情势模拟与分析

怀沙河是北台上水库入库河流,作为北京市应急水源,其水文情势对首都供水保障有重要影响。运用NAM模型构建了怀沙河降雨-径流过程模型,对模型参数进行了率定,模拟结果和实测流量过程能够较好的吻合,模拟精度纳西效率系数为0.642。利用该模型对怀沙河流域局地暴雨洪水过程及洪水的淹没分布情况进行分析后认为,流域出口处的最大流量是30.8m3/s,与西沟水文站观测的最大流量31.0m3/s比较接近。     

既有建筑适老化改造方案设计案例研究

针对北京市平谷区某村原有校舍的建筑特点及实际情况,根据该村的养老需求进行适老化改造方案设计,包括功能分区、室内外无障碍设施改造与安全防护设计、室内环境营造方案设计和安全性能抗震加固方案等,通过案例研究可为农村既有建筑适老化改造提供技术示范。     

不同颗粒尺寸α-Al2O3粉体制备稳定浆料的研究

通过改变pH值和分散剂的浓度 ,对不同颗粒尺寸的αAl2 O3粉体制得浆料的稳定性、分散性以及流变特性进行研究。结果表明 :pH值和分散剂用量对αAl2 O3浆料的稳定性和分散性有显著影响。用不同颗粒尺寸的αAl2 O3粉体制备高稳定、高分散的陶瓷浆料 ,其最适pH值和最佳分散剂用量各不相同。αAl2 O3浆料的流变特性呈剪切稀化特点 ,悬浮浆料的粘度随固含量的增加而上升 ,而最佳分散剂用量不随浆料固含量的变化而改变     

原料粒度对磷酸钙骨水泥的流变性和可注射性的影响

以等质量的磷酸氢钙(DCPA)和部分结晶磷酸钙(PCCP)组成的磷酸钙骨水泥粉体作为研究对象,采用单因素实验,研究了DCPA和PCCP粒度变化对骨水泥流变性和可注射性的影响.结果表明:随着DCPA粒径的减小,骨水泥浆体的粘度和屈服应力有所增大,但对可注射性影响较小.而PCCP的粒度变化对骨水泥的流变性能和可注射性影响较大.随着PCCP粒径的减小,骨水泥浆体的粘度和屈服应力明显提高,可注射性则明显降低.综合考虑骨水泥的可注射性、抗压强度和凝结时间的变化,在0.5的液固比下,当DCPA平均粒径为2μm左右和PCCP平均粒径为23μm左右时所配成的磷酸钙骨水泥的性能最好.     

干燥方法对化学沉淀法合成HA粉体团聚的影响

化学沉淀法合成羟基磷灰石粉体工艺简单,成本低廉,但这种方法得到的羟基磷灰石粉体极易团聚,限制了羟基磷灰石的广泛使用.本文研究了在羟基磷灰石粉体的合成过程中不同干燥方法对粉体团聚的影响.结果表明:在烘箱干燥得到的粉体团聚较严重,微波干燥使粉体的团聚程度有所减轻,冷冻干燥可有效地减弱粉体的团聚,所得到的粉体比表面积较高.同时,本文还讨论了粉体在干燥过程中团聚形成的机理.     

InxGa1-xN合金薄膜In的表面分凝现象

用MOCVD方法在α-Al2O3(0001)衬底上外延生长了InxGa1-xN合金薄膜.测量结果显示:所制备的InxGa1-xN样品中In的组分随外延生长温度而改变,生长温度由620℃升高到740℃,In的组分由0.72降低到0.27.这是由于衬底温度越高,In进入InxGa1-xN薄膜而成键的效率越低.样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱均显示:在生长温度为620℃和690℃时所生长的InxGa1-xN样品中均存在明显的In的表面分凝现象;而生长温度升至740℃时所得到的InxGa1-xN样品中,In的表面分凝现象得到了有效抑制.保持生长温度不变而将反应气体的Ⅴ/Ⅲ比从14000增加到38000,In的表面分凝现象也明显减弱.由此可以认为,较高的生长温度使得In原子的表面迁移能力增强,In原子从InxGa1-xN表面解吸附的几率增大,而较高的Ⅴ/Ⅲ比则能增加N与In成键几率,从而有利于抑制In的表面分凝.     

Si基MOCVD生长AlN深陷阱中心研究

通过PL 谱和Raman谱对MOCVD生长Si基Al N的深陷阱中心进行了研究,发现三个深能级Et1 ,Et2 ,Et3,分别在Ev 上2 .6 1,3.10 ,2 .11e V.Et1 是由氧杂质和氮空位(或Al间隙原子)能级峰位靠近重合共同引起的,Et2 、Et3都是由于衬底Si原子扩散到Al N引起的.在Si浓度较低时,Si主要以取代Al原子的方式存在,产生深陷阱中心Et2 .Si浓度高于某个临界浓度时,部分Si原子以取代N原子位置的方式存在,形成深陷阱中心Et3.实验还表明,即使经高温长时间退火,Al N中Et1 和Et2 两个深陷阱中心也是稳定的     

奥运村微能耗楼工程能源利用效果分析

介绍了奥运村微能耗楼的能源系统设计和运行管理措施,针对2008年夏季的运行情况,测试和分析了微能耗楼能源系统的效率,结果表明节能效果十分显著.