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以硝酸铈作为铈源,以沉淀法制备了二氧化铈稀土抛光粉。针对该方法所涉及的氟化、反应环境、焙烧温度等主要工艺条件进行了深入研究,将微波环境与氟化条件组合起来进行研究。对制得的抛光粉用X-射线衍射仪、扫描电镜、激光粒度仪和电位分析仪等手段进行表征。结果表明,氟化可使产品获得规整圆润利于抛光的形貌。微波反应环境可使样品获得较高结晶度以及利于抛光的较好晶型,可减小样品颗粒的团聚,细化产品颗粒。在此最佳制备条件基础上,进一步进行焙烧温度的研究。结果表明,微波反应环境中氟化产品在焙烧温度为850℃~960℃时可以得到较好的结晶度与晶型,较小的晶粒尺寸,其中在900℃时可以得到最佳的颗粒形貌以及粒度分布。 相似文献
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为探究Si原子在CeO2(111)表面吸附的微观行为,采用第一性原理的方法研究了Si原子在CeO2(111)表面的吸附作用、电子结构和迁移过程,计算了Si原子在CeO2(111)表面的吸附能,最稳定及次稳定吸附位置的电子态密度与电荷密度分布、迁移激活能。计算结果表明:Si原子最易吸附于基底表层的O原子上,其中O桥位(Obri)吸附作用最强,O顶位(Ot)和O三度位(Oh)吸附强度次之。Si原子仅对其最邻近的表层O原子结构影响较大,这与Si原子及其最邻近的O原子间电荷密度重叠程度增强的结果一致。Si原子最易围绕着Ot位从Obri位向Oh位迁移,迁移所需激活能为0.849 eV。 相似文献
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本工作采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,对KDP(001)晶面及三价金属Al、Cr、Fe掺杂KDP(001)晶面的拉伸、剪切应力-应变曲线进行了模拟研究,并对其理想强度、径向分布函数、电子态密度、电荷密度分布进行了分析。研究结果表明,Al、Cr、Fe掺杂KDP晶体后晶格常数只略微增大,掺杂后费米能级附近主要由掺杂元素的Al-3s、Cr-3d、Fe-3d电子轨道占据,且O-2p轨道向低能级移动,结构变稳定。三种掺杂体系沿[001]向和[100]向的拉伸、剪切弹性模量、理想强度均高于KDP晶体,而三种掺杂体系的[110]向剪切弹性模量、理想强度几乎不变。在[001]向拉伸应力作用下,理想及掺杂KDP晶体始终保持四方晶系结构不变。KDP晶体的态密度分布几乎不变,Al、Cr、Fe掺杂体系的O-2p轨道由低能级向高能级移动,结构变得不稳定。[100]向和[110]向剪切作用下,理想及掺杂体系均由四方晶系转化为单斜晶系。理想及Cr掺杂KDP晶体的态密度分布几乎不变,Al、Fe掺杂体系的O-2p轨道由高能级向低能级移动,结构变稳定。KDP晶体容易沿[110]向发生剪切变形。 相似文献
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储气罐承受交变内压作用,与罐体内其他开孔接管处相比较,开孔处的开孔率最高,应力集中现象最为显著,发生疲劳破坏的机会也最大,故对储气罐的入孔处进行疲劳强度分析非常重要,文章首先分析了储气罐入孔接口处疲劳产生的原因,其次分析了减少储气罐入孔处疲劳强度的相关策略。 相似文献
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以荧光强度为指标,采用L9(34)正交实验优化纳米荧光粉YPO4:2%Sm3+的水热工艺条件(反应温度、反应时间、溶液的阴/阳离子比和pH值)。用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜及能谱(SEM and EDS)、荧光分光光度计(FL)、红外光谱仪(FT-IR)和紫外光谱仪(UV)等仪器对样品的组成、结构、形貌及其发光性能进行了表征和分析。结果表明,影响纳米荧光粉YPO4:2%Sm3+水热工艺条件的主次因素为反应温度>pH值>反应时间>阴/阳离子比。最佳的水热工艺条件为反应温度为200℃、pH=3、反应时间为12 h、阴/阳离子比3:1。最佳纳米荧光粉的结构为单一的四方晶体结构,形貌为纳米球,荧光强度最大,荧光寿命为0.1719 ms,禁带宽度为5.14 eV,色坐标为X=0.5563, Y=0.4339。 相似文献
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为了准确地实现Ti-Si-N纳米复合薄膜生长过程动力学蒙特卡罗(KMC)仿真,采用简单原子之间的有效势拟合了第一性原理计算单粒子在TiN(001)表面的吸附作用和迁移行为.通过计算分别获得Ti、Si、N单粒子沉积在TiN(001)表面有效势的计算参数a、r0和u0.Ti、Si、N单粒子在TiN(001)表面吸附能和迁移激活能拟合相对误差均小于5%,Ti、Si、N单粒子在TiN(001)表面绕2N2Ti岛迁移激活能相对误差小于10%.对势Morse势可以描述简单键性的作用力,对于较复杂的键性其计算原子之间相互作用的准确度降低. 相似文献