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利用DSC测试和等转变量法获得了经淬、回火后的GCr15轴承钢在不同时效温度下残留奥氏体分解和碳化物转变的动力学模型,并利用XRD、SEM、洛氏硬度等测试方法,对不同温度时效不同时间后的微观组织进行了分析。结果表明,动力学模型能对时效过程中的组织演变进行较为准确的预测,时效处理可以降低残留奥氏体的含量,提高其相内碳浓度,但是同时也会促使碳化物颗粒长大,并使材料的洛氏硬度有所降低。 相似文献
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用紧束缚下的Muffin-tin轨道线性组合方法研究了单层Co原子在理想的Si(100)表面的化学吸附.计算了Co原子在不同位置时吸附体系的能量.结果表明,Co原子在C位(四度位)时吸附最稳定,在Co/Si(100)界面存在Co、Si混合层.同时对电子转移情况和层投影态密度进行了研究. 相似文献
3.
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场和量子点的三维约束效应,研究了Al含量对局域在GaN/AlxGa1-xN量子点中激子性质的影响.结果表明,随着Al含量的增加,GaN/AlxGa1-xN异质界面处的导带不连续性增强,势垒变高,载流子受到的约束增强,激子结合能增加,电子空穴的复合率先增大后减小,且存在最大值.对给定体积的量子点,随其高度的变化激子结合能存在最大值,相应的电子空穴被最有效约束,激子态最稳定. 相似文献
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用紧束缚下的Muffin tin轨道线性组合方法研究了单层Co原子在理想的Si(10 0 )表面的化学吸附.计算了Co原子在不同位置时吸附体系的能量.结果表明,Co原子在C位(四度位)时吸附最稳定,在Co/Si(10 0 )界面存在Co、Si混合层.同时对电子转移情况和层投影态密度进行了研究. 相似文献
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利用第一性原理方法计算了空位和Si(硅)替位掺杂对In(钢)原子在石墨烯上吸附的影响.结果表明:在低覆盖度下,空位比Si替位掺杂更能增强In在石墨烯上的吸附,主要原因在于空位引入更多的悬挂键,加强了In和石墨烯之间相互作用.而对于较高覆盖度,Si替位掺杂却比空位对In吸附在石墨烯上的影响更强.无论是较高覆盖度还是低覆盖度,空位和Si替位掺杂均增强了In在石墨烯上的吸附. 相似文献
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利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了约束在GaN/AlxGa1-xN圆柱形量子点中的激子特性与量子点的结构参数以及势垒层中Al含量之间的关系.结果表明:对给定大小的量子点,随其高度的增加激子结合能出现一最大值,此时载流子被最有效的约束在量子点内;内建电场使量子点的有效带隙减小,电子、空穴产生明显分离,从而影响量子点的光学性质.理论计算的光跃迁能和实验结果一致. 相似文献
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通过光学显微镜、拉伸试验和低温冲击试验研究了1040、1060和1080℃温度固溶处理S22053双相不锈钢的组织、室温力学性能和低温冲击性能。结果表明:不同温度的固溶处理会造成S22053不锈钢α相与γ相两相比例、形态的变化,进而造成其室温拉伸性能和低温冲击性能的变化。随着固溶处理温度的提高,S22053不锈钢的强度会出现一定程度的提高,而伸长率和断面收缩率几乎不受影响。试样的低温冲击性能随着固溶温度的升高先增加再显著降低。 相似文献
8.
利用正电子寿命谱对Sol-gel法制备的ZnO压敏陶瓷材料进行了研究,分析了寿命参数与材料致密度和非线性系数a之间的关系,讨论了不同的烧结温度及时间的对ZnO压敏特性的影响。 相似文献
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采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,研究了Cr和Mo掺杂对单层WSe2能带结构的影响。计算结果表明,Mo对单层WSe2的能带结构没有影响,而Cr则影响很大。随着掺杂浓度的增加,带隙宽度逐渐减小,能带由原来的直接带隙变为了间接带隙。Cr掺杂后所产生的应力是导致能带结构发生变化的直接原因。 相似文献
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利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场和量子点的三维约束效应,研究了Al含量对局域在GaN/AlxGa1xN量子点中激子性质的影响.结果表明,随着Al含量的增加,GaN/AlxGa1-xN异质界面处的导带不连续性增强,势垒变高,载流子受到的约束增强,激子结合能增加,电子-空穴的复合率先增大后减小,且存在最大值.对给定体积的量子点,随其高度的变化激子结合能存在最大值,相应的电子-空穴被最有效约束,激子态最稳定. 相似文献
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