InGaN基高压LED和传统大功率LED的发光效率比较

主要从三个不同角度探究并分析了基于In Ga N材料的高压LED的发光效率优于传统大功率LED的原因。为了保证实验结论的可靠性,文中所采用的实验样品具有相同的芯片尺寸和材料以及相同的封装结构。经过大量的实验证明,更均匀的电流分布和小芯片间隙的出光,使得高压LED的发光效率优于传统大功率LED。结果显示,在相同的1 W输入功率下,高压LED的发光效率比传统大功率LED高大约4.5%。     

GaP_(1-x)N_x混晶的喇曼散射谱

在室温下测试了Ga P1 - x Nx(x=0 .0 5 %～3.1% )混晶的喇曼散射谱.在一级喇曼散射谱中观测到了Ga P的L O(Γ)模和强度较弱的禁戒TO(Γ)模以及N的局域模(495 cm- 3) .在N组分较高的一组样品(x=1.3%～3.1% )中,还观察到了位于Ga P的L O(Γ)模和TO(Γ)模之间的由N导致的L O(N)模的喇曼频移(387cm- 1 ) ,其强度随着N浓度的增加而增强.在二级喇曼散射谱中,除了观测到布里渊区中心的声子散射峰2 L O(Γ)外,还观测到了布里渊区边界的声子散射峰2 L O(L )、2 TO(X)以及L O(L ) +TO(X) .且边界散射峰的强度比中心散射峰更强.另外在组分x=0 .6 %和x=0 .81%的样品     

GaP1-xNx混晶的喇曼散射谱

在室温下测试了GaP1-xNx(x=0.05%～3.1%)混晶的喇曼散射谱.在一级喇曼散射谱中观测到了GaP的LO(Γ)模和强度较弱的禁戒TO(Γ)模以及N的局域模(495cm-3).在N组分较高的一组样品(x=1.3%～3.1%)中,还观察到了位于GaP的LO(Γ)模和TO(Γ)模之间的由N导致的LO(N)模的喇曼频移(387cm-1),其强度随着N浓度的增加而增强.在二级喇曼散射谱中,除了观测到布里渊区中心的声子散射峰2LO(Γ)外,还观测到了布里渊区边界的声子散射峰2LO(L)、2TO(X)以及LO(L)+TO(X).且边界散射峰的强度比中心散射峰更强.另外在组分x=0.6%和x=0.81%的样品中,还得到了诸如来自不同NNi对或N原子簇团的局域模和由N导致的新的散射峰.     

GaP_(1-x)N_x混晶的光致发光谱

通过Ga P1 - x Nx( x=0 .0 5 %～3.1%)混晶的低温光致发光( PL )谱,探讨了N在不同组分Ga Nx P1 - x混晶的发光特性中所起的作用.在低组分( x =0 .0 5 %～0 .81%)下,Ga Nx P1 - x的PL谱由NNi 对及其声子伴线的发光组成;在高组分( x≥1.3%)下,NNi 对之间相互作用形成的与N有关的杂质带导致了Ga Nx P1 - x混晶的带隙降低.同时,在x=0 .12 %的Ga Nx P1 - x中,得到了清晰的NN3 零声子线及其声子伴线,从而直接证实了NN3具有与孤立N中心完全相似的声子伴线.     

Raney Fe 催化剂上的浆态相F-T反应研究

ＲａｎｅｙＦｅ催化剂是Ｆｅ－Ａｌ合金在经碱抽滤掉铝原子后形成的骨架结构催化剂。其在浆态相ＦＴ合成反应的试验中，表现出较高的ＦＴ活性和低碳烃选择性。由于ＲａｎｅｙＦｅ特殊的结构效应，有利于助剂（Ｋ、Ｃｒ、Ｚｒ）较优分布于催化剂的表面上，同时还具备熔铁催化剂的耐磨性能和沉淀铁催化剂的高比表面（高活性），可以选择适宜的颗粒粒度，这给目前浆态相ＦＴ合成工艺过程中遇到的产物蜡与催化剂难分离问题提供了有价值的信息。     

煤基费托合成催化剂活性组分的选择

对具有费托合成活性的金属元素进行了介绍和分析,并对具有工业应用价值的铁系催化剂和钴系催化剂从催化剂性能特点、所适用的原料气组成、抗毒性能等方面进行了深入比较.认为在现阶段,铁系催化剂更适用于以煤制合成气为气头的间接液化过程.而钴系催化则是低温费托合成技术的发展方向.     

Raney铁催化剂研究进展

论述了Raney铁催化剂的制备、表征、应用方面的研究进展 ,指出与Raney镍催化剂相比较在形成机理、活性应用等方面的特殊性 ,并将Raney铁催化剂加氢活性之外的骨架性能拓宽应用于浆态相F T合成反应。     

（AlxGa1—x）0.51In0.49光致发光谱的温度依赖关系

研究了ＭＯＶＰＥ生长的与ＧａＡｓ晶格匹配的（ＡｌｘＧａ１－ｘ）０．５１Ｉｎ０．４９Ｐ（ｘ＝０．２９）合金的ＰＬ谱的温度依赖关系,在变温约为１７～２３０Ｋ范围内,谱线半宽多２４ｍｅＶ变到４０～６０ｍｅＶ,强度减小了大约两个数量级。对ＰＬ谱积分强度随温度变化的拟合表明,在低温区与高温区存在两个不同的激活能。温度小于９０Ｋ,活活能为４～５ｍｅＶ,温度大于９０Ｋ,激活能为２５～５５ｍｅＶ。认为低温区行为由     

浆态相FT合成反应过程中的气液相界面传质特性研究

探讨了目前应用于浆态相ＦＴ过程气液界面传质研究的关联式和实验途径，以及气、液速、固载量等工艺条件对传质系数ｋＬ及相对阻力β的影响规律，认为Ｈ２和ＣＯ在一般反应条件下都可以不成为限速组份，二者对β的贡献也受反应器、气、液速、液体介质的影响；同时在优化催化剂ＲａｎｅｙＦｅ的三相反应基础上估算了ｋＬ和β值，结果表明，在此内表面利用率很高的骨架催化剂上，β值是可以忽略的，即气液界面传质阻力相对很小，在催化剂载量５％～１２％范围是动力学控制区域。     

铁基费托催化剂还原机理及动力学研究进展

费托合成技术是煤间接液化工艺过程中的关键技术,开发高活性、高产品选择性和高稳定性的催化剂是费托合成技术成功的最关键因素之一。论述了铁基费托合成催化剂的还原机理及还原动力学的研究进展,讨论了催化剂焙烧温度、还原H_2/CO比、还原压力和水分压对还原机理及还原动力学的影响规律。随催化剂焙烧温度升高,催化剂物相中超顺磁态的Fe~(3+)组分向顺磁态的α-Fe_2O_3组分转变,较高的焙烧温度导致催化剂晶格缺陷减少,晶粒尺寸增加,反应活化能和指前因子增加,催化剂的还原能力减弱。随还原气氛中CO分压的增加,催化剂的还原和碳化程度提高,催化剂表面形成更多的活性中心,催化剂活性升高。还原压力的升高促进了催化剂的还原和碳化,但过高的还原压力会抑制催化剂的还原和碳化。水分压对催化剂的还原路径没有明显影响,但水分压的增加对催化剂各还原步骤均有抑制作用,还原活化能增加。根据费托合成技术对铁基催化剂的性能要求,未来催化剂还原工艺的研究重点在于开发中温还原、合成气气氛下的低压催化剂还原工艺,以降低固定资产投资,缩短还原时间,提高催化剂的活性和稳定性,降低生产成本,提高企业竞争力。