法制视角下化妆品安全监管问题研究——评《化妆品安全监管实务》

随着我国社会经济的快速发展,化妆品行业也取得了巨大的进步,各种各样的化妆品层出不穷,然而近些年化妆品安全事件频发,也使得化妆品安全问题成为社会关注的焦点.究其原因,在于对化妆品的安全监管还存在一定的缺陷,虽然我国已经在化妆品监管方面构建了相对完善的法律体系,但一些法律存在滞后性,无法适应化妆品市场发展速度.因此,对化妆...     

延伸摩尔定律的应变硅技术

应变硅已成为延伸摩尔定律(Moore's Law)的重要技术手段之一.综述了应变硅技术的发展及趋势.首先,从物理理论上分析了应变对硅沟道迁移率的影响;然后介绍了现有的各种应变硅技术;最后,分析了应变硅技术的发展趋势.     

一种用于DC/DC控制器的三角波发生电路

介绍了一种用于两路两相DC/DC控制器的三角波发生电路;描述了电路工作原理、线路设计、版图设计。电路包括弛张振荡器和相位转换电路。采用0.5μm BiCMOS工艺模型库验证。仿真结果表明,该电路可以输出频率和幅度可调的两路180°反相三角波,并已应用在两路两相同步工作的单片DC/DC控制器中。     

低缺陷密度和平整表面的硅基砷化镓外延

Device-quality GaAs thin films have been grown on miscut Ge-on-Si substrates by metal-organic chemical vapor deposition. A method of two-step epitaxy of GaAs is performed to achieve a high-quality top-layer. The initial thin buffer layer at 360 ℃ is critical for the suppression of anti-phase boundaries and threading dislocations. The etch pit density ofGaAs epilayers by KOH etching could reach 2.25 × 10^5 cm^-2 and high-quality GaAs top epilayers are observed by transmission electron microscopy. The band-to-band photoluminescence property of GaAs epilayers on different substrates is also investigated and negative band shifts of several to tens of meVs are found because of tensile strains in the GaAs epilayers. To achieve a smooth surface, a polishing process is performed, followed by a second epitaxy of GaAs. The root-mean-square roughness of the GaAs surface could be less than 1 nm, which is comparable with that of homo-epitaxial GaAs. These low-defect and smooth GaAs epilayers on Si are desirable for GaAs-based devices on silicon substrates.     

提高普通白酒质量的简便措施——薄层串蒸技术应用之一

长期以来人们就感受到固态法白酒酒醅的醇香气味是很浓的,其香味浓于酒。也有人测算过,酒醅中的主要高沸点酸、酯成份能蒸馏进入酒中的仅有千分之几,不少有效成份的利用率是很低的。怎样利用好香醅中的有效成份呢?这是人们一直思考着的问题。利用酒醅酸酯等有效成份的途径很多,较简易而又有效的措施是“薄层串蒸”。这样就可以在不增加设备和费用的条件下,提高酸、酯利用率,多出好酒。最近吉林省轻工所和怀德县酒厂共同开展了利用大曲酒糟“薄层串蒸”,提高一般白酒质量的试验,收到     

新概念动能武器-电磁炮

电磁炮是现代战争中的一代新概念武器,目前国外的技术发展已达到实用阶段.用物理学中关于电流的磁场、电磁感应和涡流的基本理论对轨道炮、线圈炮、重接炮三种电磁炮的基本原理进行了分析;研究了轨道炮、线圈炮、重接炮的特点、应用前景;探讨了脉冲电源技术、材料技术、发射装置设计等电磁炮关键技术;最后总结了电磁炮的发展现状,展望了未来...     

用减压化学气相沉积技术制备应变硅材料

利用减压化学气相沉积技术,制备出应变Si/弛豫Si0.9Ge01/渐变组分弛豫SiGe/Si衬底.通过控制组分渐变SiGe过渡层的组分梯度和适当优化弛豫SiGe层的外延生长工艺,有效地降低了表面粗糙度和位错密度.与Ge组分突变相比,采用线性渐变组分后,应变硅材料表面粗糙度从3.07nm减小到0.75nm,位错密度约为5×104 cm-2,表面应变硅层应变度约为0.45%.     

用减压化学气相沉积技术制备应变硅材料

利用减压化学气相沉积技术,制备出应变Si/弛豫Si0.9Ge01/渐变组分弛豫SiGe/Si衬底.通过控制组分渐变SiGe过渡层的组分梯度和适当优化弛豫SiGe层的外延生长工艺,有效地降低了表面粗糙度和位错密度.与Ge组分突变相比,采用线性渐变组分后,应变硅材料表面粗糙度从3.07nm减小到0.75nm,位错密度约为5×104 cm-2,表面应变硅层应变度约为0.45%.     

快速退火气氛对300mm硅片内洁净区和氧沉淀形成的影响

300mm硅片中厚度合适的洁净区和高密度氧沉淀,有利于对器件有源区金属沾污的吸除,改善栅氧化物的完整性.文中使用Ar,N2/NHa混合气作为快速退火(RTA)气氛,研究RTA气氛对洁净区、氧沉淀形成的影响.研究发现N2/NHs混合气氛处理的硅片表层洁净区明显薄于Ar气氛处理的硅片,氧沉淀密度明显高于Ar气氛处理后的硅片.同时发现在两种气氛下,延长恒温时间都可以降低洁净区厚度,增加氧沉淀密度.基于空位增强氧沉淀成核和氮化空位注入的基本原理,就RTA气氛和恒温时间对洁净区和氧沉淀分布的影响进行了讨论.     

快速退火气氛对300mm硅片内洁净区和氧沉淀形成的影响

300mm硅片中厚度合适的洁净区和高密度氧沉淀,有利于对器件有源区金属沾污的吸除,改善栅氧化物的完整性.文中使用Ar,N2/NHa混合气作为快速退火(RTA)气氛,研究RTA气氛对洁净区、氧沉淀形成的影响.研究发现N2/NHs混合气氛处理的硅片表层洁净区明显薄于Ar气氛处理的硅片,氧沉淀密度明显高于Ar气氛处理后的硅片.同时发现在两种气氛下,延长恒温时间都可以降低洁净区厚度,增加氧沉淀密度.基于空位增强氧沉淀成核和氮化空位注入的基本原理,就RTA气氛和恒温时间对洁净区和氧沉淀分布的影响进行了讨论.