光敏CdS粉的制备与性能研究

光敏ＣｄＳ粉的制备与性能研究王岚＊鲍崇林王给祥（中国科学院长春应用化学研究所，长春１３００２２）关键词半导体，掺杂ＣｄＳ，烧结，静电复印硫化镉（ＣｄＳ）是重要的半导体材料，尤其在可见光范围，已经应用到光电导、压电晶体和激光材料上［１］．随着近代微电子...     

在硝酸铀(Ⅳ)还原反萃取钚(Ⅳ)的混合澄清槽实验中铀(Ⅳ)的稳定性研究

本文以肼作稳定剂,在中间工厂规模的混合澄清槽设备上研究了TBP萃取流程的铀钚反萃过程中硝酸铀(Ⅳ)还原剂的动态稳定性及肼的反应产物叠氮酸的最大积累浓度。实验中测得铀(Ⅳ)的稳定性高于文献报道的数据;叠氮酸的最大积累浓度远低于允许浓度,从而肯定了硝酸铀(Ⅳ)用作铀钚还原反萃过程中还原剂的可能性。     

Cd_2SnO_4等四种半导体薄膜制备及性能研究

采用喷涂热解法制备了以Cd2SnO4为代表的四种半导体薄膜，即Cd2SDO4，In2SnO5，TiSnO4及Zn2SnO4。测试了薄膜的半导体、光学和电学性能，得到了In2SnO5，Cd2SpO4薄膜电阻率的范围在10（－3）Ω·cm和高的透射比（可见光）；TiSnO4薄膜高的反射比（红外光）；同时，比较溅射法对结果进行了讨论。