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Hai Huang Haichao An Haibo Ma Shenyan Chen 《International journal for numerical methods in engineering》2019,117(3):291-315
This work presents an engineering method for optimizing structures made of bars, beams, plates, or a combination of those components. Corresponding problems involve both continuous (size) and discrete (topology) variables. Using a branched multipoint approximate function, which involves such mixed variables, a series of sequential approximate problems are constructed to make the primal problem explicit. To solve the approximate problems, genetic algorithm (GA) is utilized to optimize discrete variables, and when calculating individual fitness values in GA, a second-level approximate problem only involving retained continuous variables is built to optimize continuous variables. The solution to the second-level approximate problem can be easily obtained with dual methods. Structural analyses are only needed before improving the branched approximate functions in the iteration cycles. The method aims at optimal design of discrete structures consisting of bars, beams, plates, or other components. Numerical examples are given to illustrate its effectiveness, including frame topology optimization, layout optimization of stiffeners modeled with beams or shells, concurrent layout optimization of beam and shell components, and an application in a microsatellite structure. Optimization results show that the number of structural analyses is dramatically decreased when compared with pure GA while even comparable to pure sizing optimization. 相似文献
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为了提高非稳定渗流计算的计算精度 ,通过数学分析得到了水位传导系数随时间变化时 ,一类非稳定渗流井流模型的半解析解 ,并进行了计算比较 相似文献
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阜阳地区石炭-二叠系煤系烃源岩特征 总被引:2,自引:0,他引:2
阜阳地区石炭-二叠系煤系地层发育,但由于勘探程度较低,对该区煤系地层烃源岩的生烃潜力认识不清,严重制约了该区的油气勘探。在已有资料的基础上,通过有机地球化学和有机岩石学方法并结合模拟实验,探讨了该区煤系烃源岩的生烃潜力。研究结果表明阜阳地区石炭-二叠系煤系烃源岩有机质丰度达到中等-好烃源岩标准,有机质类型以腐殖型为主,盆地模拟结果显示阜阳地区石炭-二叠系煤系地层油资源量为(30.47~152.33)×106t,气资源量为(266.7~1333.7)×108m3,展示阜阳地区石炭-二叠系煤系地层具有较好的生油气潜力。 相似文献
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Chou Y.C. Leung D. Lai R. Grundbacher R. Barsky M. Kan Q. Tsai R. Wojtowicz M. Eng D. Tran L. Block T. Liu P.H. Nishimoto M. Oki A. 《Electron Device Letters, IEEE》2003,24(6):378-380
The authors have investigated the reliability performance of G-band (183 GHz) monolithic microwave integrated circuit (MMIC) amplifiers fabricated using 0.07-/spl mu/m T-gate InGaAs-InAlAs-InP HEMTs with pseudomorphic In/sub 0.75/Ga/sub 0.25/As channel on 3-in wafers. Life test was performed at two temperatures (T/sub 1/ = 200 /spl deg/C and T/sub 2/ = 215 /spl deg/C), and the amplifiers were stressed at V/sub ds/ of 1 V and I/sub ds/ of 250 mA/mm in a N/sub 2/ ambient. The activation energy is as high as 1.7 eV, achieving a projected median-time-to-failure (MTTF) /spl ap/ 2 /spl times/ 10/sup 6/ h at a junction temperature of 125 /spl deg/C. MTTF was determined by 2-temperature constant current stress using /spl Delta/G/sub mp/ = -20% as the failure criteria. The difference of reliability performance between 0.07-/spl mu/m InGaAs-InAlAs-InP HEMT MMICs with pseudomorphic In/sub 0.75/Ga/sub 0.25/As channel and 0.1-/spl mu/m InGaAs-InAlAs-InP HEMT MMICs with In/sub 0.6/Ga/sub 0.4/As channel is also discussed. The achieved high-reliability result demonstrates a robust 0.07-/spl mu/m pseudomorphic InGaAs-InAlAs-InP HEMT MMICs production technology for G-band applications. 相似文献