磷在钢回火脆性发展时的非平衡偏聚及钼的影响

用俄歇能谱仪和扫描电镜研究了中碳钢和含钼中碳钢在回火脆性发展过程中Ｐ在晶界上的偏聚。发现在４８０ ℃回火时,两种钢均在晶界出现Ｐ的浓度峰值。含钼中碳钢中的Ｍｏ 减小了晶界断裂比例,但并不改变Ｐ的浓度峰值。同时还观察了Ｓ、Ｃ、Ｍｏ 等组元在晶界的偏聚。Ｐ在晶界的浓度峰值可以用磷－空位复合体的非平衡偏聚机制加以解释。     

Si衬底上Co薄膜氧化观察SCIEI

用透射电子显微镜和Ｘ射线衍射方法研究Ｓｉ衬底上的Ｃｏ薄膜氧化．发现：在５５０℃以下，薄膜氧化产物是ＣｏＯ；在９００℃再次进行真空热处理，ＣｏＯ能转变为硅化物．薄膜氧化，对Ｃｏ／Ｓｉ界面硅化物转变有影响．     

Co－Si界面低温（≤450℃）相变的电子显微术研究

本文用透射电镜的衍射方法，研究Ｃｏ薄膜和衬底之间的界面的低温相变．用小角解理方法制备的室温原始样品经分析发现：室温下薄膜没有相变．在２５０℃，Ｃｏ２Ｓｉ为最先形成的硅化物；２５０℃３０分钟处理后，产生大量的ＣｏＳｉ相．４５０℃１小时处理形成单相的ＣｏＳｉ．从本实验结果与前人研究结果对比发现：观察手段、样品制备方法、镀膜方法等因素会影响低温相变结果．     

中子辐照 GaAs 缺陷的退火行为研究

采用霍尔测量、沟道卢瑟福背散射（ 沟道 Ｒ Ｂ Ｓ） 以及低温光荧光方法对中子辐照 Ｇａ Ａｓ 缺陷的快速退火行为进行了研究。嬗变杂质锗未能全部激活的原因之一是部分锗原子占据砷位形成受主。在快速退火过程中可形成反位缺陷 Ｇａ Ａｓ（ Ｅｖ ＋ ２００ ｍｅ Ｖ） 以及复合缺陷 Ｉ Ｇａ － Ｖ Ａｓ 。     

超低碳钢等温过程中杂质的晶界偏聚研究

用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和扫描电镜（ＳＥＭ）研究了超低碳钢在９００℃等温时Ｐ,Ｓ,Ｃ,Ｂ等杂质元素在晶界的偏聚问题,结果发现,等温初期Ｐ,Ｂ在晶界的含量出现峰值,保温一定时间后,晶界Ｓ含量也出现峰值碳的晶体含量随等温时间递增,长时间等温,偏聚到晶界的组元发生相互作用和位置竞争。     

回火脆性的杂质。空位复合体非平衡偏聚机制

提出了钢回火脆性的杂质－空位复合体机制。研究了４０Ｃｒ钢５３８℃长时间回火脆化动力学，发现５０％ＦＡＴＴ（脆韧转变温度）随回火时间变化的规律与所提出的机制吻合较好。用扫描电镜观察冲击断口形貌，表明沿晶断口的比例呈规律性变化。用俄歇电子谱仪测定了晶界磷浓度的变化。     

Co—Si界面低温（≤450℃）相变的电子显微术研究

本文用透射电镜的衍射方法，研究Co薄膜和衬底之间的界面的低温相变。用小角解理方法制备的室温原始样品经分析发现：室温下薄膜没有相变。在250℃，Co2Si为最先形成的硅化物；250℃30分钟处理后，产生大量的CoSi相。450C1小时处理形成单相的CoSi。从本实验结果与前人研究结果对比发现：观察手段、样品制备方法、镀膜方法等因素会影响低温相变结果。     

连续冷却过程中低碳贝氏体钢的晶界化学

用俄歇电子能谱仪分析了低碳贝氏体钢奥氏体后炉冷，空冷，油冷和水冷时Ｃ，Ｂ，Ｐ，Ｓ等元素在晶界的偏聚行为，结果发现：在不同冷却速度下，各元素在晶界的偏聚量不同，慢冷速，Ｂ，Ｐ晶界浓度较高，快冷速下Ｓ晶界浓度较高。Ｃ在晶界的浓度随冷速的提高增加至一定值后趋于平衡，晶界上元素Ｃ，Ｂ，Ｐ，Ｓ之间，存在化学相互作用及位置竞争现象，用扫描电镜观察了断口形貌。     

热镀铝中硅的影响及其作用机制

采用扫描电镜、电子探针及Ｘ射线研究了７２０～７３０℃热浸，纯Ａｌ、Ａｌ＋１．７％Ｓｉ，Ａｌ＋３．６％Ｓｉ三种钢板镀层，结果表明：加Ｓｉ镀层结构改变，并对界面合金层生长有强烈的抑制作用，Ｓｉ量增加抑制作用明显。分析表明，Ｓｉ占据了Ｆｅ２Ａｌ３中Ａｌ原子快速扩散的空位位置，从而导致合金层的缓慢生长。