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1.
2.
3.
将不同质量配比的Ti粉和C粉等经球磨并压制成预制块,黏接到EPS泡沫模型的表面上,采用真空消失模铸造法浇注高温钢液引发自蔓延高温合成(SHS)反应,制备原位合成Ti C颗粒增强钢基表面复合材料。通过X-ray、OM、SEM、EDS及硬度测试等方法,研究复合材料的显微组织和力学性能。结果表明:当钛碳质量比为3.5时,制得的复合材料合金层表面质量良好,组织致密;复合材料由复合层、过渡层和基体3部分组成,复合层组织由Ti C、(Fe,Ti)C颗粒和α-Fe基体相构成,Ti C颗粒呈圆球或近圆球形状,分布均匀;表面复合材料硬度由表及里呈下降趋势,最高硬度值,为70HRC。 相似文献
4.
利用电化学、金相、能谱等方法,研究了低碳贝氏体钢在表面锈层受到不同程度的损伤后,在含Cl-环境中的继续腐蚀行为.实验发现,低碳贝氏体钢和作为对比材料的低碳钢试样的表面锈层受损伤后,在继续腐蚀过程中均能很快得到修复.在损伤程度与继续腐蚀时间相同的条件下,低碳贝氏体钢的锈层电阻与损伤修复率均高于低碳钢.低碳贝氏体钢基体/锈层界面的断裂韧性高于锈层本身.在受外界作用时,锈层不会沿基体/锈层界面彻底脱落从而在基体表面保存残留锈层.残留锈层能明显促进新锈层在损伤部位的形成.原有锈层与损伤部位新形成的锈层中Cu和Cr含量接近,并与钢基体的含量相当. 相似文献
5.
采用中频磁控溅射技术制备了PbSeIn和PbSeTe两种掺杂PbSe薄膜,
并采用理论模拟与实际实验相结合的方法研究了In和Te两种元素的掺杂机制及其对薄膜性
能的影响。结果表明,In原子主要通过置换Pb原子的形式进行掺杂,而Te原子则主要置换
Se原子;与未掺杂PbSe薄膜相比,PbSeIn和PbSeTe两种薄膜的光电敏感性均有一定提高,
其中In掺杂PbSe薄膜的平均电阻变化率最高。这是由于In元素在PbSe薄膜禁带内形成深杂
质能级,提高非平衡载流子寿命所导致的。而PbSeTe薄膜的光电敏感性则与未掺杂PbSe薄
膜相近。 相似文献
6.
温度对N80钢CO2腐蚀产物膜结构和力学性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用高温高压釜,以油田地层水为腐蚀介质,以高温高压气水两相为腐蚀环境,在N80油套管钢上生成CO2腐蚀产物膜,研究了65~115℃温度范围内腐蚀产物膜的结构和力学特性.结果表明:当温度在65~90℃时,腐蚀产物膜的主要成分为(Fe,Ca)CO3;在115℃时,膜的主要成分为(Fe,Ca,Mg)CO3和Fe3O4.随温度的升高,腐蚀产物膜的各项力学性能,如硬度、杨氏模量、断裂韧性以及膜与基体的结合强度均显示出升高的趋势. 相似文献
7.
研究了(Al,Mn)3Ti-2V和TiAl在900℃的(Na,K)2SO4以及850℃的Na2SO4 NaCl熔盐中的热腐蚀行为.结果表明,(Al,Mn)3Ti2V在(Na.K)2SO4中的耐蚀性很好,腐蚀产物膜很薄,外层是保护性的Al2O3,内层是Al2O3 TiO2 TiS的混合膜.当熔盐中存在NaCl时,(Al,Mn)3Ti2V的耐蚀性极差,腐蚀产物的厚度比在(Na,K)2SO4中大100多倍,且具有分层结构,最外层富MnO(含少量NAl2O3和TiO2),第二层为Al2O3 少量TiS,第三层为TiO2 TiS,由于不能形成保护性的Al2O3层,腐蚀产物极易剥落。 相似文献
8.
氧化铬薄膜具有高的硬度,很好的耐磨、耐蚀性能,因而具有广泛的应用.但是到目前为止还没有看到对其微观结构研究的报道.本文通过扫描电镜、高分辨电镜及原子力显微镜研究了氧化铬薄膜及界面的微观结构.研究发现,在铬过渡层和基体的界面及氧化铬薄膜与铬过渡层间观察到约100 nm厚的非晶态铬和氧化铬,在铬过渡层和基体的界面中存在有Fe-Cr中间相.非晶层的出现为制备涂层表面光滑、晶粒细小、内应力降低、且具有较高厚度的薄膜提供了一个全新的思路. 相似文献
9.
利用浸泡实验分别模拟了低合金钢3Cr和X70在含有超临界CO_2的3.5%Na Cl溶液和溶解有Na Cl溶液的超临界CO_2相中的缝隙腐蚀行为。采用SEM、EDS和3D显微镜分析了腐蚀产物膜的形貌和成分,运用失重法测试了不同环境下低合金钢的腐蚀速率。结果表明,在超临界CO_2环境下低合金钢在缝隙内部腐蚀较轻,在缝隙边缘处发生了明显的腐蚀。这种缝隙腐蚀现象是由于缝隙内部与外部之间形成的电偶效应引起的。2种钢在超临界CO_2相中的均匀腐蚀速率均低于局部腐蚀速率,在Na Cl溶液中的情况则相反。在超临界CO_2环境中,3Cr钢的耐均匀腐蚀性能优于X70钢,而耐局部腐蚀性能则劣于X70钢。2种钢缝隙腐蚀行为的差异主要是Cr含量不同造成的,而Cu在3Cr钢缝隙边缘处的富集可能对缝隙腐蚀过程起到了促进作用。 相似文献
10.
通过在硅油中加恒电场实验,研究了PZT-5H铁电陶瓷Vickers压痕裂纹的扩展行为,探讨了电场、残余应力以及介质间的耦合作用.结果表明,残余应力不足以使压痕裂纹在硅油中发生滞后扩展,只有外加恒电场E>0.2 kV/cm,电场、残余应力和介质的耦合才能使压痕裂纹在经过一个孕育期tp后发生滞后扩展.由于有效应力强度因子随裂纹扩展而下降,故压痕裂纹扩展10-30 μm后就将止裂.压痕裂纹在硅油中滞后扩展的门槛电场强度EDp=0.2 kV/cm.如外加电场大于临界电场Ep=5.25 kV/cm,电场和残余应力的耦合可使压痕裂纹瞬时扩展;保持恒电场,裂纹能继续扩展,然后止裂.如外加电场大于12.6 kV/cm,不需要残余应力协助,电致裂纹也能在光滑试样上形核、长大、连接,导致试样断裂.试样发生电致滞后断裂的门槛电场EDF=12.6 kV/cm,发生瞬时断裂的临界电场EF=19.1 kV/cm. 相似文献