甲醇煤气炉工艺改进

安阳化学工业集团有限责任公司扩能后,煤气炉不能满足后系统对水煤气量的要求,通过煤气炉增加第二煤气三通阀并对程控机程序进行改造等措施,提高了半水煤气及水煤气的气量、气质,降低了灰渣返焦率.     

微传感器制造中的硅-玻璃静电键合技术

介绍了硅－玻璃静电键合的基本原理,阐述了在自建静电键合设备上实现静电键合的过程,结合其在微机械传感器中的应用,讨论了粗糙表面键合技术。     

ZrO_2和原位自生TiN复相O′-Sialon的合成机理与表征

通过对TiO2 和ZrO2 在Si3N4 SiO2 Al2 O3体系中的反应过程分析和试验 ,讨论了原位自生TiN/O′ Sialon与ZrO2 /O′ Sialon复相材料的合成机理 ,并利用各种手段分别对所合成的两种材料进行了表征     

气液联合式碎石器气穴控制分析

针对气液联合式碎石器内部出现的气蚀问题,在建立基本控制方程及质量输运方程的基础上,根据碎石器结构原理同时参考主机液压系统管路布置,搭建了包含动力系统及控制系统的整机AMESim仿真模型。之后,基于影响气穴的参数类型及对应取值范围设计了正交试验方案,并进行了仿真分析,获得了提高活塞后腔最低压力的最优水平组合。最后,对于集中参数模型无法反映流体质点运动空间的不足,进行了CFD模型与AMESim输出最优参数组合的联合仿真,并和AMESim模拟结果进行了对比。结果表明:活塞后腔出现最低压力的时刻与活塞运动至下死点的位置完全对应,这也与实际工程中出现气蚀真相的位置十分吻合;活塞前腔杆径是影响最低压力的主要因子,同时最低压力与杆径及蓄能器初始容积都呈负相关、与蓄能器压力正相关,与工作压力没有表现出明显的相关性;采用最优水平组合时,AMESim计算得到的最低压力为2.29 MPa,而CFD仿真获得的最低压力为1.016 MPa,其远高于工况条件对应的空气分离压。     

世博会建筑语言铭示出的形态构成学原理

从形态构成学的角度讲,每个建筑都是形态各异的立体构成体.2010世博会中各具特色的建筑场馆对于设计领域有着不可估量的影响.建筑的外观设计形态和各种作为民族文化的色彩象征都是人们观世博的一个最直观的着眼点,我们要获得对各种文化感知信息都必须借助这两方面.由此可见,形态构成学在实际生活中并不只是抽象的概念,而是存在于生活的...     

润滑油经销商角色转变：由渠道批发型向客户开发型的变革

<正>随着市场竞争的加剧和消费者需求的变化,润滑油经销商需要适应新的市场趋势,通过角色转变,提供更精准、更个性化的产品和服务,实现自身可持续发展。本文分析了这种转变的背景、优劣势和路径,并通过案例探讨了经销商如何成功进行角色转变以应对市场挑战。     

纳米二氧化硅/凹土复合材料的制备以及吸附性能

以硅酸钠为主要原料,用硫酸调节pH,通过液相沉淀法在凹土单晶表面原位生成纳米粒状二氧化硅,制备纳米二氧化硅/凹土复合粉体。利用XRD、TEM、TG-DTG、氮气吸附脱附曲线等方法对复合粉体进行表征。XRD表明,二氧化硅以非晶态的形式包覆在凹土表面,防止了凹土的团聚。TEM照片显示,包覆后的纳米二氧化硅粒径减小,粒度分布均匀,表面光滑。     

原位热力加固分散土的影响因素及其作用机理研究

分散土是一种水敏性特殊土,常采用石灰等土壤固化材料进行改性处理,但是对于边坡工程,由于改性处理的施工工艺复杂,使得改性成本较高且效果往往达不到设计要求。通过泥球、碎块、针孔、双相对质量密度计等分散性判别试验以及微观结构检测、X射线衍射、红外光谱分析等微观试验,研究了原位热力加固分散土的影响因素及其作用机理。试验结果表明,温度、加热时间、压实度对热力加固分散土具有显著的影响。随着温度的升高、加热时间的延长、压实度的增加,分散土的分散性逐步减弱,直至消除。加热温度低于200℃时,分散土的分散性虽然减弱,但具有可逆性;高于200℃以上时,分散土彻底失去分散性,且具有不可逆性。分散土经过高温处理后,通过颗粒失水凝聚、盐矿物形变胶结等作用,使得颗粒团聚结构增强,水溶性离子溶出量减少,土体碱性降低,双电层厚度减小,进而土颗粒间的引力大于斥力,分散性减弱甚至消失。研究结果表明,原位热力加固技术是一项很有前景的特殊土边坡稳定处置技术。     

就地补偿柜式并联电容器装置设计问题探讨

本文针对工程设计中存在的几个技术难点进行探讨,提出了观点和依据,并介绍了计算方法。通过解读相关国家标准,并结合工程设计经验,解决了额定容量、额定电压和柜体通风量计算等设计难点,能指导工厂技术人员进行就地补偿柜式并联电容器装置设计。     

半导体及其氧化物的氢等离子体腐蚀

用氢等离子体腐蚀了半导体材料(如:GaAs、GaSb、InP、Si等)及其氧化物和氮化硅的表面。采用光谱椭圆仪、俄歇波谱仪和扫描电子显微镜(SEM)等综合分析技术,研究了刻蚀速率、表面组分和形态。实验证明:氢等离子体对于SiO_2上的硅和GaAs上的GaAs氧化物的选择刻蚀速率分别为30和2左右。还表明,经氢等离子体腐蚀的(曝露在空气中)GaAs表面上Ga/As的浓度比近似等于GaAs空气解理面上的Ga/As的浓度比。对于GaSb也得到了类似的结果。氢等离子体腐蚀过的InP表面呈现出偏析现象,即富In的表面结构。椭圆仪和电子显微镜测量的结果表明:半导体及其氧化物的腐蚀速率与被蚀物质的种类有关,对不同种类的化合物,腐蚀速率有几个数量级的差别。实验还证明:扫描椭圆仪可以用于表面腐蚀过程的监控。讨论了使用氢等离子体对材料表面制备的一些优缺点及在刻蚀方面的应用。