PLD方法制备α—DLC薄膜硬度与应力研究

用脉冲激光沉积(PLD)方法,在单晶Si(100)面上制备超硬非晶类金刚石薄膜(α-DLC),研究了α-DLC的表面形貌、结构、应力、硬度及杨氏模量.原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)图像显示,薄膜表面平整、致密且光滑(最大均方根粗糙度仅为0.877nm).小角衍射(XRD)分析表明薄膜中的结构为非晶态并且有巨大的残余应力,计算表明,最大残余应力可达34.9GPa,并且与激光重复频率和能量密度成正比,一定温度的原位退火可以有效降低薄膜的残余应力;纳米压痕测试表明薄膜硬度>20GPa,弹性模量>200GPa.     

PMMA/铜微米线阵列复合材料的制备

针对内爆物理实验对编码靶的需求,采用多级集束热拉伸法,制备了包埋聚苯乙烯(PS)编码阵列结构的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)复合丝,经切片、溶解等处理后,得到了具有6孔和26孔编码阵列结构的PMMA模板,再通过电化学沉积得到PMMA/Cu编码阵列复合材料。光学显微镜、微米CT及SEM观测表明,二级拉伸后PS结构直径减小到几十微米,三级拉伸得到的PMMA模板孔径及孔间距一致,分别为5μm和2μm;铜丝径及丝间距与对应的模板一致,铜丝长度达到了30μm;铜微米线在基体中呈规整的编码阵列分布,且表面完整平滑。这2种具有特定尺寸与排列方式的铜微米丝阵列的成功制备,为微纳米阵列的可控制备提供了一种新的方法。     

工作气压对磁控溅射Mo膜的影响

采用直流磁控溅射沉积技术在不同工作气压下制备Mo膜,研究了工作气压对Mo膜的沉积速率、表面形貌及晶型结构的影响规律,研究表明:工作气压在0.1～0.5 Pa范围内,沉积速率基本保持不变,在0.5～1.5 Pa范围内沉积速率随工作气压的升高而增大;Mo膜的表面粗糙度随工作气压的升高而增加;不同工作气压下制备的Mo膜为立方...     

SrLaAlO_4晶体掺Co~(2+)离子的吸收光谱解释

采用赵、杜提出的半自洽场(semi-SCF)d-轨道波函数模型,利用强场四角图象近似,解释了掺杂晶体SrLaAlO4:Co2+的吸收光谱。计算结果表明:18830 cm-1不是一条双中心跃迁,而是4E(4T1,e2t25)态对基态的跃迁;理论分析结果与实验值吻合较好。     

热蒸发制备CdSe薄膜的退火工艺研究

采用真空热蒸发技术在光学玻璃基底上制备了CdSe薄膜,研究了真空下不同退火温度和退火时间对CdSe薄膜晶体结构和表面形貌的影响。XRD结果表明,在400~500℃范围下退火2h、5h的CdSe薄膜晶型不发生改变,结晶性随退火温度升高而增强,其晶粒尺寸从32nm增加至50nm。SEM结果表明,在450℃下退火2h后的CdSe薄膜表面颗粒分布均匀且排列规则、无裂纹。AFM结果表明,在450℃下退火2h后的CdSe薄膜致密性好,表面粗糙度低(5.19nm)。因此采用真空热蒸发制备的CdSe薄膜的热处理条件确定为:退火温度450℃,退火时间2h。     

不同激光波长和功率下的Bi2Se3单晶Raman光谱

采用改良Bridgman法制备出优质Bi_2Se_3单晶。X射线衍射仪和扫描电子显微镜测试结果显示,晶体沿[001]方向生长,结晶性能好。采用两种波长(532和785 nm)及不同功率的激光光源,对Bi_2Se_3单晶体(003)面进行了Raman光谱研究。结果表明:在功率较高时,随着激光功率的增加,Raman特征峰系统性红移和半高宽增大,此时峰位红移是由激光功率的增加,测试区域温度升高,晶格膨胀和声子间的非简谐振动耦合共同导致;在功率较低时,热膨胀可能是造成Raman峰位红移的主要原因。     

电解抛光技术研究进展

介绍了电解抛光技术的研究现状﹑特点及抛光原理,分析了工件表面粗糙度的主要影响因素。指出了电解抛光技术存在的问题。