电控平行排列液晶光栅的光衍射特性研究

对电控平行液晶光栅的理论进行了分析,并配以结构原理图。通过对平行排列及90°扭曲排列液晶指向矢的计算,得出液晶盒中相应的折射率、相位差与电压之间的关系图,两者经比较证明平行排列更具适用性,并在实验中观测到了平行排列液晶光栅衍射特性与电压的关系。     

锌铝镁镀层钢板前处理与电泳性能研究

以镀锌钢板作为对比,考察锌铝镁钢板涂装前处理和电泳性能.结果显示:锌铝镁钢板的脱脂性能与镀锌钢板相近,磷化膜外观、膜重、覆盖率和结晶尺寸与镀锌钢板差异较小,电泳漆膜外观、膜厚、附着力和耐冲击性与镀锌钢板一致,但电泳漆膜的杯突极限性能和划线循环腐蚀性能优于镀锌钢板.     

PZT／Terfenol-D／PVDF层状复合磁电材料谐振特性

采用热压法制备出二层锆钛酸铅(PZT)／聚偏氟乙烯(PVDF)与1层Tb0.28Dy0.72Fe2(Terfenol-D)／PVDF叠层结构的三元复合磁电材料，研究了不同PVDF含量，以及不同层厚比tp／L对样品的介电常数、介电损耗、电阻率、谐振频率以及磁电转换系数αE33，αE31的影响规律，结果显示PVDF的含量和层厚比都存在最佳值(最佳值出现在产0．5，tp／L=2／7)，并且在这个最佳值处，磁电转换系数达到最大。     

生产过程信息管理系统的开发

针对某化工公司的具体情况与特点,开发了包括数据传输、生产过程信息管理、复杂对象关键状态与参数的智能建模与预估及在线调优等模块,成功的低成本实现了ＤＣＳ与微机局域网的通信以及信息共享、生产优化与成本管理等功能,取得了满意的效果。     

生产过程管理信息系统通讯软件的设计

本探讨了在实施“生产过程管理信息系统”开发中采用串口通讯的方法,低成本地实现HONEYWELL公司TDC－3000DCS与微机局域网数据传输的原理和方法,主要介绍了通讯系统硬件构成和软件编程思路,同时也介绍了不同应用程序间采用DDE（动态数据交换）方式实现数据交换的方法,对企业低投入改造早期生产过程管理计算机系统以建设CIMS具有一定的指导意义。     

量子LDPC码在量子密钥分配中的应用

首先将BB84密钥分配协议等价成一个特殊的Wire-tap信道模型,即主信道是比特翻转率为0.25ε的二进制对称信道,窃听信道是删除概率为(1-ε)的二进制删除信道;然后利用量子LDPC码CSS(C1,C2)的编码方法和性质实现BB84协议下的Wire-tap信道的安全通信,同时证明了BB84协议的安全性;最后,通过计算该特殊的Wire-tap信道的安全容量,得到了基于量子LDPC码的BB84协议的可容忍误码率.     

实时控制系统上—下位机间的双向中断通讯

探讨了在实时控制系统中实现上一下位机间双向中断通讯的原理与方法;阐述了通讯接口的构成。着重研究在实时控制过程中进行双向中断定时通讯的具体实施方法,并详细叙述了上下位机通讯软件的设计思路与技巧。实践表明,在实时控制系统中采用双向中断通讯方式,较一般文献中介绍的一方查询、一方中断的通讯方式具有明显的优越性。     

己内酰胺厂智能处理软件包的开发与应用

运用多种神经网络算法针对某已内酰胺厂的多个重要装置开发一种智能处理软件包,针对其关键参数与状态进行了建模与预估,取得了满意的效果,使该厂ＤＣＳ系统的应用提高了一个层次,为进一步实现系统的在线调优奠定了基础。     

高强双相钢表面选择性氧化行为对磷化性能的影响

目的确定高强双相钢表面Si、Mn元素选择性氧化行为对磷化性能的影响,以改善高强双相钢的磷化性能。方法在具备不同表面选择性氧化行为的试样表面制备磷化膜。采用X射线光电子能谱仪(XPS)、辉光光谱仪(GDS)、透射电镜(TEM)等手段,分析高强双相钢表面Si、Mn元素的选择性氧化行为,通过扫描电镜观察磷化膜的结晶状态,并采用电化学技术分析钢板在磷化液中的反应过程。结果当高强钢表面Si含量较少时,表面氧化物主要以弥散分布的小颗粒状Mn Al_2O_4形态存在,能够加快在磷化液中酸蚀反应速度,磷化晶粒均匀、致密,尺寸小于4mm,覆盖率为100%。当高强钢表面Si含量较高时,形成的Mn_2SiO_4容易在晶界聚集,颗粒尺寸较大,减慢了酸蚀反应速度,磷化晶粒尺寸大于8mm,均匀致密性差。而提高材料表面Mn元素的富集程度,可以减轻Mn_2SiO_4聚集的现象,提高酸蚀反应速度,磷化晶粒均匀、致密,尺寸小于4mm,覆盖率100%。结论减轻双相高强钢表面Si元素的富集程度,而提升Mn元素的富集程度,可以加快钢板在磷化液中的酸蚀反应,进而改善磷化性能。     

多孔SiC陶瓷的两种制备方法

采用两种不同方法制备多孔SiC陶瓷 ,讨论了其显微组织对性能的影响 ,探索制造多孔SiC陶瓷的新方法。经过研究得出 ,由天然木材制得的多孔SiC陶瓷的气孔形状规则 ,分布均匀 ,气孔率高 ,达 40 %以上 ,是制备高气孔率SiC陶瓷的一种可行技术