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1.
2.
磷石膏堆场的渗流及稳定性分析结果的可靠度取决于磷石膏物理力学参数的准确性,因此开展磷石膏工程特性研究十分必要。根据我国不同磷石膏堆场的试验数据,分别对磷石膏的物理性质、击实特性、渗透特性、固结特性和强度特性进行了分析。结果表明:磷石膏强度、压缩、渗透特性均与其压实程度密切相关,相同压实程度不同堆场磷石膏的物理力学性质相近;磷石膏渗透特性与其晶体形态有关;磷石膏在荷载作用下具有长期蠕变变形特性,磷石膏堆场封场后仍会发生较大沉降;深部磷石膏破坏时的应变大于浅层磷石膏;磷石膏剪切破坏时产生负孔隙水压力,实际工程中可通过测试孔压的变化了解堆场坝体的安全程度。 相似文献
3.
吐哈油田部分区块地层压力系数小于0.9,常规水基压井液对储层伤害大,若使用油基压井液成本高,环境污染严重。通过实验优选出了一种低密度水基微泡沫压井液。该压井液具有密度低、泡沫强度高、稳定性好、携砂能力强等优点。现场应用表明,低密度微泡沫压井液稳定时间大于48 h,密度在0.70~0.99 g/cm3之间可调,抗油污染能力强,抗油大于8%,抗温在100℃以上,岩心污染后渗透率恢复值大于80%;并且施工方便,成本低,具有储层保护能力,使用微泡沫压井液的井表皮系数在0.20~2.34之间。 相似文献
4.
采用HF HNO3溶液化学腐蚀 ,在硅片上制备减反射效果优良的多孔硅太阳电池减反射膜 ,借助原子力显微镜 (AFM)和X光电子谱 (XPS)对其表面形貌和成分进行观察 ,发现该膜与电化学阳极腐蚀得到的多孔硅具有相似性 ,其主要成分为非化学配比的硅的氧化物SiOx(X <2 )。采用带积分球的光度分光计 ,测得形成多孔硅减反射膜后 ,硅片表面反射率大大下降 ,,在波长 330~ 80 0nm范围反射率只有 1 5~ 2 9%。研究指出这种强减反射作用 ,与多孔硅具有合适的折射率及其多孔特性的光陷阱作用有关 相似文献
5.
将多块网格技术运用于三维T型管复杂流场的网格生成,利用不完全乔列斯基预处理共轭梯度,双共轭梯度方法求解N-S方程的离散方程。计算表明上述方法有良好的收敛特性,适合于诸如T型管等复杂流动的分析。 相似文献
6.
基于Matlab/Simulink的机械工程控制系统仿真 总被引:6,自引:1,他引:5
通过列举一些实例 ,分析了Matlab/Simulink软件在机械工程控制系统仿真中的应用 ,能够简化编程 ,取得了很好的效果。 相似文献
7.
封装、测试了硅尖阵列-敏感薄膜复合型阴极的真空微电子压力传感器,在计算机模拟计算的基础上,对封装好的真空微电子压力传感器进行了实物测试,得出实物测试场发射电流曲线(开启电压低,发射电流曲线与计算机模拟曲线一样,电压45V时发射电流可达到86mA,平均每个硅尖为21μA)、压力特性曲线(呈线性变化,与计算机模拟计算的曲线相近)及灵敏度数据。电压1.5V即可测试并且其压力特性成线性变化,灵敏度为0.3μA/kPa。 相似文献
8.
9.
通过对金堆地区建筑物稳定性变化的分析,提出了金堆地区浅基础设计的见解,阐明了在进行浅基础设计时,应在综合分析地质、地形、地貌、建筑物特性等因素的基础上,进行择优选择,对该地区的浅基础设计有一定的指导意义。 相似文献
10.
全耗尽CMOS/SOI技术的研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
SOI材料技术的成熟,为功耗低,抗干扰能力强,集成度高,速度快的CMOS/SOI器件的研制提供了条件,分析比较了CMOS/SOI器件与体硅器件的差异,介绍了国外薄膜全耗尽SOI技术的发展和北京大学微电子所的研究成果。 相似文献