ClO2-混凝剂联合工艺处理含Fe2+、Mn2+饮用水的试验

目的 通过向含Fe2+、Mn2+水中投加ClO2和混凝剂,考察ClO2对水中Fe2+、Mn2+的去除及其影响因素.方法 采用静态模拟试验,利用ClO2的强氧化性对水中Fe2+、Mn2+去除;试验过程中分别改变ClO2含量,混凝剂投加量、氧化时间及pH值,考察该工艺的最佳运行条件.结果 ClO2对Fe2+、Mn2+的去除十分有效,很容易将Fe2+、Mn2+离子氧化成不溶于水的Fe(OH)3和MnO2*ClO2投加量、原水pH值、预氧化时间和混凝剂投加量对Fe2+、Mn2+去除有很大的影响.结论 当原水铁、锰离子质量浓度分别为5 mg/L时,二氧化氯最佳投加量分别为5 mg/L和10 mg/L,ClO2最佳氧化时间为10 min和40 min,最佳混凝剂的投加量分别为1 mg/L和2 mg/L,最佳pH值为7～9,对铁、锰离子的去除率分别为94.0%和90.8%.当Fe2+、Mn2+同时存在的条件下,有利于锰离子的去除.     

SWN模型经典生成算法的模拟

通过模拟小世界网络的两种经典构造算法SW模型和M模型,来研究两个重要参数：平均最短路径长度和平均簇系数。在实验中通过调整它的几个参数N、k、P来求得对应网络的平均最短路径长度和平均簇系数,并画出相应的变化曲线。     

基于眼动感知信息的彩色图像感兴趣区域提取算法

提出了一种由眼动感知信息引导区域生长的彩色图像感兴趣区域提取算法.在对被试眼动感知数据分析的基础上,算法首先提取感兴趣位置点,然后以这些点的邻域信息作为种子点,在特定的颜色空间中采用颜色同质准则提取出一系列初始感兴趣区域,最后将这些区域按照被试的"关注度"进行排序得到最终的感兴趣区域.算法在RGB、HSV、L*a*b等...     

CCD纵向抗晕结构研究

建立了电荷耦合器件(CCD)纵向抗晕结构模型,运用半导体器件二维数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件模拟结构进行数值计算,并详细分析和讨论了衬底反偏电压、1PW层硼掺杂浓度、n型沟道磷掺杂浓度和TG转移栅下P杂质掺杂浓度等参数对CCD纵向抗晕能力的影响,得到了CCD纵向抗晕结构的一种优化结构.     

面向特种作业机器人功能评测体系研究

功能评测是评价机器人作业能力、保障智能制造生产线设计选型合理性的重要环节.针对当有色金属浇铸过程特种机器人作业需求,结合浇铸过程所涉及的浇铸、扒渣、修锭等工艺流程特点,建立了面向有色金属浇铸特种作业机器人功能评测体系,并以锌浇铸生产线为例建立了三个作业评测数学模型,为行业智能制造提供借鉴.     

政府行为推动企业技术创新的探讨

技术创新是一项系统工程,也是企业持续发展的动力。在企业的技术创新活动中,政府行为起着重要的推动作用,因此政府应当制定完善的相关政策、法规和制度,为促进企业技术创新提供良好的外部发展环境。     

CCD图像传感器抗晕技术研究

为了抑制CCD图像传感器在强光照射时出现光晕和弥散现象,建立了CCD纵向抗晕结构模型,运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,列建立的纵向抗晕CCD器件结构进行数值计算。结果表明：CCD电极下的电荷容量随n沟道磷掺杂浓度的增加而迅速提高,但掺杂浓度的增加受期间体内击穿场强的限制,通过分析比较,取n沟道磷掺杂浓度为3×10^16cm^-3。时抗晕效果较好,并得到了CCD纵向抗晕结构的一种优化结构。     

电子快门与CCD图像传感器抗晕的研究

为了抑制CCD图像传感器在强光照射时出现光晕和弥散现象,运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件模拟结构进行数值计算,并分析1 PW层硼掺杂浓度参数对CCD纵向抗晕能力的影响,并对CCD纵向抗晕结构进行优化结构。而电子快门就是利用纵向抗晕的工作原理而发展的。     

斜拉索的磁流变半主动自适应控制器设计

考虑描述磁流变(MR)阻尼器力学行为的LuGre动态摩擦模型,建立了新的斜拉索-MR阻尼器系统模型,该模型能够很好地描述斜拉索-阻尼器系统的动态特性,且能够实时辨识MR阻尼器内部参数.对于新的系统模型,基于Lyapunov直接法设计了抑制斜拉索振动的半主动自适应控制方法;原系统可变换为带有小参数的奇摄动系统,采用奇摄动理论对该系统进行分析,得到了另一类半主动自适应控制方法.仿真结果表明提出的两种控制方法均能够很好地抑制拉索振动.