首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   79095篇
  免费   7489篇
  国内免费   4360篇
电工技术   4763篇
技术理论   1篇
综合类   6193篇
化学工业   12907篇
金属工艺   4220篇
机械仪表   4884篇
建筑科学   5514篇
矿业工程   2028篇
能源动力   1911篇
轻工业   8164篇
水利工程   1764篇
石油天然气   3770篇
武器工业   675篇
无线电   9038篇
一般工业技术   8988篇
冶金工业   3198篇
原子能技术   916篇
自动化技术   12010篇
  2024年   360篇
  2023年   1240篇
  2022年   2334篇
  2021年   3138篇
  2020年   2409篇
  2019年   2064篇
  2018年   2310篇
  2017年   2591篇
  2016年   2401篇
  2015年   3313篇
  2014年   4194篇
  2013年   5123篇
  2012年   5801篇
  2011年   6416篇
  2010年   5845篇
  2009年   5674篇
  2008年   5501篇
  2007年   5176篇
  2006年   4855篇
  2005年   4055篇
  2004年   2895篇
  2003年   2213篇
  2002年   2059篇
  2001年   1697篇
  2000年   1443篇
  1999年   1228篇
  1998年   859篇
  1997年   724篇
  1996年   652篇
  1995年   512篇
  1994年   414篇
  1993年   337篇
  1992年   258篇
  1991年   208篇
  1990年   122篇
  1989年   120篇
  1988年   103篇
  1987年   61篇
  1986年   51篇
  1985年   31篇
  1984年   21篇
  1983年   19篇
  1982年   25篇
  1980年   12篇
  1979年   13篇
  1978年   9篇
  1977年   10篇
  1976年   13篇
  1975年   9篇
  1951年   6篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
Supported metal catalysts, particularly noble metals supported on SiO2, have attracted considerable attention due to the importance of the silica–metal interface in heterogeneous catalysis and in electronic device fabrication. Several important issues, e.g., the stability of the metal–oxide interface at working temperatures and pressures, are not well-understood. In this review, the present status of our understanding of the metal–silica interface is reviewed. Recent results of model studies in our laboratories on Pd/SiO2/Mo(1 1 2) using LEED, AES and STM are reported. In this work, epitaxial, ultrathin, well-ordered SiO2 films were grown on a Mo(1 1 2) substrate to circumvent complications that frequently arise from the silica–silicon interface present in silica thin films grown on silicon.  相似文献   
2.
精细功能陶瓷的若干发展趋势   总被引:5,自引:1,他引:4  
肖定全 《压电与声光》1997,19(4):239-241,257
概括了分析自90年代初以来精细功能陶瓷的发展趋势,提出了一些相关的研究领域。  相似文献   
3.
钍基核燃料的基础研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
张家骅  包伯荣 《核技术》1989,12(7):405-408
  相似文献   
4.
软X射线不仅能引起红细胞表面电荷的变化,同时也能导致淋巴细胞和血小板表面电荷下降,表现为照射后它们的电泳率下降。低剂量范围内,这种电荷的变化是暂时性的,照后4小时降到最低点,24小时后恢复到对照的水平。细胞电泳率的下降与辐射剂量相关。淋巴细胞是一个复杂的细胞群,正常状态下,按细胞在电场中泳动速度的快慢,可分为两个组分:快峰为T细胞,慢峰为B细胞。软X射线照射以后,T和B细胞的电泳率皆减慢,频数分布峰值下降,离散度加大。血小板成分单一,电泳率较一致。 从照射浓集的血小板再加回自身血浆中电泳率的下降较照射血浆再加到血小板中的电泳率下降大得多;受照射的血小板在磷酸缓冲液中电泳率下降较在血浆悬液中严重得多;2000 rad照后,悬浮于血浆中的血小板电泳率能恢复,而悬浮于磷酸缓冲液中则不能恢复,三个方面来看,血浆中可能存在抗辐射因子。超氧化物岐化酶能有效地预防血小板电泳率的下降,从而可阻止血小板的凝聚。  相似文献   
5.
A 0.9 V 92 dB Double-Sampled Switched-RC Delta-Sigma Audio ADC   总被引:1,自引:0,他引:1  
A 0.9 V third-order double-sampled delta-sigma audio ADC is presented. A new method using a combination of a switched-RC technique and a floating switched-capacitor double-sampling configuration enabled low-voltage operation without clock boosting or bootstrapping. A three-level quantizer with simple dynamic element matching was used to improve linearity. The prototype IC implemented in a 0.13 CMOS process achieves 92 dB DR, 91 dB SNR and 89 dB SNDR in a 24 kHz audio signal bandwidth, while consuming 1.5 mW from a 0.9 V supply. The prototype operates from 0.65 V to 1.5 V supply with minimal performance degradation.  相似文献   
6.
7.
介绍并分析了春光油田现代油藏经营管理模式的构建与运作及实施效果.  相似文献   
8.
When a horizontal homogeneous solid is melted from below, convection can be induced in a thermally unstable melt layer. In this study the onset of buoyancy-driven convection during time-dependent melting is investigated by using similarly transformed disturbance equations. The critical Rayleigh numbers based on the melt-layer thickness are found numerically for various conditions. For small superheats, the present predictions approach the well known results of classical Rayleigh-Bénard problems, that is, critical Rayleigh numbers are located between 1,296 and 1,708, regardless of the Prandtl number. However, for high superheats the critical Rayleigh number increases with an increase in phase change rate but with decrease in Prandtl number.  相似文献   
9.
10.
We report on a single‐layer organic memory device made of poly(N‐vinylcarbazole) embedded between an Al electrode and ITO modified with Ag nanodots (Ag‐NDs). Devices exhibit high ON/OFF switching ratios of 104. This level of performance could be achieved by modifying the ITO electrodes with some Ag‐NDs that act as trapping sites, reducing the current in the OFF state. Temperature dependence of the electrical characteristics suggest that the current of the low‐resistance state can be attributed to Schottky charge tunnelling through low‐resistance pathways of Al particles in the polymer layer and that the high‐resistance state can be controlled by charge trapping by the Al particles and Ag‐NDs.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号