Sb对Mn50Ni40In10合金相变及磁性的影响

研究了Sb替代部分In对铁磁性形状记忆合金材料Mn50Ni40In10相变和磁性的影响。研究表明,在掺杂后形成的Mn50Ni40In10-x Sbx系列合金中,随着Sb含量的增加,马氏体的逆相变温度逐渐升高,居里温度逐渐降低。其相变温度的升高主要归结于电子浓度和晶格体积的变化以及电子轨道的杂化作用。Sb掺杂会导致样品马氏体相和奥氏体相之间的饱和磁化强度差ΔM的变化,x<0.6的微量掺杂会使ΔM增大,x>0.6时,ΔM随着掺杂量的增加而逐渐降低甚至减为零。x=0.6的样品(Mn50Ni40In9.4Sb0.6)在20kOe的外场作用下ΔM达到74emu/g,同时在该材料中观察到了磁场驱动的马氏体到奥氏体的转变,显示出该材料作为磁驱动形状记忆材料的潜在应用前景。     

单晶Ni52Mn24Ga24的磁感生应变和磁增强双向形状记忆效应

铁磁性Heusler合金Ni2MnGa是近年开发的磁控制功能材料,已发现该材料结合马氏体相变可以产生大磁致伸缩（磁感生应变）和磁控制形状记忆效应两种应用功能。用磁悬浮冷坩埚提拉设备沿[001]方向生长了组分为Ni52Mn24Ga24的单晶,室温时沿该单晶样品[001]方向加磁场,在该方向获是了-0.6%的大磁感生应变。当磁场方向垂直于[001]方向时,样品在[001]方向的磁感生应变值为0.5%,同时该单晶样品在室温附近还具有可由磁场增强和控制的双向形状记忆效应。无磁场作用时,降低温度。样品在发生马氏体相变时,在[001]方向产生1.2%的收缩形变,随后升高温度,反马氏体相变时样品以同样的反应量膨胀,恢复到原来的形状,显示了特有的远需外应力协助的自发的双向形状记忆效应。其温度滞后只有10℃,如果在样品[001]方向加一个偏磁场,其形状记忆的应变往往量随磁场的增强而增大,在磁场为1.2T时可达4%,而当磁场转向[001]方向时,形状记忆的应变可以改变符号,本文指出产生大磁感生应变和磁增强双向形状记忆效应的关键是马氏体变体的择优取向。     

单晶Ni_(52)Mn_(24)Ga_(24)的磁感生应变和磁增强双向形状记忆效应

铁磁性Heusler合金Ni2 MnGa是近年开发的磁控制功能材料 ,已发现该材料结合马氏体相变可以产生大磁致伸缩 (磁感生应变 )和磁控制形状记忆效应两种应用功能。用磁悬浮冷坩埚提拉设备沿 [0 0 1]方向生长了组分为Ni52 Mn2 4 Ga2 4 的单晶。室温时沿该单晶样品 [0 0 1]方向加磁场 ,在该方向获得了 - 0 6 %的大磁感生应变。当磁场方向垂直于 [0 0 1]方向时 ,样品在 [0 0 1]方向的磁感生应变值为 0 5 %。同时该单晶样品在室温附近还具有可由磁场增强和控制的双向形状记忆效应。无磁场作用时 ,降低温度 ,样品在发生马氏体相变时 ,在 [0 0 1]方向产生1 2 %的收缩形变。随后升高温度 ,反马氏体相变时样品以同样的应变量膨胀 ,恢复到原来的形状 ,显示了特有的无需外应力协助的自发的双向形状记忆效应。其温度滞后只有 10℃。如果在样品的 [0 0 1]方向加一个偏磁场 ,其形状记忆的应变量随磁场的增强而增大。在磁场为 1 2T时可达 4%。而当磁场转向 [10 0 ]方向时 ,形状记忆的应变可以改变符号。本文指出产生大磁感生应变和磁增强双向形状记忆效应的关键是马氏体变体的择优取向。     

三角反铁磁材料Mn3Z(Z=Ga,Ge,Sn)的磁性和输运性质

反铁磁材料具有零磁矩或非常小的磁矩,不易受外磁场干扰.相对于铁磁材料,反铁磁材料具有更低的能量损耗和更高的响应频率等优点,因在自旋电子学领域的实际应用方面具有巨大潜力而备受关注.作为一种兼具Kagome晶格及三角反铁磁性的特殊自旋电子学材料,六角Mn3Z(Z=Ga,Ge,Sn)合金展现出巨大的反常霍尔效应、拓扑霍尔效应...     

高自旋极化材料CoFeXSn (X = Ti,V, Cr)合金的相稳定性、力学、热学性质以及电子结构

Co基Heusler合金具有高居里温度和高自旋极化率，在自旋电子学器件中表现出潜在的应用前景。通过第一性原理计算研究了CoFeXSn (X=Ti, V, Cr)合金的结构、磁性、机械性能、动力学稳定性和电子结构。研究结果表明，CoFeXSn (X=Ti, V, Cr)合金均以LiMgPbSn型结构结晶并遵循优先占位规则。合金的磁性行为具有明显的分界，Co-Ti/V和Co-Cr合金内部的原子磁矩和磁耦合方式明显不同，但都基本符合Slater-Pauling行为。CoFeTiSn和CoFeVSn合金具有机械稳定性和动力学稳定性，而CoFeCrSn合金的声子谱线却有明显的虚频。电子结构的分析表明这些合金在某一自旋方向上均存在能隙，具有接近于半金属材料的性质。