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1.
功率密度对中频磁控溅射制备的氧化锌镓薄膜性能的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
利用中频磁控溅射方法,溅射Ga2O3含量为6.7wt%的氧化锌镓陶瓷靶材,在低温下(约40℃)制备了ZGO薄膜.考察了溅射功率密度对ZGO薄膜的晶体结构、电学和光学性能的影响.结果表明:溅射功率密度对薄膜的结构、红外反射以及导电性能有较大影响.当溅射功率密度为3.58W/cm2,氩气压力为0.8Pa时,薄膜的电阻率低达1.5×10-3Ω·cm,方块电阻为23Ω时,可见光(λ=400nm~800nm)平均透过率高于90%. 相似文献
2.
热丝CVD金刚石薄膜制备及碳纳米管形核作用的研究 总被引:5,自引:0,他引:5
利用热丝化学气相沉积法(HF-CVD)进行了金刚石薄膜制备和碳纳米管形核作用的研究。获得了制备金刚石薄膜的优化工艺参数。利用碳纳米管作为形核前驱获得了高质量的金刚石薄膜,其沉积速率可达2.5μm/h,晶粒生长完善,而且没有出现聚晶现象。研究了碳纳米管涂料质量对薄膜沉积特性的影响,并对其机理进行了初步探讨。 相似文献
3.
用常压烧结方法,在1200℃-1350℃烧结不同含B量的掺硼氧化锌(ZBO)靶材。研究了掺杂量、烧结温度对ZBO靶材微观结构的影响。实验表明,随着烧结温度的增加。ZBO陶瓷的晶粒大小和密度逐渐增大。指出了由于B2O3的挥发,造成ZBO靶材的剩余含B量与掺B量的不符,要获得含定量B的ZBO就必须掺入大约2倍所需量的B2O3。 相似文献
4.
5.
铜铟镓硒薄膜太阳能电池的发展现状以及应用前景 总被引:19,自引:1,他引:19
首先介绍了铜铟镓硒薄膜太阳能电池结构、性能特点以及目前在研究和生产过程中电池的制备方法和工艺;着重阐述了工业发达国家以及相应大公司在铜铟镓硒薄膜太阳能电池方面最新进展以及发展趋势,特别介绍了一些太阳能电池的实验室样品和组件的最高光电转化效率.也对国内在此方面的研究做了简要介绍.文中最后探讨了我国发展铜铟镓硒太阳能电池的可行性和产业化前景. 相似文献
6.
采用中频交流磁控溅射方法,在玻璃基底上依次沉积了Mo、CuIn、CuGa薄膜,制备了CuInGa(CIG)双层预制膜,采用固态硒化法制备获得了Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)吸收层薄膜,考察了CuGa层制备过程中工作气压的改变,对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构。结果表明,改变溅射制备CuGa层的工作气压,所获得的CIG双层预制膜均由Cu11In9、CuIn和CuGa组成。在溅射制备CuGa层的工作气压为1.0Pa的条件下所获得的CIG双层预制膜经过硒化后,获得的CIGS薄膜致密。采用不同结构的双层预制膜,在不同的硒化时间下制备的CIGS薄膜,均具有黄铜矿相结构,薄膜具有(112)面的择优取向。 相似文献
7.
本文利用脉冲直流反应磁控溅射的方法制备了五氧化二钽 (Ta2 O5)薄膜 ,俄歇电子能谱仪测试了薄膜的成分含量 ,椭偏仪测试了Ta2 O5薄膜的厚度和折射率 ,XRD分析了薄膜的晶体结构 ,并且分别研究了氧气含量、基底温度等成膜工艺对薄膜的影响。研究结果表明薄膜的成分主要是由氧气含量决定的。利用金属 绝缘体 (介质膜 ) 金属 (MIM)结构初步对Ta2 O5薄膜进行了电学性能的测试 :皮安电流电压源测试了薄膜的I U特性 ,制备出的薄膜折射率在 2 1~ 2 2 ,MIM的I U特性曲线显示了较好的对称性和低的漏电流密度 相似文献
8.
采用中频交流磁控溅射方法,在Mo层上沉积了多层和双层CuInGa(CIG)预制膜,采用固态硒化法制备获得了Cu(In1-xGax)曳(CIGS)吸收层薄膜,考察了预制膜对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构。结果表明,CIG多层预制膜由Cu11In9、CuIn和In相组成,CIG双层预制膜由Cu11In9、CuIn、In和CuGa相组成。通过硒化CIG双层和多层预制膜,所获得的CIGS薄膜均为黄铜矿相结构,薄膜具有(112)面的择优取向。当硒化时间为17min时,通过硒化CIG双层预制膜所获得的CIGS薄膜出现了上层致密,下层疏松的结构.延长硒化时间为25min.CIGS薄膜蛮得致密。 相似文献
9.
溅射功率对CIGS吸收层前驱膜成分和结构的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用中频交流磁控溅射方法制备了CuIn、CuGa和CIG合金膜。采用SEM和XRD观察和分析了各种薄膜的表面形貌、成分和组织结构。着重分析了靶功率密度对薄膜成分、晶体结构的影响。结果表明,通过调节靶功率密度,能精确控制薄膜中CuI、n、Ga比例。制备得到了Cu/(In Ga)原子比接近1,且Ga/(In Ga)比例可调的成分分布均匀的CIG薄膜。CIG前驱膜是以Cu11In9为基础相,Ga原子主要是以替代In原子的固溶体形式存在。当溅射CuIn和CuGa合金靶的功率密度分别为0.26和0.10 W/cm2时,可制备得到由Cu11In9和CuIn两相组成的理想的CIG前驱膜。 相似文献
10.
退火温度对TiO2薄膜结构和表面形貌的影响 总被引:5,自引:0,他引:5
研究了退火温度对中频交流反应磁控溅射技术制备的TiO2薄膜结构和表面形貌的影响。利用X射线衍射 仪和原子力显微镜,检测了TiO2薄膜的晶体结构和表面形貌。实验结果显示:沉积态TiO2薄膜为非晶态;低温(700℃以下)退火后,TiO2薄膜出现锐钛矿相,晶粒长大不明显;高温退火(900℃以上)后,薄膜转变为金红石相,晶粒由柱状转变为棱状,并迅速长大至微米量级。 相似文献