微乳液法制备碳酸铅

以醋酸铅和碳酸钠为原料,选择优化的工艺条件,用微乳液法制备得到碳酸铅.结果表明,在S-60为分散剂的微乳液体系中制备得到超细碳酸铅,粒度分布均匀.采用正交实验法得到最佳实验条件:稀释5倍的S-60为分散剂,碳酸铅溶液pH值为2.0,碳酸铅浓度为0.01 mol/L,搅拌速度为1200 rpm.     

软模板法制备超细钨酸铅

钨酸铅集中了钨和铅的抗辐射特性,制造粒径超细的钨酸铅以提高其防辐射的能力很有特色.钨酸铅的粒度大小直接影响它对放射性物质的防护能力,粒度越小分散越均匀的钨酸铅,防护能力越好.软摸板合成法研究超细PbWO4的制备,严格的实验条件,是保证获得超细、均匀的钨酸铅的重要途径,优于其他物理和化学制备方法.以表面活性剂作软摸板,用S-60为水体系的W/O微乳液区成功地合成了超细PbWO4.实验结果证明,以S-60为分散剂的软摸板制备的超细PbWO4,粒度分布均匀,采用正交实验法创造最佳实验条件:以S-60为表面活性剂,分散剂浓度为稀释30倍,溶液pH值为9,反应物浓度为0.01 mol/L,搅拌速率1300 rpm,Pb(Ac)2溶液缓慢滴加到Na2WO4溶液中,得到超细的目标产物,用于防辐射的填料.     

PVDC-MA水汽阻隔涂料的制备与性能

通过溶液聚合法制备了偏氯乙烯-丙烯酸甲酯共聚物涂覆型涂料,并采用傅里叶红外光谱仪、热重分析仪以及凝胶渗透色谱仪对共聚物进行了表征,确定该共聚物的聚合条件为:单体配比m(偏氯乙烯)∶m(丙烯酸甲酯)=88∶12,引发剂过氧化苯甲酰与N,N-二甲基苯胺的用量为单体总质量的0.6%,反应时间20h;以四氢呋喃与乙酸丁酯为混合溶剂,当体积比为0.4∶1时涂覆后成膜情况最好,涂膜水汽透过率为5.42g/(m2.24h)。     

白炭黑原位填充的改性室温硫化硅橡胶胶黏剂

采用原位填充白炭黑与甲基丙烯酸(酯)改性相结合的方法制备了室温硫化(RTV)硅橡胶胶黏剂,用红外光谱与凝胶渗透色谱表征了RTV硅橡胶的结构及其胶黏剂的相对分子质量,用扫描电子显微镜分析了白炭黑的分散性,并考察了胶黏剂对金属铝黏接性能的影响因素。结果表明,RTV硅橡胶、甲基丙烯酸(酯)与白炭黑形成了共聚物;随着白炭黑含量的增加,胶黏剂的相对分子质量分布变宽;当偶联剂γ-氨丙基三乙氧基硅烷/正钛酸四丁酯(质量比3)质量分数为1.5%,白炭黑质量分数为1.5%,交联剂原硅酸四乙酯及催化剂二月桂酸二丁基锡的质量分数分别为1.0%,0.1%时,胶黏剂粘接铝的最大剪切强度可达到5.64MPa。     

影响粉煤灰泡沫玻璃质量的因素研究

本文对发泡剂种类与掺量、发泡温度、发泡时间、烧结温度、烧结时间、粉煤灰细度与掺量、稳定剂种类与掺量对粉煤灰泡沫玻璃质量的影响进行了研究，找出了生产粉煤灰泡沫玻璃的最佳参数，粉煤灰泡沫玻璃性能优良，可作为隔热保温材料的换代产品。     

多种类工业副产物制备硅酸盐水泥熟料研究

利用重晶石尾矿、铅锌尾矿和奎硅钙渣复合配料燃烧硅酸盐水泥孰料。研究结果表明,用多种类工业副产物能显著改善水泥生料易烧性,加速水泥熟料的形成,提高水泥熟料的强度,尤其是早期强度,1天抗压强度可达20MPa以上,可用引种配料工艺生产早强水泥。     

编码孔径和解码孔径的设计

基于光学外差扫描全息术 3D成像的基本原理和编码孔径成像技术 ,设计了用于正在研制的“近红外扫描全息光学层析成像系统”中的编码孔径和解码孔径。当编码函数非负时 ,设计能取正负值的解码函数可以改善系统的点扩散函数 ,使其更接近于理想的二维 δ函数。在点扩散函数分布中的均匀或起伏较小的背景将降低重建图像的对比度。计算机模拟结果表明 ,采用对比度增强技术可以减少菲涅耳波带板和非冗余小孔阵列编码孔径重建图像的背景噪音 ,提高图像的对比度     

乳液共混法制备纳米SiO_2/BIIR复合材料及其性能研究

采用溶液乳化法制备出了溴化丁基胶乳,并通过乳液共混法制备纳米SiO2/溴化丁基橡胶(BIIR)复合材料。结果表明,改性的纳米SiO2可以很好的分散在溴化丁基橡胶胶乳(BIIRL)中;通过涂布成型硫化后,纳米SiO2/BIIR复合材料具有良好的物理性能,其断裂伸长率、拉伸强度和拉伸断裂应力都得到了较大提高;在SiO2用量很少的情况下,气密性得到了显著的提高。     

超热氢交联技术对聚氯代对二甲苯膜表面润湿性的影响

为了解决聚氯代对二甲苯膜(PC膜)表面润湿性较差的问题,采用一种新的表面改性方法即超热氢交联技术(HHIC),引发亲水性高分子聚丙烯酸(PAA)在PC膜表面的接枝反应,从而提高其表面润湿性。实验采用接触角测试仪、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外可见光分光光度计对HHIC改性前后薄膜的润湿性、表面化学结构、表面物理形貌、薄膜透光率的变化进行了表征。结果表明,HHIC改性能够在PC薄膜表面有效地接枝具有极性官能团的PAA分子,导致改性后PC膜表面的接触角由最初的84°下降到23°。除此之外,改性后PC膜的透光率并没有明显下降,表明HHIC改性没有对PC膜本体造成物理性的破坏。     

LiNbO3晶体中引入π位相差实现选择性擦除

在晶体中进行大容量多重体存储 ,需要对晶体中记录数据进行修改 ,这就使得选择性擦除必不可少。介绍了铌酸锂晶体中实现选择性擦除的原理 ,着重介绍了在物光和参考光中引入π位相差的几种方法 ,通过引入π位相差来记录互补全息图 ,利用全息图及其他的互补全息图的非相干叠加来消除原全息图对晶体折射率的调制 ,从而实现对未定影全息图的选择性擦除。实现了在晶体中某一数据页面内部分数据的擦除 ,并从理论上对实验结果进行了分析。并给出了在某一数据页面内进行部分擦除的实验结果