用CMOS工艺实现非接触IC卡天线的集成化设计

论述了用CMOS工艺实现非接触式IC卡天线的集成化需要考虑的各个方面,建立了集成天线的模型,给出了合理的设计方案,并通过实验验证了模型和设计方案.实验结果表明,采用片上天线完全可以提供非接触式IC卡工作所需要的能量.在频率为2 2 .5 MHz、感应强度为6×10 - 4 T的磁场中,面积为2 m m×2 mm的集成天线可以为10 kΩ的负载提供1.2 2 5 m W的能量.     

微通道电泳芯片系统中信号识别算法的设计与实现

介绍适用于微通道电泳芯片系统的DNA测序软件的总体流程，以及其中的信号处理与识别算法。以激光诱导荧光检测系统所采集到的原始数据为源信号，以小波平滑和小波去噪为理论基础，将滤波算法和峰值识别算法综合在一起进行设计，从而使其适用于检测速度更快、样品量更少的微通道电泳芯片系统。将本算法应用于DNA片段的分离实验中，可以有效地达到滤波以及信号识别的目的。     

BEHAVIOUR OF FLUORINE IN BLAST-FURNACE SMELTING Ⅱ.SMELTING PAO-TOU IRON ORE IN AN EXPERIMENTAL BLAST-FURNACE

为了研究包头铁矿的冶炼特性及由于矿石含氟所引起的一系列问题起见,我所于1955年11月筹建了有效容积约为1米~3的实验高炉一座及全部附属设备。1955年11月30日至12月8日及12月20日至12月24日进行了二次试炉。经过设备上的改进后,于1956年1月20日至2月11日及4月23日至5月29日进行了二次冶炼试验,获得设计上所要求的的主要数据后停炉。在实验高炉冶炼试验期间并进行了4次物质平衡的试验。结果发现绝大部分的氟进入炉渣中,进入炉尘中的氟石多,而高炉煤气中的氟极低.     

SOME ASPECTS OF THE THERMODYNAMICS OF MELTS

为了从二元系中两组元活度的测定值之比求得该两组元的活度值,导出了一个变通的 Gibbs-Duhem 方程式,并在 PbCl_2-SnCl_2,PbCl_2-CdCl_2,AgCl-CuCl,Cu_2S-FeS,PbO-BiO_(1.5),PbO-SbO_(1.5),CaO-CaF_2及 CaO-SiO_2-CaF_2等冶金熔体中得到应用.多年前所发展的从 Ag 和 Pb 二元相图求得两组元活度的方法已扩大到含有单个 AB 化合物的二元系.用这一方法已求得 In-Sb 和 Sn-Te 系中各组元的活度.在研究某些黑色冶金渣与金属间的平衡时,用一适当选择的非铁金属代替 Fe作为熔剂金属有助于克服某些实验上的困难.采用 Sn 或 Cu 与熔渣平衡研究了 CaO-SiO_2,CaO-Al_2O_3和 CaO-SiO_2-Al_2O_3体系.对 CaO-SiO_2二元系获得的数据可以认为具有足够的准确度来验证 Masson 模型的合理性.     

氟在高炉冶炼中的行为——Ⅱ.包头铁矿的实验高炉冶炼试验

为了研究包头铁矿的冶炼特性及由于矿石含氟所引起的一系列问题起见,我所于1955年11月筹建了有效容积约为1米~3的实验高炉一座及全部附属设备。1955年11月30日至12月8日及12月20日至12月24日进行了二次试炉。经过设备上的改进后,于1956年1月20日至2月11日及4月23日至5月29日进行了二次冶炼试验,获得设计上所要求的的主要数据后停炉。在实验高炉冶炼试验期间并进行了4次物质平衡的试验。结果发现绝大部分的氟进入炉渣中,进入炉尘中的氟石多,而高炉煤气中的氟极低.     

芯片实验室的制备技术

阐述了芯片实验室的材料、微细加工、流体驱动等制备技术的近期研究进展。系统介绍了芯片实验室的各种制备技术,这些技术包括紫外光刻、软刻蚀、LIGA技术、DEM技术、键合等。流体驱动是芯片实验室的动力,对多种新颖的流体驱动设计进行了对比,这些设计包括压力驱动、电渗驱动、电水力驱动、表面张力驱动、离心力驱动等。     

用镁处理铸铁时的去硫作用(摘要)

当用镁处理铁水时,去硫作用进行得很猛烈。加镁在铁水中产生下列反应:FeS(液体)＋Mg(气体)＝Fe(液体)＋MgS(固体)铸铁的含硫量通常为0．1—0．15%,加镁处理后,约降低到0．01—0．03%,这样镁就除去硫0．09~0．12%,而所需的镁是0．07—0．09%。所以在铸铁中加镁时,应当考虑用于去硫作用上的镁量。     

界面态对AlGaAs/GaAs HEMT直流输出特性的影响

本文利用高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）的直流输出分析模型,首次定量地分析了界面态对ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ直流输出特性的影响．考虑界面态的作用,详细分析了不同界面态密度对ＨＥＭＴ的ＩＶ特性和器件跨导的影响．我们的研究结果表明随着界面态密度的增加,栅极电压对电流的控制能力减小,从而使器件的跨导减小．     

球墨铸铁的两个试验——铁水维持时间和加铝影响

1952年8月2日至16日,上海各球墨铸铁铸造厂连续举行了两次球墨铸铁会议,报了各厂一年来的情况、收获和在铸造过程中发现而尚未解决的问题,并进一步讨论了今后铸造上将产生的问题,而作出决定、建议和办法,其中一小部份记录已在上期本刊发表,这里刊载的是徐元森同志发言的一部份,未经发言人过目,如有错误由本刊负责。关於会议的大概情况及出席者、整录者,请参看上期本刊。整个记录将另刊专辑。编者     

N~+型重掺杂硅快速氧化新方法──氟化氢增强氧化之二

本文对重掺杂单晶硅和多晶硅薄膜的加HF增强氧化的行为进行了研究。氧气中HF含量为480ppm,温度为750至900℃。发现重掺磷或砷的硅的氧化反应速率很快,速率常数比轻掺杂硅的干氧氧化提高了几十倍至几百倍。而重掺硼的硅单晶对氧化速率并无明显影响。文中对重掺杂元素和HF增强硅氧化的机理作了分析,并提出了一个物理模型,可以较好地解释实验现象。