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1.
为了研究多晶硅栅对内嵌可控硅(SCR)的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)器件静电放电(ESD)防护性能的影响,基于0.35μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺制备了LDMOS-SCR与SCR器件,并利用传输线脉冲测试比较它们的ESD特性.通过仿真2种器件在不同强度ESD应力下的电流密度分布,比较器件内部触发电流泄放路径的开启顺序;通过仿真2种器件在强电压回滞下的电流线和晶格温度的分布,分析因电场影响电流泄放的方式以及温度的分布而导致ESD鲁棒性的差异.仿真和测试结果表明,与SCR相比,具有多晶硅栅的LDMOS-SCR有多条导通路径且开启速度快,有更均匀的电流和电场分布;触发电压降低了12.5%,失效电流提高了27.0%,ESD鲁棒性强. 相似文献
2.
针对复杂化工过程具有的非线性、非高斯性和动态特征,提出了基于核独立成分分析(KICA)的模式匹配方法,用于动态过程监控和诊断。首先,利用滑动窗建立基准集与测试集的KICA模型,提取各自的核独立元:其次,融合余弦函数绝对值度量和距离度量,提出新的不相似度监控指标,识别训练与测试操作期间的相似模式,进行故障检测:最后,基于两类数据的核子空间之间的差异子空间,获得每个过程变量方向与该差异子空间之间的互信息,并定义新的非线性非高斯贡献度指标,进行故障诊断。基于污水处理过程的仿真结果表明,与主成分分析不相似度因子的方法、标准的独立成分分析(ICA)统计指标方法及标准的ICA T~2/SPE指标融合的贡献度方法相比,本文提出的方法具有更好的检测能力与故障诊断效果。 相似文献
3.
基于Intel VT—x的XEN全虚拟化实现 总被引:2,自引:2,他引:0
由于X86体系结构对虚拟机支持的先天不足,基于此体系结构的虚拟机需要修改操作系统的源代码,称为泛虚拟化技术.泛虚拟化需要修改操作系统的源代码,故只能支持开源的操作系统,且这种虚拟机的实现也是比较困难的.为了解决这个问题,Intel公司提出了VT-x技术,该技术可以使虚拟机不需要修改操作系统的源代码,也就是所谓的全虚拟化技术,可以支持非开源的操作系统,且虚拟机的实现也比较简单.XEN是业界广泛看好的一款基于X86体系结构开源的虚拟机监视器,XEN 3.0开始实现了基于VT-x的全虚拟化技术,具有优越的性能和良好的体系结构.文中讨论了Intel的VT-x技术,并从CPU虚拟化、内存虚拟化和设备虚拟化三个方面介绍XEN实现全虚拟化的关键技术. 相似文献
4.
5.
6.
为了解新型浮体闸在动水中沉浮过程的水力特性,基于水力学模型试验,分析了水舱进(排)水量、浮体闸沉浮速度、抗倾覆特性及浮体闸对底板的撞击力变化,提出了倾覆率的概念,推导了浮体闸静水沉浮速度公式,并与动水沉浮实测值进行了比较与分析,研究了浮体闸倾覆率与压舱的关系,得到了最大撞击力与进水流量的关系。结果表明:试验范围内浮体闸的沉浮速度受河道水位及流速的影响较小;增加压舱可有效减小倾覆率,最大撞击力与进水流量成幂函数关系;通过增加压舱及减小进水流量的方式可以提高浮体闸的沉浮安全性。 相似文献
7.
8.
ZnO nanotubes have been fabricated through a carbon thermal reduction deposition process. Structure characterization results show that the ZnO nanotubes have a single crystalline wurtzite hexagonal structure pref- erentially oriented in the c-axis. The diameters of ZnO nanotubes are in the range of 90-280 nm and the wall thickness is about 50-100 nm. Room-temperature photoluminescence measurements of the ZnO nanotubes exhibit an intensive ultraviolet peak at 377 nm and a broad peak centered at about 517 nm. The UV emission is caused by the near band edge emission while the green emission may be attributed to both oxygen vacancy and the surface state. Raman and cathodoluminescence spectra are also discussed. Finally, a possible growth mechanism of the ZnO nanotubes is proposed. 相似文献
9.
应变硅NMOS晶体管沟道应变的模拟研究 总被引:1,自引:1,他引:0
建立了一种基于硅/锗硅异质结构的应变硅NMOS晶体管的有限元模型,通过模拟研究了沟道区的应变分布及其与器件参数的关系。结果表明,提高锗硅虚拟衬底中锗的摩尔组分、减小应变硅层厚度,可以增加沟道应变。此外,应变量还随器件结构长度的增加而增加。研究结果可为应变硅器件的设计、工艺优化提供参考依据。 相似文献
10.