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采用第一性原理的密度泛函理论平面波赝势法,通过广义梯度近似电子结构计算对NaxCoO2(x=0.5,0.6)进行了研究。结果表明Na0.5CoO2为直接能隙的P型半导体,带宽为1.52ev;而Na0.6CoO2为间接带隙的P型半导体,带宽为1.23ev。Co3d电子晶场的分裂,使体系呈现铁磁性,得到Na0.5CoO2和Na0.6CoO2的净磁矩分别是6μB和4μB。此外,费米面附近Na0.5CoO2的态密度较Na0.6CoO2的大且体系存在较宽的赝隙,这使得Na0.5CoO2较Na0.6CoO2有更大的Seebeck系数和电导率。 相似文献
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BiFeO3对0.02PNW-0.07PMnN-0.91PZT低温烧结陶瓷微观结构和压电性能的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了BiFeO3对950℃烧结Pb0.94Sr0.06(Ni1/2W1/2)0.02(Mn1/3Nb2/3)0.07(Zr0.51Ti0.49)0.91O3(0.02PNW-0.07PMnN-0.91PZT)陶瓷微观结构和压电性能的影响。结果表明:少量BiFeO3可加速致密化过程、促进晶粒长大,并导致准同型相界(MPB)向富Ti区移动和晶胞收缩;过量BiFeO3对晶粒长大起到抑制作用,并在晶界处引入较多气孔。微观结构的变化使性能曲线表现出转折点,最优的压电性能在10mol%BiFeO3处获得。 相似文献
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α-硅钼黄吸光光度法测定陶瓷粉笔中高含量硅 总被引:3,自引:0,他引:3
基于α型硅钼黄比β型硅钼黄更稳定,且灵敏度更低,有利于高含量硅的比色测定的特点,建立了α-硅钼黄吸光光度法测定陶瓷粉笔中高含量硅的分析方法。试验结果表明:α型硅钼黄比β型硅钼黄吸光光度法稳定性和准确性都有较大提高,可用于陶瓷粉笔中高含量硅的日常快速测定。 相似文献
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常压烧结碳化硅陶瓷的制备及导电性能 总被引:2,自引:0,他引:2
采用常压烧结法制备碳化硅陶瓷.对其显微结构和导电性能进行了分析。研究发现,常压法可获得致密的碳化硅烧结体,具有较低的电阻率,在300~600℃温度范围内表现出明显的负电阻率温度系数。 相似文献