TUD-DNS3脱硝助剂在催化裂化装置的工业应用

TUD-DNS3脱硝助剂在中韩（武汉）石油化工有限公司1号催化裂化装置上进行了工业应用。结果表明：针对两段再生工艺，当系统中助剂占总催化剂藏量的质量分数为2.6%时，烟气脱硫装置外排污水中的氨氮质量浓度由加剂前的100 mg/L下降至40 mg/L以内；助剂的加入降低了CO焚烧炉的炉膛温度，有利于烟气的合格排放，并对装置操作、产品分布及汽油、柴油产品质量无不良影响。     

An Analysis of Citation Counts of ETRI‐Invented US Patents

From its foundation until 2004, ETRI has registered over 1,000 US patents. This letter analyzes the characteristics of these patents and addresses the explanatory factors affecting their citation counts. For explanatory variables, research team related variables, invention specific variables, and geographical domain related variables are suggested. Zero‐altered count data models are used to test the impact of independent variables. A key finding is that technological cumulativeness, the scale of invention, outputs in the electronic field, and the degree of dependence on the US technology domain positively affect the citation counts of ETRI‐invented US patents. The magnitude of international presence appears to negatively affect the citation counts of ETRI‐invented US patents.     

从PZT体系看无铅压电陶瓷的可能应用

总结了主要以(Bi0.5Na0.5)TiO3和NaNbO3为基的无铅压电陶瓷的性能，以Pb(Ti，Zr)TiO3基二元系、三元系压电陶瓷的性能与应用为参考，分析了无铅压电陶瓷可能的器件应用。此外，还对拓宽无铅压电陶瓷应用需要改进的性能提出了建议。     

连续波雷达测距中的解模糊技术

研究连续波雷达测距中的距离模糊问题，分析几种常用解模糊方法的性能，并讨论参差比的选取对测距范围的影响。     

小井距开发现河油田低渗油藏可行性研究

认为注采井网井距大,水驱控制程度差,采收率偏低是影响胜利油田现河低渗透油藏开发的关键,通过井间密度与水驱控制程度和采收率的关系等分析,提出了现河低渗透油藏开发的合理的井网密度。     

水资源承载力及其研究

文章简要介绍了我国水资源情况,分析了我国水资源承载力与可持续发展的关系,并阐述了水资源承载力 研究的特点和方法。     

关于我国钢铁工业发展战略的思考

21世纪初是世界经济发展的重大战略机遇期,如何抓住机遇加快发展,是中国钢铁行业应认真思考的问题。十一五我国钢铁工业的发展,靠什么来拉动,还能靠大规模的投资吗?目前我们还不能生产的双高产品怎么办,靠花钱能买来技术吗?靠市场能换来核心产品吗?值得深思。当今,我们思考的不仅应考虑个别企业的生存问题,而更应考虑的是钢铁行业整体的长远发展问题,即     

传感器管理及其在相控阵雷达中的应用

传感器管理是数据融合的一部分。介绍了传感器管理的概念和框架 ,概述了国内外传感器管理算法的研究现状。主要工作是针对相控阵雷达这一传感器 ,通过对其不同工作模式以及不同参数的管理 ,来说明传感器管理的原理。提出了一种新的自适应采样周期算法 ,仿真结果表明该算法的优越性     

了解您的管理跨度--科研项目管理方法探索

概要介绍了科学的管理技术——项目管理方法，讨论了管理跨度在项目管理中的重要性，并推荐了如何了解管理跨度的方法。     

Solid phase crystallization of amorphous silicon on glass by thin film heater for thin film transistor (TFT) application

A new process for solid phase crystallization (SPC) of amorphous silicon (a-Si) using thin film heater is reported. With this localized Ti silicide thin film heater, we successfully crystallized 500 Å-thick a-Si in a few minutes without any thermal deformation of glass substrate. The size of crystallized silicon grain was abnormally big (30-40 μm). Polycrystalline thin film transistors (TFT) fabricated using this unique thin film heater showed better mobility than those of conventional ones by furnace annealing.