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采用 EAM多体势的分子动力学模拟表明,Ni中固溶的氢能使裂尖发射位错的临界应力强度因子KIe(θ=45°)从 1.00 MPa·m1/2降为 0.90MPam·1/2;使 KIe(θ=70°)从 0.82 MPa>·m1/2降为 0.70 MPa·m1/2,即氢能促进位错的发射 另外 氢能使(111)滑移面上的 Griffith裂纹解理扩展的临界应力强度因子KIG(θ=0°)从 1.03 MP·am1/2降为0.93 MPa·m1/2、即氢使(11)面的表面能下降 γ111(H)=0.82θθγ111;从而促进位错的发射 透射电#(TEM)原位观察表明,在氢致裂纹形核之前氢就能促进位错的发射和运动。 相似文献
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利用电子束刻蚀和真空蒸镀法,在单要氧化锌纳米带和SiO2/Si片上,制备了金纳米电极,采用四端法对氧化锌带的电流-电压(I-V)特性进行测量。实验发展氧化锌纳米带/金电极组成的体系存在三种完全不同的I-V特性曲线,分别为对应于较淖电阻的非对称阀值型曲线以及电阻较大的整流型和线性对称曲线,我们认为这主要是由于氧化锌纳米带和电极的接触情况不同所造成的。测量表明器件在不同环境下(空气和真空)具有不同的I-V特性,表面在当测量环境由空气变为真空时,前一类的I-V特性变化不大,而后一类由整流型变为线性对称型。 相似文献
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系统研究了以Nafion112膜为电解质的氢传感器在不同工作环境下的氢敏感性能.结果表明,以Nafion112膜为电解质的氢传感器对氢具有很好的敏感性,可以实现微量氢气泄漏的快速检测.该传感器在氢气体积分数为(500~3000)×10-6时的响应电压与氢气体积分数的对数呈线性关系,为标定不同环境下氢气含量与传感器响应电压的对应关系提供了依据.在相同湿度条件下,传感器响应电压随温度的升高而下降.湿度对传感器响应电压的影响与温度相关:温度较低时,响应电压随湿度的增加而下降;温度较高时,响应电压随湿度的增加而升高. 相似文献
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通过实验和第一性原理计算的方法研究了氢致PZT-5H铁电陶瓷导电性变化的规律和机理.随着充H含量的增加,PZT-5H陶瓷的电阻率逐渐降低,当陶瓷中总H的质量分数为11.2×10-6时电阻率降至1.51×109Ω.cm,介于半导体和绝缘体之间.随着H含量进一步升高,霍尔效应表明PZT-5H陶瓷变成n型半导体.第一性原理计算表明,当进入Pb(Zr0.5-Ti0.5)O3晶格的H质量分数等于临界值(96×10-6)时,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]32H系统变成了半导体;随着H含量的升高,态密度图向低能方向平移,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]nH系统变成了导体. 相似文献