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1.
Supported metal catalysts, particularly noble metals supported on SiO2, have attracted considerable attention due to the importance of the silica–metal interface in heterogeneous catalysis and in electronic device fabrication. Several important issues, e.g., the stability of the metal–oxide interface at working temperatures and pressures, are not well-understood. In this review, the present status of our understanding of the metal–silica interface is reviewed. Recent results of model studies in our laboratories on Pd/SiO2/Mo(1 1 2) using LEED, AES and STM are reported. In this work, epitaxial, ultrathin, well-ordered SiO2 films were grown on a Mo(1 1 2) substrate to circumvent complications that frequently arise from the silica–silicon interface present in silica thin films grown on silicon. 相似文献
2.
精细功能陶瓷的若干发展趋势 总被引:5,自引:1,他引:4
概括了分析自90年代初以来精细功能陶瓷的发展趋势,提出了一些相关的研究领域。 相似文献
3.
4.
软X射线不仅能引起红细胞表面电荷的变化,同时也能导致淋巴细胞和血小板表面电荷下降,表现为照射后它们的电泳率下降。低剂量范围内,这种电荷的变化是暂时性的,照后4小时降到最低点,24小时后恢复到对照的水平。细胞电泳率的下降与辐射剂量相关。淋巴细胞是一个复杂的细胞群,正常状态下,按细胞在电场中泳动速度的快慢,可分为两个组分:快峰为T细胞,慢峰为B细胞。软X射线照射以后,T和B细胞的电泳率皆减慢,频数分布峰值下降,离散度加大。血小板成分单一,电泳率较一致。 从照射浓集的血小板再加回自身血浆中电泳率的下降较照射血浆再加到血小板中的电泳率下降大得多;受照射的血小板在磷酸缓冲液中电泳率下降较在血浆悬液中严重得多;2000 rad照后,悬浮于血浆中的血小板电泳率能恢复,而悬浮于磷酸缓冲液中则不能恢复,三个方面来看,血浆中可能存在抗辐射因子。超氧化物岐化酶能有效地预防血小板电泳率的下降,从而可阻止血小板的凝聚。 相似文献
5.
A 0.9 V 92 dB Double-Sampled Switched-RC Delta-Sigma Audio ADC 总被引:1,自引:0,他引:1
Min Gyu Kim Gil-Cho Ahn Hanumolu P.K. Sang-Hyeon Lee Sang-Ho Kim Seung-Bin You Jae-Whui Kim Temes G.C. Un-Ku Moon 《Solid-State Circuits, IEEE Journal of》2008,43(5):1195-1206
A 0.9 V third-order double-sampled delta-sigma audio ADC is presented. A new method using a combination of a switched-RC technique and a floating switched-capacitor double-sampling configuration enabled low-voltage operation without clock boosting or bootstrapping. A three-level quantizer with simple dynamic element matching was used to improve linearity. The prototype IC implemented in a 0.13 CMOS process achieves 92 dB DR, 91 dB SNR and 89 dB SNDR in a 24 kHz audio signal bandwidth, while consuming 1.5 mW from a 0.9 V supply. The prototype operates from 0.65 V to 1.5 V supply with minimal performance degradation. 相似文献
8.
Min Chan Kim Dong Won Lee Chang Kyun Choi 《Korean Journal of Chemical Engineering》2008,25(6):1239-1244
When a horizontal homogeneous solid is melted from below, convection can be induced in a thermally unstable melt layer. In
this study the onset of buoyancy-driven convection during time-dependent melting is investigated by using similarly transformed
disturbance equations. The critical Rayleigh numbers based on the melt-layer thickness are found numerically for various conditions.
For small superheats, the present predictions approach the well known results of classical Rayleigh-Bénard problems, that
is, critical Rayleigh numbers are located between 1,296 and 1,708, regardless of the Prandtl number. However, for high superheats
the critical Rayleigh number increases with an increase in phase change rate but with decrease in Prandtl number. 相似文献
9.
10.
Takeshi Kondo Sang Min Lee Michal Malicki Benoit Domercq Seth R. Marder Bernard Kippelen 《Advanced functional materials》2008,18(7):1112-1118
We report on a single‐layer organic memory device made of poly(N‐vinylcarbazole) embedded between an Al electrode and ITO modified with Ag nanodots (Ag‐NDs). Devices exhibit high ON/OFF switching ratios of 104. This level of performance could be achieved by modifying the ITO electrodes with some Ag‐NDs that act as trapping sites, reducing the current in the OFF state. Temperature dependence of the electrical characteristics suggest that the current of the low‐resistance state can be attributed to Schottky charge tunnelling through low‐resistance pathways of Al particles in the polymer layer and that the high‐resistance state can be controlled by charge trapping by the Al particles and Ag‐NDs. 相似文献