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1.
采用大电流交流脉冲对非晶Fe78B13Si9合金进行了去应力退火。初步探讨了电脉冲加热对加热速率和该合金内应力释放、退火脆化以及最终软磁性影响的基本规律。结果表明:电脉冲加热可以得到远高于常规退火的加热速率,选择合适工艺参数可使非晶合金内应力释放90%,软磁性(H_c和B_s)达常规退火后的95%以上,与此同时使合金的延性(断裂应变ε_f)维持在0.9以上,从而有望实现非晶合金磁性与延性的合理配合。 相似文献
2.
3.
添加WC对镍基合金激光熔敷层硬度及腐蚀磨损行为的影响 总被引:7,自引:2,他引:7
探讨了添加WC的镍基合金G112激光熔敷层的性能,结果表明,添加20%WC的激光熔敷层的硬度HV0.2比末添加的提高近一倍,在酸性介质中的耐蚀性有所降低,但腐蚀磨损性能却得到大改善,其腐蚀磨损机制在低冲击速度下,由犁削磨损,坑穴腐蚀及应力腐蚀变为犁削磨损为主,在高冲击速度下,两者的腐蚀磨损机制趋于一致,均为犁削磨损为主,伴以抗穴腐蚀及应力腐蚀。 相似文献
4.
5.
综述了新型粘结永磁材料纳米复相钕铁硼的研发意义、组织特点、磁性能提高的基本原理、界面交换耦合强度判据、制备技术要点、最新成分、新制备技术及磁性能,并分析了存在的问题和推广应用时应注意的事项。 相似文献
6.
利用密度泛函理论体系下的第一性原理平面波超软赝势法,研究Al单掺杂和S单掺杂以及Al/S共掺杂金红石相TiO_2的能带结构、态密度和光学性质。结果表明:Al单掺杂导致禁带宽度减小为1.79eV,并且在价带上方形成了一条杂质能带;S单掺杂导致费米能级上移靠近导带,直接带隙减小为0.816eV;Al/S共掺杂导致能带结构中出现了3条杂质能带,直接带隙约0.841eV,杂质能级主要由Al原子的3p轨道和S原子的3p轨道组成。Al/S共掺杂后使TiO_2的吸收带产生红移,在可见光区具有较大的吸收系数,能够增强电子传输能力和抑制电子空穴对复合。 相似文献
7.
通过分析目前电子商务信任模型的研究现状,总结出了研究基于声望的信任模型的主要方法,讨论了信任研究中所涉及的各种问题,并给出了目前声望式信任管理研究面临的挑战以及下一步的研究方向. 相似文献
8.
采用传统固相反应法制备了Cu掺杂的ZnTiNb2O8介质陶瓷,分别对其烧结特性、物相组成、显微结构及微波介电性能等进行了系统研究。结果表明:Cu掺杂及其氧化能显著降低ZnTiNb2O8的烧结温度至950 ℃;Cu掺杂ZnTiNb2O8陶瓷微波介电性能在很大程度上由陶瓷致密度、物相组成和晶粒大小决定;Cu掺杂量为3.0wt.%的ZnTiNb2O8陶瓷在950 ℃烧结3 h具有较好的微波介电性能:εr=30.2,Q×f=27 537 GHz(f=6.774 3 GHz),τf=-57.1 μ℃-1,是极具应用前景的低温共烧陶瓷材料。 相似文献
9.
以熔盐法合成各向异性的片状单相SrBi2Nb2O9 (SBN) 陶瓷粉体作为模板,采用模板晶粒生长(TGG)技术成功得制备出织构化SrBi2Nb2O9 (SBN) 陶瓷.通过SEM和XRD分析了烧结制度及模板尺寸对SBN陶瓷晶粒取向率的影响.结果表明,晶粒取向率随着烧结温度、烧结时间、升温速率、模板尺寸的升高而升高.合理控制制备工艺可获得晶粒取向率为0.89的高度织构化SBN陶瓷.织构化SBN陶瓷的相对体积密度随着模板平均粒径的增加而降低.在高温阶段,片状SBN模板晶粒消耗周围的基体粉体沿着流延方向生长,从而最终得到晶粒高度定向的陶瓷. 相似文献
10.
BBS玻璃掺杂对CLST陶瓷介电性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
采用传统陶瓷工艺制备了BaO-B2O3-SiO2(BBS)玻璃掺杂的CaO-Li2O-Sm2O3-TiO2(CLST)介质陶瓷,用X-射线衍射仪,扫描电镜及电感-电容-电阻测试仪等对其烧结特性、相结构及介电性能进行了系统研究.结果表明,BBS掺杂能显著降低CLST陶瓷的烧结温度,由1 300℃降至1 100℃.BBS掺杂量为7%(质量比),烧结温度为1 100℃时,CLST陶瓷具有较好的综合介电性能:介电常数εr=62,介电损耗tan δ=0.007,频率温度系数τf=0.82×10-6/℃. 相似文献